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發行人：林清富所長 編輯委員：陳奕君教授 主編：林筱文 發行日期：2011.04.08 |
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本所4月份演講公告：
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講者簡介 |
講題 |
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時間 |
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光電論壇 |
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4/15 (Fri) |
黃煌雄監察委員
台灣研究基金會創辦人
第四屆監察委員
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談台灣精神—從「台灣的孫中山」—蔣渭水世代的追求談起
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博理館
101演講廳
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15:30~17:30 |
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3月份「光電論壇」演講花絮（花絮整理：姚力琪） |
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時間： |
100年3月4日（星期五）下午3點30分 |
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講者： |
陳錫煌老師（國寶級布袋戲大師） |
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講題： |
傳統掌中戲之美 |
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陳錫煌老師是布袋戲大師李天祿的長子，從小跟在父親身邊，耳濡目染下練就了一身好本領，後來又兼容南北各家之長，發展出自成一格的掌中藝術。透過老師的雙手，原本沒有生命的戲偶不但能傳神，更傳遞出其特殊的細膩與精準。陳老師於3月4日
（星期五）蒞臨本所訪問，並於博理館101演講廳發表演說，講題為「傳統掌中戲之美」。陳老師演講內容精彩
，並於現場操作戲偶，本所教師及學生皆熱烈參與演講活動，獲益良多。 |
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本場演講者陳錫煌老師
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3月份「光電所演講」花絮（花絮整理：姚力琪） |
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時間： |
100年3月18日（星期五）下午1點30分 |
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講者： |
Dr. Jeffrey Yang (Vice
President, R&D of United Solar Ovonic) |
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講題： |
S Key requirements for achieving
high-efficiency, multi-junction solar
cells using a-Si:H, a-SiGe:H, and
nc-Si:H on flexible substrates |
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Dr. Jeffrey
Yang於3月18日（星期五）蒞臨本所訪問，並於博理館101演講廳發表演說，講題為「S
Key requirements for achieving
high-efficiency, multi-junction solar
cells using a-Si:H, a-SiGe:H, and
nc-Si:H on flexible
substrates」。本所教師及學生皆熱烈參與演講活動，獲益良多。
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本場演講者Dr. Jeffrey Yang
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國際奈米光電研討會 ～
【International
Nano-Photonics Symposium】
（時間：100年3月15日；地點：臺灣大學博理館101演講廳、201會議室）
花絮整理：吳怡逸
由本所主辦的「國際奈米光電研討會」（International
Nano-Photonics Symposium）已於2011年3月15日（星期二
）在國立臺灣大學博理館101演講廳和201會議室舉行，本研討會為期一天，非常感謝本校李嗣涔校長和國家科學委員會工程處李清庭處長蒞臨現場致詞及演講。研討會內容包含4篇plenary
talk和7篇invited talk，主題分別為Narrow-Band High Power
Infrared Plasmonic Thermal Emitters with
Applications to Biotechnology、Plasmonics:
Spectroscopy and Applications to Nanoscience、ZnO-Based
Light-Emitting Diodes、Plasmonic Optical Disk for
Photocatalytic Chemical Reactor、Nano-Pillar
Surface Scattering induced Depolarization and
Anti-Glare Effects、Efficiency Droop in GaN-Based
Light-Emitting Diodes、Optical Near-Field in
Metallic Nanostructures and Its Applications on
Optical Devices、Modeling of Metal-Cavity Surface
Emitting Lasers、Analysis of Optoelectronic
Properties of the Quantum Dot and Nanorod
LEDs、Metal Nanostructures for Optical
Sensing、Enhanced Performance of Dye-Sensitized
Solar Cells Fabricated with Polystyrene Ball
Embedded TiO2 Pastes。此研討會吸引日本、美國、香港、臺灣等4個地區，共計約250位相關領域人士參加。
本所林清富所長特別邀請大阪大學前瞻光電研究中心 Satoshi Kawata
教授參與此研討會並演講，為了增進本所與大阪大學前瞻光電研究中心（The
Photonics Advanced Research Center of Osaka
University）雙方科學知識及文化傳統整體之交流，以及發展合作計畫，林所長與Satoshi Kawata
教授簽署了「國立臺灣大學光電工程學研究所與大阪大學前瞻光電研究中心（The Photonics
Advanced Research Center of Osaka
University）學術合作協議書」，藉由此次合作也希望能增加本校的國際能見度，提升本校學術國際化的程度。
這次的國際奈米光電研討會圓滿結束，不但促進國內外研究合作外，更讓所有工作人員得到寶貴的經驗，在未來主辦更多國際會議時，能有更完美的表現。在未來的會議中，本所會持續協助本校師生及國內學術界擴大參與各項國際會議，以達到刺激國內外研究合作之目的，往提升國內高等教育為目標前進。
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（左一）本所吳志毅副所長、（左二）國家科學委員會工程處李清庭處長、
（左三）大阪大學前瞻光電研究中心 Satoshi Kawata 教授、（右三）
本校李嗣涔校長、
（右二）本所林清富所長、（右一）本校電資學院孫啟光副院長。
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Research
Accomplishments in 2010, Wide Gap
Semiconductor Laboratory
Professor
Zhe-Chuan Feng
Graduate Institute of Photonics and
Optoelectronics, National Taiwan University
臺灣大學光電所 馮哲川教授
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“Effects of CdCl2
Treatment and Annealing on CdS/SnO2/Glass
Heterostructures for Solar
Cells”, Z.C.
Feng, C.C. Wei, A.T.S. Wee,
A. Rohatgi, W. Lu, Thin Solid
Films 518,
7199-7203 (2010)
-
“m-plane (10-10) InN
heteroepitaxied on (100)- -LiAlO2
substrate: Growth orientation
control and characterization of
structural and optical
anisotropy”,
C.L. Hsiao, J.T. Chen, H.C. Hsu,
Y.C. Liao, P.H. Tseng, Y.T.
Chen, Z.C. Feng, L.W.
Tu, M.M.C. Chou, L.C. Chen &
Kuei-Hsien Chen, J. Appl. Phys.
107, 073502
(2010).
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“X-ray absorption and Raman
study of GaN films grown on
different substrates by
different techniques”,
Y.L. Wu, Z.C. Feng,
J.F. Lee, W. Tong, B.K. Wagner &
I. Ferguson, Thin Solid Films
518, 7775-9
(2010).
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“Influence of hydrogen
implantation concentration on
the characteristics of GaN-based
resonant-cavity LEDs”,
S.Y. Huang, R.H. Horng, Y.J.
Tsai, P.R. Lin, W.K. Wang,
Z.C. Feng & D.S. Wuu,
Semicond. Sci. Technol.
25, 035013 (2010)
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“Room Temperature Deposition of
Al-Doped ZnO Films on Quartz
Substrates by Radio-Frequency
Magnetron Sputtering and Effects
of Thermal Annealing”,
W. Yang, Z. Wu, Z. Liu, A. Pang,
Y.L. Tu & Z.C. Feng,
Thin Solid Films 519,
31-36 (2010)
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“Nonlinear optical properties
and ultrafast dynamics of
undoped and doped bulk SiC”,
Jinliang Ding, Yaochuan Wang,
Hui Zhou, Qiang Chen, Shixiong
Qian, and Zhe Chuan Feng,
Ch. Phys. Lett. 27,
124202 (2010).
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| Z-scans |
Time-resolved OKE |
One/two-color pump-probe dynamics |
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論文題目：半導體自聚性量子點之載子動力學
姓名：蘇立杰 指導教授：毛明華教授
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在本論文中，利用理論模擬以及實驗分析來研究半導體量子點(quantum
dot)內的載子動力學(carrier
dynamics)。首先，我們針對量子點雷射的雙能態激發放光(two-state
lasing)現象來進行理論計算以及實驗驗證。再來，我們建立一套新的時間解析系統-簡併激發偵測光激發螢光系統(degenerate
pump-probe
photoluminescence)來量測量子點的載子生命週期。最後，我們建立一套時間解析上轉換系統(up-conversion)來研究量子點的捕捉時間。
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圖一：量子點雷射的雙能態激發放光 |
圖二：時間解析系統-簡併激發偵測光激發螢光系統架設圖 |
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論文題目：高效率與高色穩定度白光有機發光元件之研究
姓名：蕭智鴻 指導教授：李君浩教授
| 摘要 |
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本篇論文著重於如何控制載子(carrier)與激子(exciton)行為來達到一高色穩定度(high
color stability)之白光有機發光元件(White
OLED)。透過有機薄膜厚度可以控制元件內部電場的分布，進而控制發光元件內部之載子行為(圖一)。因此，降低載子行為對於電場的敏感程度，可穩定不同驅動電壓下之載子分布。再搭配一阻隔層(spacer)來控制激子行為(圖二)，吾人可獲得一高色穩定度之藍綠光元件。其色座標在48.7
-12700 cd/m2範圍內，僅僅由(0.256,
0.465)偏移至(0.259,
0.467)。而以此藍綠光元件為骨幹的白光元件則在1050-9120 cd/m2的範圍內，色座標則由(0.310,
0.441)偏移至(0.318, 0.446)。
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圖一 |
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圖二 |
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資料提供：影像顯示科技知識平台 (DTKP, Display Technology
Knowledge Platform) —
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整理：林晃巖教授、陳韋仲 —
「這就是石墨烯」，美國亞利桑那大學和日本物材研等成功拍到清晰照片
美國亞利桑那大學宣佈，與美國麻省理工學院（MIT）及日本物質與材料研究機構的研究人員合作，成功拍攝了石墨烯的清晰顯微照片。照片是在基板採用如石墨蜂窩結構的六方氮化硼（hBN）薄膜重疊形成所拍攝的，為全球首次拍攝成功。關於該研究的詳細論文已刊登在學術雜誌《Nature
Materials》上。
石墨烯具有多種出色的特性。不過在高載子遷移率等電性方面特性，大多是「無支援（free-standing）」狀態下的量測值。其中無支援狀態是指僅固定石墨烯薄膜的兩端，而其餘大部分並不與基板直接接觸的狀態；而與Si基板和SiO2基板接觸的石墨烯，其載遷移率在1萬cm2/Vs左右，只有無支援狀態下的幾十分之一。這是將石墨烯應用於電晶體所需要解決的重要課題。
最近發現：如果選擇hBN作為基板，就能夠確保石墨烯比較高的電性。英國曼徹斯特大學教授康斯坦丁‧諾沃肖羅夫（Konstantin
Novoselov）在接受《日經電子》的採訪時也表示「把石墨烯放在hBN基板上，傳導長度（比放在SiO2基板上）延長數倍」。
此次由亞利桑那大學教授Brian J.
LeRoy的研究小組用掃描隧道顯微鏡（STM）仔細觀察了hBN基板上的石墨烯。不僅成功拍攝到了清晰的照片，還得出了電子和電洞的遷移程度，約比SiO2基板的上的石墨烯大兩個數量級，與無支援狀態下的石墨烯相當的結果。
目前已知hBN不管層數或形狀都具有5.5eV以上的帶隙，事實上為絕緣體。根據此次的結果，有人提出hBN能夠用作石墨烯電晶體的絕緣層。
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圖一、
hBN基板上的單層石墨烯的掃描顯微（STM）照片。小蜂窩構造是石墨烯。大蜂窩構造是hBN與石墨烯產生的疊紋。照片由亞利桑那大學教授Brian
J. LeRoy提供。
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中文新聞來源： |
http://big5.nikkeibp.com.cn/news/nano/55476-20110303.html |
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論文來源： |
“Scanning tunnelling microscopy and spectroscopy
of ultra-flat graphene on hexagonal boron
nitride”
http://www.nature.com/nmat/journal/vaop/ncurrent/full/nmat2968.html |
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