第六十九期 2011年10月刊
 
 
 
发行人:林清富所长  编辑委员:陈奕君教授  主编:林筱文  发行日期:2011.10.18
 
 
 本所彭隆瀚教授指导电机系李志轩同学荣获「2010年度大专学生参与专题研究计划研究创作奖」,特此恭贺!

  本所孙启光教授指导吕任棠同学荣获「中国电机工程学会2011年青年论文奖第二名」,特此恭贺!

  本所何志浩教授指导光电所学生团队荣获「IUMRS International Conference in Asia Outstanding Paper Award (1) & Excellent Poster Award (2)」,特此恭贺!

  本所何志浩教授指导光电所学生团队荣获「2011年中华民国尖端材料科技协会学生论文科扬奖(特优)」,特此恭贺!

  本所何志浩教授指导张闳智同学荣获「2011年度科林论文奖硕士论文优等奖」,特此恭贺!

 
 
 

~ 美国三校参访纪要  系列报导 ~

【之一】

时间:2011年8月19日

参访地点:UCLA (University of California, Los Angeles)

撰文:光电所黄建璋教授

老实说,到ULCA参观不是第一次,十年前在美国念书的时候,当时在UCLA念书的同学就带我到校园晃了一个下午。另外,我们光电所有两位ULCA的杰出校友,因此对其突出的研究也有深刻印象,然而,一直到今年暑假,才有机会与ULCA电机系相关领域的教授级实验室交流。

8月19日一早,在林所长的带领下,吴志毅、吴育任、何志浩等教授及我一行五人,前往Engineering IV Bldg,原先想大概是按照报告顺序,我们与ULCA的教授报告研究成果及交流讨论等。没想到ULCA电机系安排非常周到,虽然是暑假,还是将此访问扩大举行了seminar(有茶点的喔),大概有近十位教授及二十几位研究生在百忙之中参与。

首先由ULCA电机系张主任报告系况,UCLA电机系有多位美国国家工程院院士,各协会的fellow自不在话下,著作许多我们常用的教科书,以及多项影响我们目前科技及生活的突破,这是一个非常精彩的演讲,真不愧是美国排名前几名的学校。接下来由Professor Bahram Jalali演讲” Evolution of Photonic Time Stretch: From Analog to Digital Conversion to Blood Screening “,Prof. Jalali 是光学领域著名的学者,除了Photonic Time stretch的突破外,他也提及其应用到blood screening的成果。另外,我个人的感觉,ULCA的光电相关研究,或许是funding agency的驱使,或者在跨领域上有许多emerging topics,会与bio相关。如Prof. Eric Chiou,介绍其” Photothermal Nanoblade for Single Cell Surgery and Cargo Delivery ”及Prof. Ozcan 的学生Ting-Wei Su,介绍” Lensfree On-Chip Microscopy for Global Health Applications ”都将mems及optical lens design与bio结合。另外,Mr. Scofield介绍” Nanopillar-based Photonic Crystal Lasers: A Bottom-up Approach to Photonic Integration ”。

下午的实验室参观,值得一提的是”Calif. Nanosys Inst(CNSI) “,这中心充分展现了ULCA即使已为一流名校,对于下世代顶尖研究投资及创意激荡的努力仍不遗余力。个人会有些感慨,相对于在台大,还是在许多KPI中打转,过度重视paper number, citation number 及ranking number等number,此行让我有不同的思维。

晚上,感谢张懋中主任设宴款待,张主任除了在RF的突出研究外,在语言上也非常有学养。晚宴谈笑风趣,宾主尽欢。我也学习到做房地产,要找有山、有河或有海的地方,土地有限制,房地产才会涨。

 

 

 

【之二】

时间:2011年8月29日

参访地点:UCSB (University of California, Santa Barbara)

撰文:光电所吴育任教授

这次我们所上藉由参加SPIE会议之后的机会,顺道拜访加州大学圣塔芭芭拉分校(UC Santa Barbara),此次参访加州大学圣塔芭芭拉分校(UC Santa Barbara),最主要的目的,就是希望能够达成双边的合作和交流,希望在教学方面能够就双学位等问题交换意见,而在研究方面,希望双方能够达成一些合作同盟的协议。就如同一般人的印象中UCSB虽然不是传统的名校,但是最近的排名尤其在材料和电机方面窜升的速度很快,尤其在设立加州奈米中心后(CNSI)以及出现许多诺贝尔奖级准诺贝尔奖得主的光环下,学校的声誉越来越好,算是以理工闻名的重点学校。其中材料系窜升的非常快,已经冲到全美第一名,令人不禁想要了解,是什么因素让这个学校窜升的如此快。由于我今年有幸能够得到国科会和学校的补助从九月份开始来这边当访问学者,因此这次的参访行程,就由我来负责联络和接洽事宜。

一大清早,在晴朗的天气下,我开着跟朋友借来的车去接林清富所长和苏国栋教授到UCSB的电机系馆。在林同学的帮忙下,我们很顺利的跟电机系前系主任Prof. Cheng见面,双方就两边的研究项目进行交流,由于Prof. Cheng 跟林所长是好朋友,对此次的参访也是Prof. Cheng大力促成,因此气氛很热络,接下来我们就去拜访Prof. John Bower。由于Prof. Bower很早以前就有跟所上孙启光老师有所合作,对我们的参访很是高兴,所长也就目前研究上ring waveguide的最新成果跟Prof. Bower进行分享,之后我们也去Prof. Bower的实验室参观。11点左右,我们就去拜访工学院院长Prof. Larry Coldren,就目前双方研究的主题进行交流讨论,并且就双方双学位问题进行讨论,由于新任的院长九月初会上任,但是还没到UCSB报到,因此我们只能将双学位问题进行讨论,但是结论要等新任院长到了之后才能下决定。中午院长邀请了前电机系主任Prof. Cheng、前材料系主任Prof. James Speck,和我们在UCSB海滩边的一家餐厅餐叙,用餐中,我们就如何提升系所的声誉进行讨论,UCSB的教授在这么快速窜起的情况下,仍然努力的要提升学校的知名度令人感到佩服,Prof. James Speck同时也是固态照明中心重要的负责人,则跟我们讨论一些合作联盟的可行性,并且邀请所长在参访结束前,和固态照明中心主任Prof. Steven DenBaars一起讨论一些细节,算是此行的重大突破。

下午的行程主要为实验室参访,同时三点多的时候,由林所长就所上现况跟UCSB 的学生和教授们做介绍,然后苏教授则对实验室研究的成果进行报告分享,而我因为要在这边长期访问的关系,Prof. James Speck已经另行安排我在十月左右演讲,因此我的研究部分就先不介绍。下午实验参访部分,先参观整个UCSB固态照明中心的长晶和无尘室方面的设备,由Prof. James Speck 学生Jordan和Christopher带领我们参观长晶设备,我们发现到UCSB的设备之多让人感到羡慕,但是最重要的专业的FAB管理人员更是令人印象深刻。举例来说,UCSB有十台以上的MBE设备,彼此可以共享,MOCVD的设备也是非常多台,教授们也不藏私。而专业的FAB管理人员,更是让所有CLEAN ROOM的设备能够维持故障时间不超过一两天,算是接近工业界的水平,我想这一点是值得我们好好学习,如何提出优渥的条件,留下好的管理人才,让这边的研究人员,只要花心思在想题目,而不是烦恼仪器故障的问题,对研究水平的提升,是有很正面的帮助的。无尘室的面积非常大,同时也对外营业,由于设备非常的先进,也有许多小公司进驻直接在里面开发新制程、新技术。由于对外营业,得以维持研究的开销,而良好的管理环境,和营业收入,更让无尘室可以不停更新设备和招商,据表示有十几家公司每年愿意付上50万美金的代价使用这里的设备,代表这边设备的新颖度和稳定度,我想这是他们工学院,尤其是材料系这几年快速窜升的原因之一。

最后,傍晚所长和Prof. James Speck 和Prof. Steven DenBaars去讨论参访细节的同时,林同学带我和苏教授去参观Nobel奖得主Prof. Heeger教授的实验室参观,并跟他的学生讨论实验室的风格和特色,令人印象深刻。这次的参访行程虽然短,但是收获颇多,尤其日后我会在这边研究两个学期,也算是对整个UCSB的设备和结构有深刻的了解,希望在未来的一年里,可以深入的和Prof. James Speck的实验室进行紧密的交流研究,并且扮演所上和这边沟通的桥梁,以期待在研究领域上有更大的突破,并扩展台大在外界的能见度。

 

 

 

 

 

 

 

【之三】

时间:2011年8月31日

参访地点:Cornell University

撰文:光电所苏国栋教授

康乃尔大学成立于1865年,位于纽约州的绮色佳(Ithaca),是长春藤联盟之一的学校,也是在盟校中唯一一个在独立战争后建立的学校。康乃尔大学还与纽约州政府签立合约,共同管理三个大学部学院和一个研究生级的兽医院,其经费来自州政府,用以支持于特定领域的研究,若是纽约州居民进入就读,也可减免学费。因此,虽然康乃尔大学是私立学校,但是某些院系的学生,却是可以公立大学的学费来就读,相当特别。

康乃尔大学绮色佳校区有人文、工程和农业学院,另外还有科学实验室和体育建筑群。人文学院四周的建筑属哥德式、维多利亚式及新古典式风格,很多著名的建筑物也都在此,像是酒店管理学院的教学酒店斯塔特勒酒店(Statler Hotel)。康乃尔大学除了有全美最佳的酒店管理学院,他们的工程科学、农业工程、文学理论,以及建筑学、化学、生物学、量子物理、计算器工程、通信工程、航空太空工程、制造工程、机械工程、土木工程等理工科专业,均排名在全美前十名之内。涵盖相当广泛的领域,因此康乃尔大学的规模是长春藤盟校内的大型学校。

这次我们拜访了School of Electrical and Computer Engineering,一进入其Duffield Hall,很难不注意到里面的桌子或椅子,都有着捐赠系友的名字,让人对美国私立学校的募款能力,不得不佩服。这次承蒙Prof. Tsuhan Chen和Prof. Edwin Kan的细心协助,我们有机会和几位教授面对面的沟通。除了双方对各自研究领域的介绍外,我们也更可以了解到未来双方合作的机会。台大光电所除了可以送出博士班学生到康乃尔大学外,也可以吸引对方学生来台。对于双方的合作与国际化的推广,都是相当正面的。

得力于酒店管理学院,康乃尔大学的住宿与餐饮也是全美数一数二的,让学生在这里可以尽情享受学院时光。在参访完之后,系主任Prof. Tsuhan Chen也招待我们在斯塔特勒酒店享受精致的意大利美食与康乃尔大学的日落,为此次的参访画下句点。

康乃尔大学的华人校友相当庞大,较知名的像是文学家胡适以及台湾前总统李登辉。若是有机会,我会建议学生争取机会体验在康乃尔的生活。

 

 

 
 

 

吴肇欣助理教授于2002年取得台大电机系学士学位,以第一名直升台大光电所,于2004年取得台大光电所硕士学位,完成兵役后,于2005年回到台大电机系担任助教工作一年,负责大学部自动控制实验室及系上必修科目的协助。并于2006年前往美国伊利诺大学香槟分校攻读电机博士学位,于2010年取得博士学位,之后续留在伊利诺担任博士后研究员的工作,于2011年八月返回台大电机系及光电所担任助理教授。

吴肇欣助理教授的研究领域和兴趣在先进三五族半导体电子及光电组件的研究和制作:包括高频光电组件的设计和量测、下一代光电整合集成电路的开发、光通讯和光互联组件、三五族高速电子组件。在过去五十年,所有的文献都将载子的生命周期认定在1 ~ 2 ns,而发光二极管(LED)的自发性放光(spontaneous emission)的调变速度始终在几百个MHz附近,所有的光通讯光源都只能透过二极管激光(diode laser),然而激光的调变响应,也因为载子的复合生命周期太长,造成组件有很大的共振频率响应(resonance response),造成光讯号的失真和传输频宽的下降。因此,发光敏晶体管本身因为结构的不同,第一次发现载子生命周期可轻易达到小于100 ps,且达到世界纪录的7 GHz自发性放光的调变频宽,透过此突破性的研究成果,让吴教授拿到了Nick and Katherine Holonyak Jr. Graduate Research Award奖项。未来研究的发展方向,希望将发光敏晶体管和晶体管激光应用在光电积体整合电路上,利用此三端组件的特性,同时具有传输电讯号和光讯号的优势,将光整合到电路设计中,开发下一代新型的光电集成电路。

在教学研究之余,吴教授喜欢四处旅行、摄影、健身、看电影。在美国求学期间,由于国外天气寒冷的关系,培养了打羽球(在室内)的习惯,有空喜欢煮菜和享受美食,向往大自然和平静的生活。

吴教授认为光电产业包罗万象,每个学生不要妄自菲薄,透过在台大光电所的训练和所学,找到自己在这个产业的定位,努力向前、贡献专长。然而除了工作之余,培养不同的兴趣也是很重要的,生命不是只有工作和赚钱,要有自己内在价值的目标,透过不断地寻找和实现,人生才会更有意义。

 
 
 
Low Loss Terahertz Air-Core Pipe Waveguides

 Professor Chi-Kuang Sun

Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

台湾大学光电所 孙启光教授

Terahertz (THz) technology has high potential in a wide variety of applications ranging from high-speed telecommunications to bio-imaging. To facilitate THz applications, it is essential to develop low-loss and low-cost THz waveguides. Recently, we proposed a dielectric circular air-core pipe for low-loss THz waveguiding. The pipe waveguide is the simplest pipe with a large air core region surrounded by thin and low-index dielectric cladding. Without complex fabrication, we used commercial Teflon pipes to demonstrate that the circular pipe waveguides not only possess low attenuation constants (< 0.001 cm-1) and high coupling efficiency (> 80%), but also suffer low bending loss. By modifying the circular pipe waveguides into rectangular ones, we further removed the transmission degeneracy of two orthogonal polarizations. It is expected that these easily available, low loss, low bending loss, and polarization-sensitive THz waveguides would have a high potential for THz sensing, communication, and imaging applications.

Fig. 1. Structure of the pipe waveguide. (n1 = 1, air).

Fig. 2. Attenuation spectra of straight Teflon pipe waveguides for t = 0.5 mm and 1.0 mm. The core diameters were the same (D = 9 mm).
Fig. 3. Bending loss spectra of the pipe waveguide for bending radius of curvature (R) = 75 and 60 cm. Fig. 4. Attenuation spectra of PE rectangular pipe waveguides for different polarizations.

 

Beyond-Bandwidth Electrical Pulse Modulation of a TO-Can Packaged VCSEL for 10 Gbit/s Injection-Locked NRZ-to-RZ Transmissions

 Professor Gong-Ru Lin

Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

台湾大学光电所 林恭如教授

A TO-46-can packaged VCSEL with a finite bandwidth of only 3 GHz has been employed to demonstrate a 10-Gbit/s all-optical NRZ-to-RZ data-format convertor, as shown in Fig. 1. This approach is based on the injection-locking induced gain-switching and the beyond-bandwidth electrical-pulse modulation of the TO-46-can packaged VCSEL biased at nearly lasing condition. To support 10-Gbit/s RZ data pulse generation, the resonant relaxation oscillation frequency of this TO-46-can packaged VCSEL is increased through direct modulation by an electrical-pulse at 10 GHz and external NRZ optical injection from 2 to at least 7.3 GHz. The optimized 10-Gbit/s RZ data-stream exhibits the signal to noise ratio, the timing jitter, and the pulsewidth of 7.2 dB, 2.9 ps, and 27 ps, respectively. The peak-to-peak chirp and corresponding chirp parameter are slightly raised to 4.3 GHz and 122 MHz/ps by increasing the injection power and the biased current. Owing to carrier accumulation and gain variation, the RZ data pulsewidth gets reduced by increasing the optical NRZ injection power and concurrently increasing the DC biased current.

A higher DC biased current further promotes the RZ data with greater modulation depth and sharper shape. A BER of 10-9 at 10 Gbit/s is achieved at a receiving power of -19.5 dBm, and an improvement of receiving power penalties up to 16 dB is observed when the DC biased current is reduced to only 10% of its lasing threshold, as shown in Fig. 2. In particular, the slope of the BER versus receiving power significantly changes at a receiving power of >-19 dBm. The major reason for the slope change in the BER curves is crosstalk between the reflected incoming optical NRZ injection and the output of the VCSEL converted RZ data-stream. With a limited receiving sensitivity of the 10-Gbit/s lightwave receiver (Agilent 83434A), the VCSEL converted RZ data-stream inevitably introduces a noise floor in its BER response. Despite the finite bandwidth set by the homemade VCSEL, this work demonstrates the feasibility of operating the TO-can packaged VCSEL based RZ generator beyond its intrinsic modulation bandwidth with the aid of electrical-pulse modulation and externally optical injection. Most concerns regarding the noisy data-stream output can be addressed if the VCSEL can tolerate a larger bias and thereby achieve a better SNR before breakdown.

Fig. 1. VCSEL based 10-Gbit/s NRZ-to-RZ convertor. Amp: microwave amplifier; MZM: Mach-Zehnder modulator; OC: optical circulator; PC: polarization controller; TL: tunable laser; Att: attenuator; DSO: Digital Sampling Oscilloscope; BER: bit error rate tester; OSA: optical spectrum analyzer.

Fig. 2 BER analysis of the optical NRZ from a externally modulated VCSEL without injection (black), and the generated RZ at 10 Gbit/s from the injection-locked VCSEL at DC bias of 1.2, 1.3, and 1.4 mA.
 

Reference:
Chia-Chi Lin, Yu-Chieh Chi, Hao-Chung Kuo, Peng-Chun Peng, Connie Chang-Hasnain, and Gong-Ru Lin, “Beyond-Bandwidth Electrical-Pulse Modulation of a TO-can Packaged VCSEL for 10 Gbit/s Injection-Locked NRZ-to-RZ Transmission,” Journal of Lightwave Technology, Vol. 29, Issue 6, pp. 830-841, Mar. 2011.

 

 
 
论文题目:次波长周期结构之滤波特性与等效光学参数之研究

姓名:陈于堂   指导教授:林晃岩教授

 

摘要

次波长周期结构(subwavelength periodic structures)在电磁领域具两种功能:可调式择频特性以及提供天然材料中所不存在或不易获得之等效电磁参数;因此,可将次波长周期结构附加于微波、兆赫波以及光波波段之组件中,以增进其效能或提供额外功能。次波长周期结构之滤波特性及特殊等效参数主要来自共振效应。除了来自电磁波与材料本质作用之共振外,还有因结构局限所产生之几何共振、表面电浆共振、Fabry-Perot共振、波导模态共振。另一方面,周期性提供群集效应,不同周期及晶格排列方式则产生晶格共振。若藉由这些不同共振模态耦合则产生Fano共振,可提高次波长结构之设计自由度而增进应用之多样性,然而却也增加了分析的困难度。

本论文首先分析由多个非对称金属导电带所组成之次波长周期结构之多重Fano共振,并藉由电场及表面电流模态了解其Fano共振机制,而此结构可应用于多频带滤波器上。接着,我们设计次波长金属结构于光波段之异常光吸收滤波效应。我们设计由一维复合孔洞所组成之金属次波长光栅,于p极化入射时,在可见光波段中具两高吸收峰值,而在红外光波段中,更具一接近完美之宽带吸收峰值,可应用于光检测器。此高吸收现象之成因与激发金属表面电浆模态有关,我们并讨论在异常吸收时,所激发之特殊表面电浆模态。除了讨论由导体组成之次波长结构,我们亦讨论由高介电常数之介质所组成之二维次波长圆柱结构,并藉由在准静态中利用等效介质理论(effective medium),计算此次波长周期结构之等效材料参数。藉由等效介质理论,计算在准静态中此次波长结构之等效电容率以及导磁率。而此结构在s极化之入射时,有一波段中等效电容率以及导磁率同时为负值,因而具有等效负折射系数。

图一:具Fano共振特性之金属次波长周期结构

图二:具负折射现象之介电质圆柱次波长结构

 

 

论文题目:铟镓系氧化物相变化内存与薄膜晶体管组件之研制

姓名:王菘豊   指导教授:彭隆瀚教授


摘要

本论文以溅镀法生长氧化铟镓材料,深入探讨其生长条件与材料特性。随着制备条件(镀率、氧分压、温度)与制备方式(共溅镀、堆栈结构)的不同,氧化铟镓可由导电材料转变为半导体或绝缘材料。

吾人利用氧化铟低相变化温度的特性研制相变化内存(phase change memory, PCM),同时为了升高组件电阻以降低重置电流,吾人以共溅镀法掺杂少量氧化镓至氧化铟中。将氧化铟镓于低氧分压(<1×10-4托耳)环境下中速沉积(约1Å/sec) 可获得良好的相变化特性,此时电阻率约在1-103 W-cm间。为提供平行的电场分布,使得材料能较容易被均匀相变化,吾人又引入上下双加热柱结构于氧化铟镓相变化存储元件中。完成的具上下双加热柱之内存组件,当加热柱接触面积为6.2 mm2,且氧化镓掺杂比例为0.2%时,则氧化铟镓相变化记忆体操作所需条件如下:写入电脉冲80 ns/ 7.25 V/ 0.8 mA;重置电脉冲20 ns/ 4.7 V/ 18 mA;写入与重置的体积能量密度为1.77±0.11与7.26±0.44 pJ/mm3,结果如图一所示。

而在薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)的制作上,吾人选用绝缘性优异的高介电系数氧化铪(HfO2)材料,以传统原子层沉积法(atomic layer depositon, ALD)制备,选用的条件为基板温度280°C,介电系数27.9,厚度90Å。考虑功函数与金属与氧化物的化学反应性,吾人选用了钼金属作奥姆接触电极,完成的组件具闸极错开式薄膜晶体管结构,并具有7层之氧化铟/氧化镓堆栈结构。组件最高场效载子迁移率mFE可高达51.3 cm2/Vs,同时VTtri = 0.57 V,VTsat = -0.04 V,ION/IOFF > 6×107,S = 0.38V/dec,结果如图二所示。显示本实验室所提出的氧化铟/氧化镓堆栈通道,有助于提高氧化物通道的载子迁移率,使组件特性最佳化。

于本研究中吾人深入钻研氧化铟与氧化镓材料特性,同时于相变化内存与薄膜晶体管组件的制作与量测过程中学习许多半导体组件的分析知识,并获致不错的成果,然氧化物半导体属于新兴起的研究领域,尚待后续研究者继续深入了解其材料与组件特性,并拓展其应用领域。 

图一

 

图二

 

 
 
 

— 数据提供:影像显示科技知识平台 (DTKP, Display Technology Knowledge Platform) —

— 整理:林晃岩教授、陈圣灏 —

奈米微影术—使用传递与消散波 

奈米级的微影术(lithography)技术至今依旧是一大挑战,虽然有不少方法与实验测试被提出,此一问题仍尚未解决,根据Kosei Ueno和他在北海道大学(Hokkaido University)以及日本科技技术中心(Japan Science and Technology Agency)的同事最新的研究结果指出( Appl. Phys. Lett. 99,011107; 2011),利用光阻的双光子化学反应配合电浆辅助蚀刻(plasmon-assisted lithography aided by two photon chemical reaction of photoresist)可能会是一有用之解决工具。

利用电子束以及10 nm的金薄膜所制作成的奈米结构光罩如下图左所示,此光罩被直接贴合在正光阻上,由于光罩上许多结构使得入射光在光罩中产生了复杂的电磁反应,其中包含了在波长为780 nm的共振(此研究中采用中心波长为800 nm的飞秒fs激光)。

虽然电浆蚀刻技术并非一全新技术,但Ueno指出在他们的实验中特别的地方在于曝光光源的使用上选择了高阶多偶极电浆共振( higher-order multiple plasmon resonance)所产生之具指向性散射成分而非局域的消散场(evanescent fields)。

Ueno表示在过去的电浆蚀刻系统中,利用金属奈米结构上之电浆偶极(dipole plasmon)所产生的近场光,虽然可以在光阻上产生(平面方向)奈米级的凹洞,但这些被蚀刻出的奈米图样受限于近场光的穿透深度,于是蚀刻出的凹槽并不深,同时Ueno也指出这些由电浆蚀刻出的图样并不能完全符合光罩预期产生之图样 。

Ueno: 「以上所提到的缺点指出了,要建构出一个实用的电浆蚀刻系统应该要解决的问题,为了克服这些问题,我们提出了一个新的电浆辅助蚀刻技术。」由于使用与多偶极电浆共振辐射模态耦合的具指向性散射成分(非近场光),因此可以在光阻上得到较深的奈米图样。

其团队指出由于光阻图样与光罩上的图样非常类似,且10 nm的宽度都能被明显地蚀刻出,上图右为30 μm × 30 μm的范围内蚀刻的瓶颈状组成之链接图样,结构上的误差约为4 nm。

从实用观点上,此技术主要缺点在于本身为一种直接碰触式( direct contact exposure)的曝光方式(虽然在许多电浆式蚀刻系统中很常见),此团队表示未来将会改良发展成为一套无须直接接触曝光的光蚀刻技术。

 

原文网页 http://www.nature.com/nphoton/journal/v5/n9/full/nphoton.2011.207.html
相关论文: http://apl.aip.org/resource/1/applab/v99/i1/p011107_s1
Kosei Ueno, Satoaki Takabatake, Ko Onishi, Hiroko Itoh, Yoshiaki Nishijima, and Hiroaki Misawa, “Homogeneous nano-patterning using plasmon-assisted photolithography,” Appl. Phys. Lett. 99, 011107 (2011)
   
   
 
 
 
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