| 姓名 | 楊志忠 |
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| 電子郵件 | |
| Tel | +886-2-33663643 |
| 辦公室 | 電機二館 443室 |
| 學歷 | 美國伊利諾大學博士 |
| 研究領域 |
1. MOCVD growth of InGaN/GaN quantum well and other nano-structures (有機金屬氣相沉積技術生長氮化銦鎵/氮化鎵量子井及其他奈米結構) 2. MBE growth of CdZnMgO compounds for light-emitting device fabrication (分子束磊晶技術生長氧化鋅化合物供發光元件製作) 3. MBE growth of GaN nanostructures and indium-rich InGaN for solar cell fabrication (分子束磊晶技術生長氮化鎵奈米結構及富銦氮化銦鎵材料供太陽能電池製作) 4. Material and optical characterizations of InGaN and ZnO nano-structures (氮化銦鎵及氧化鋅奈米結構之材料與光學特性分析) 5. Fabrications of white-light light-emitting diodes (白光發光二極體製作) 6. Nitride-based photonic crystals and surface plasmonics for enhancing light-emission efficiency (光子晶體及表面電漿子研究以提昇發光效率) 7. Bio-photonics – optical coherence tomography (生醫光電 - 光學同調斷層掃描技術) |
- 氮化銦鎵奈米結構及能源光電之應用 / 國科會奈米國家型計畫
- 新型奈米光電材料 / 台灣大學奈米科技研究中心 / 五年五百億
- 高效率發光二極體製作 / 國科會工程處
- 氮化鎵奈米柱接合生長 / 美國空軍研究發展處
- 前瞻發光二極體技術研發 / 晶元光電公司
- 新型奈米光電半導體研究 / 捐贈研究
- 以光學同調斷層掃描從事口腔癌早期診斷∕國家衛生研究院
| 實驗室名稱 | 位置 |
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| 發光材料光譜實驗室 | 電機二館403室 |
| 生醫光電影像實驗室 | 電機二館404室 |
| 奈米半導體磊晶製程實驗室 | 二號館215AB室 |
| 分子磊晶實驗室 | 二號館202、204室 |