第178期 2021年10月刊
 
 
 
发行人:黄建璋所长  编辑委员:曾雪峰教授  主编:林筱文  发行日期:2021.10.30
 
 

本所志忠教授荣膺「粘铭讲座」,特此恭贺!

本所吴忠帜教授荣膺「美光科技讲座」,特此恭贺!

本所吴育任教授荣获2021年度「国立台湾大学电机信息学院学术贡献奖」,特此恭贺!

本所吴育任教授指导硕、博士生团队参与「2021 NASA黑客松」荣获台北场竞赛第三名,特此恭贺!

参赛学生团队:光电所黄隽宇博士生、光电所白修齐硕士生、光电所胡炳军硕士生、电机系乔冠豪同学

获奖团队 iEntropy 项目页面:

https://2021.spaceappschallenge.org/challenges/statements/gui-for-materials-science/teams/ientropy

相关报导:

https://www.ait.org.tw/zhtw/results-of-2021-nasa-hackathon-taipei-zh/

 

本所博士生荣获财团法人中技社「2021年度科技奖学金」,获奖名单如下,特此恭贺!

 

姓名 奖项 指导教授

Bhaskar Jyoti Borah

(巴卡地)

财团法人中技社「2021年度科技奖学金—境外生生活助学金(博士生)」

孙启光

 

 

 

 
 

Optical Detection by Different Infrared Response from Parasitic Channels and Vertically Stacked GeSi nGAAFETs

Professor Chee-Wee Liu

Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

台湾大学光电所 刘致为教授

The photoresponse measurement provides a non-destructive method to investigate the existence of the GeSi floating channels and Ge parasitic channels. In this work, three different types of nFETs were fabricated to study the photoresponse, including the floating GeSi channels with Ge parasitic channel, the sole GeSi floating channel, and the sole Ge parasitic channels (Fig.1). The photoresponse of the sole floating channel mainly shows the negative threshold voltage shift (ΔVT), while the photoresponse of the sole parasitic channels without parasitic channel is the photocurrent (Iph) for nFET. The device with both floating channels and the parasitic channel shows both photocurrent and negative threshold voltage shift under exposure (Fig.2). The photoresponse of Iph is resulting from the leakage path near the Ge/Si interface in the sole parasitic channel. The negative VT shift is due to confined holes in the sole GeSi floating channels (Fig.3).

 

Fig. 1. The tilt 52° SEM images of (a) the stacked GeSi channels with Ge parasitic channel, (b) the solely stacked GeSi floating channels and (c) the sole Ge parasitic channel.

 

Fig. 2. ID-VGS of the stacked GeSi floating channels with Ge parasitic channel (a), the sole GeSi floating channels (b), and the sole Ge parasitic channel (c) with no exposure (solid line in black) and 1310-nm illumination (dotted line in blue).

 

Fig. 3. The band diagrams at VGS ≈ VT and at off-state of (a, c) the GeSi floating channels and (b, d) the Ge parasitic channel under the infrared illumination if the photocarriers are excited.

 

Reference:

[1] S-Y Lin, H-H Liu, C-T Tu, Y-S Huang, F-L Lu, and C. W. Liu, IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. 67, No. 10, pp. 4073-4078, Oct. 2020.

[2] H-H Liu, Y-S Huang, F-L Lu, H-Y Ye, and C. W. Liu, IEEE Electron Device Lett., vol. 41, no. 1, pp. 147-150, Jan. 2020.

 

     
 
 
论文题目:基于含有喹唑啉的热激活化延迟荧光材料的高性能有机发光二极管之研究

姓名:李盼   指导教授:吴忠帜教授

 

摘要

有机发光二极管(OLED)的发展已使其成为显示和照明领域的重要技术,本论文中我们重点研究了基于喹唑啉(Quinazoline)的热激活化延迟荧光(TADF)材料,并实现组件约为28%的外部量子效率(EQE),优于大多数报导的含有喹唑啉的有机发光材料的表现。

所探讨的此系列分子吩恶嗪(Phenoxazine)作为施体,通过苯基与受体喹唑啉相连,其中新设计合成的分子2DPyPh-Qz是在参照分子2Ph-Qz的基础上再外接两个吡啶(Pyridine)以实现受体平面拓展。2H-Qz、2Ph-Qz 和 2DPyPh-Q受体平面面积逐渐增加,三个材料在mCPCN中掺杂浓度为 6 wt%时的水平发光偶极比分别为63%、66%和79%,且三者最高占据分子轨域和最低未占分子轨域的能阶相差不大,说明通过对受体平面拓展有效提高了分子的水平发光偶极取向,有利于光子从组件内部出到空气中,三者能阶接近,有利于采用三个材料制作的有机发光二极管组件保持一致的色光。(图一)

在设计组件时选用TAPC和mCP作为电洞传输层材料,3TPYMB作为电子传输层材料,mCPCN作为主体材料,经过优化后三个组件外部量子效率分别为22.6%,24.5%,27.5%,功率效率分别为77.3 lm/W、85.7 lm/W、96.5lm/W,电致发光光谱峰值分别为560.5nm、557.5nm、555nm,CIE坐标分别为(0.44,0.54)、(0.44,0.54)、(0.43,0.55),可见通过受体平面拓展可以显著提升有机发光二极管效率,且对它们的电子结构、相关能级和激发态的影响很小,电致发光光谱几乎一致。(图二)

 

图一、2H-Qz、2Ph-Qz 和 2DPyPh-Qz的 (a) 分子式 (b) 在mCPCN中掺杂浓度为 6 wt%时的水平发光偶极比。

 

图二、(a) 组件结构和能阶图以及组件中所用部分材料的分子式,(b) 在mCPCN中分别掺杂2H-Qz、2Ph-Qz 和 2DPyPh-Qz浓度为 6 wt% 的组件的外部量子效率、功率效率和电致发光光谱。

 


 
 

— 资料提供:影像显示科技知识平台 (DTKP, Display Technology Knowledge Platform) —

— 整理:林晃岩教授、卓真禾 —

变色龙的石墨烯表面

石墨烯是光子学和光电子学的理想材料,可以充分发挥其独特的光学和电子特性的结合[1]。石墨烯是无间隙的,这使得电荷载流子能够在非常宽的能谱上透过光吸收产生,这是其它材料无法比拟的。这包括紫外线、可见光、短波红外线、近红外线、中红外线、远红外线和太赫兹 (THz)。此外,石墨烯表现出超快的载子动力学[2]、与波长无关的吸收[3]、透过改变其化学位能/费米能级(EF)的可调光学特性[4]、低耗散率和高迁移率[5]等。参考EF=0 eV 通常被认为是在狄拉克点,即代表单层石墨烯(SLG)的导带和价带的两个锥体的交点(图一)。费米能量在 0 K 时与 EF 重合。对于静电掺杂,在室温下,通常近似于 EF ≈费米能量。

 

图 一、光与掺杂石墨烯交互作用的基本原理。(a)和(b),如果入射光子能量大于2EF,光可以被吸收,如(a);否则,光吸收被阻止,如(b)

通过静电闸调节材料光学响应的能力对于光电应用极为重要,例如电光调制器、用于各种超快和宽带锁模激光的饱和吸收器、光学限制器、光电检测器和透明电极[1]。SLG宽带结构,具有零间隙、线性色散导带和价带(图一),可以轻松控制 EF 和带间光吸收阈值,具有超宽带稳定性[4],以与门控第三谐波增强[6],为用于光通信和信号处理的电调控宽带变频器提供了条件。

基于 SLG 的光子和光电系统的许多特性和独特功能,已经有所研究并提出了一些应用[1]、[7]、[8]。石墨烯积体光子学是用于下一代数据通信和电信的调制器、检测器和开关的晶圆级制造的新兴平台[7]、[8]。

在 SLG中,吸收和折射率取决于EF以及由撞击光子激发的电子和电洞的带内和带间跃迁[9]。在未掺杂的SLG中,允许吸收任何波长的光子[3]。然而,如果EF增加到光子能量的一半以上,由于包立阻挡(Pauli blocking),载子激发被抑制,SLG 变得透明[10](图一)。SLG中的电吸收调制可以透过EF调制来实现[11]。这也会导致相位调制,因为吸收和折射率取决于 EF(参考文献 12)。当带间跃迁被抑制时,会由于带内跃迁而发生吸收。这些主要是由例如:杂质、陷阱态和屏蔽引起的长程散射的结果。描述带内转换的整体效果的一种方便的方法是散射时间ττ越长,带内吸收越低,这意味着 SLG 在EF范围内变得越透明,在该范围内,由于包立阻挡,带间跃迁被排除在外。

传统的光电组件,例如光源和检测器,通常设计为在特定波长下工作以获得最高效率。在数量级不同的波长和光子能量上工作的多光谱组件上,开辟了新的机会。这些需要宽带电光可调性、多光谱组件结构和不变性开关。相变[13]和电致变色材料[14] 能够由温度或电场触发颜色变化,但它们需要导电的顶部电极,这可能会限制它们的光谱范围。

在《自然光子》上的报导中,Muhammed Said Ergoktas及其同事展示了几种基于石墨烯的电光设备,具有从可见光到微波的多光谱调谐 [15]。他们基于电化学实现了这些,在多层石墨烯(MLG)片之间具有可逆的锂(Li)嵌入。组成电化学电池的电荷状态用于调节不同波长范围内的光谱强度,新的组件概念将电化学与光学特性的调整联系起来。MLG是透过化学气相沉积在镍箔上制备的,非常适合MLG生长,而铜则更适合SLG[16]。Ergoktas及其同事使用的卷对卷制程也可扩展到大面积。具有约 150 层的 MLG 用作阳极,涂有锂(Li)掺杂的镍锰钴氧化物的铝箔作为阴极。这种架构与锂离子电池的架构非常相似。与电池一样,锂离子嵌入MLG,从而调节每一层的EF [15]。基于这个原因,即使非嵌入阴极是 MLG,决定组件的光学特性的相关物理也是 SLG 的物理特性,如上所述,因为这些层透过锂(Li)嵌入过程中达成去耦合(decoupled)。

由于本质上是电化学的,这些组件无法与电或光调谐光电检测器或调制器的调制速度竞争[1]、[4]、[7]、[8]、[11]。Ergoktas及其同事表明,他们的设备可以在太赫兹范围内约 1 秒内、红外线范围内约 3 秒和可见光范围内的数十秒内作打开/关闭。这些速度与在相应状态下修改光学响应所需的电荷量一致。由于光学响应与电荷量有关,因此响应时间与组件的电流成比例。因此,透过将充电电流增加相同的数量,可以将其缩放约 10 倍。Ergoktas及其同事透过将设备的电流保持在与锂离子电池相似的水平(~1 mA cm-2)来优先考虑长期运行稳定性。

这些速度不如显示应用所需的速度快,例如那些利用液晶或有机发光二极管的应用。因此,该团队建议其它用途,例如用于太空应用的可调太阳能反射器。 10-40秒的可见光响应时间对于卫星的动态热调节是可以接受的,因为这比典型的轨道周期快得多,即使对于低轨道卫星也是如此。需要可调红外发射率的应用包括热伪装和辐射热传输,Ergoktas和同事证明了这两种应用。对于热伪装,切换速度取决于背景的变化。对于静止或缓慢移动的物体,背景会在一天内随着环境温度的波动或云层的移动而变化。对于快速移动的物体,例如火车等交通工具,背景变化以秒计,Ergoktas和同事所报告的技术需要针对应用再优化。

对于任何其它电化学组件,可循环性是主要关注的项目之一。Ergoktas及其同事在太赫兹、红外和可见光范围内测试了耐用性,表明这些组件可以在这些状态下分别运行超过 11,000、2,200 和 580 次开/关循环。有趣的是,由于架构的相似性,他们还展示了使用这种新技术作为锂离子电池的充电指示器。

这些新的多光谱电光设备在从可见光到微波的整个电磁频谱范围内运行,可以激发可调谐光学的新技术,无论是作为独立单元,还是与已建立的光操纵方法结合。将这些组件与 SLG 等电浆频率的广泛电光可调性结合,可能会产生电可调电浆子系统,这将实现多光谱活跃电浆子。

利用电化学来调整 SLG 的光学特性,为这种独特的材料开辟了一个新的有希望的研究方向。原则上,也可以通过调整Ergoktas及其同事提出的方法来研究其它分层材料。反之亦然,锂离子电池性能的关键方面可以透过研究石墨阳极嵌入和脱嵌过程中发生的光学和光谱特性的变化来研究,以揭示锂离子在循环过程中诱导掺杂、分级和降解的特征,这可能会更加了解电池退化过程。锂(Li)的嵌入/脱嵌可能会导致不同循环中石墨或硅-石墨负极发生变化,影响电池循环性能。SLG 中光与物质相互作用的独特物理学将成为开发基于光学的诊断工具的基础,以改进对电池健康状态的控制和预测。

 

参考资料:

Andrea C. Ferrari, “Chameleon graphene surfaces,” Nature Photonics 15, 488–490 (2021)

https://www.nature.com/articles/s41566-021-00839-2

DOI: 10.1038/s41566-021-00839-2

参考文献:

[1] Bonaccorso, F., Sun, Z., Hasan, T. & Ferrari, A. C. Nat. Photon. 4, 611–622 (2010).

[2] Brida, D. et al. Nat. Commun. 4, 1987 (2013).

[3] Nair, R. R. et al. Science 320, 1308 (2008).

[4] Wang, F. et al. Science 320, 206–209 (2008).

[5] Mayorov, A. S. et al. Nano Lett. 11, 2396–2399 (2011).

[6] Soavi, G. et al. Nat. Nanotechnol. 13, 583–588 (2018).

[7] Koppens, F. H. L. et al. Nat. Nanotechnol. 9, 780–793 (2014).

[8] Romagnoli, M. et al. Nat. Rev. Mater. 3, 392–414 (2018).

[9] Stauber, T., Peres, M. N. R. & Geim, A. K. Phys. Rev. B 78,085432 (2008).

[10] Mak, K. F., Ju, L., Wang, F. & Heinz, T. F. Solid State Commun. 152, 1341–1349 (2012).

[11] Liu, M. Nature 474, 64–67 (2011).

[12] Chang, Y.-C., Liu, C.-H., Liu, C.-H., Zhong, Z. & Norris, T. B. Appl. Phys. Lett. 104, 261909 (2014).

[13] Wuttig, M., Bhaskaran, H. & TAubner, T. Nat. Photon.11,465–476 (2017).

[14] Granqvist, C. G. et al. Electrochim. Acta 259,1170–1182 (2018).

[15] Ergoktas, M. S. et al. Nat. Photon. https://doi.org/10.1038/s41566-021-00791-1(2021).

[16] Backes, C. et al. 2D Mater. 7, 022001 (2020).

 
       
       
 
 
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