第六十二期 2011年3月刊
 
 
 
发行人:林清富所长  编辑委员:陈奕君教授  主编:林筱文  发行日期:2011.03.03
 
 
 本所杨志忠教授荣膺「2011 SPIE Fellow」,特此恭贺!

 本所杨志忠、林恭如教授荣获「国科会2010年度杰出研究奖」,特此恭贺!

 本所彭隆瀚教授与毕业生赖建任同学(现为美国麻省理工学院电机系博士生),参与中研院原子与分子科学研究所研究员、清大光电所教授兼所长孔庆昌教授所领导之研究团队,运用「分子调节法」(molecular modulation)与成型辅助式线性交互关连(shaper-assisted linear cross correlationSALC2)技术,成功控制「光场」(optical light field),于光频率范围复制当前微波(microwave)或无线电波(radio wave)制造多种形状电磁波的技术。这项突破性的创新成果将帮助科学家进一步达成全光学波形的合成器(all-optical waveform synthesizer)。此研究论文刊登于2011120日「科学」(Science)的在线版「科学快讯」(Science Express),标题为:「Synthesis and Measurement of Ultrafast Waveforms from Five Discrete Optical Harmonic」。全文可于「科学」杂志网站浏览 :http://www.sciencemag.org/content/early/2011/01/19/science.1198397。中研院新闻连结:http://www.sinica.edu.tw/manage/gatenews/showsingle.php?_op=?rid:3818

本所3月份演讲公告:

日期

讲者简介 讲题 地点 时间

光电论坛

3/4 (Fri)

陈锡煌老师
国宝级布袋戏大师

传统掌中戏之美

博理馆

101演讲厅

15:30~17:30

 

 
 
     

 

~ 2010学年度光电所所学会会长自我介绍 ~

大家好,我是隶属于陈奕君老师实验室的吕孟谦,很高兴有荣幸担任光电所的所学生会会长,为同学们以及师长们服务。其实我对于这样的事务并不陌生,若加上这次,我已经在台大担任过三个社团的社长以及一个副社长,大学期间我即是系上的系学会会长,因此对于如何规划举办同学们间互动的活动,是我驾轻就熟的范畴。

这次可说是因缘巧合,在十月初请所长写推荐函的时候,才决定担任所学会会长的职务,也因此错过了举办每年所上的传统活动—中秋餐会的时间,实在是很可惜。因此接下来的圣诞餐会,很感谢有吴志毅老师、何志浩老师以及林恭如老师实验室热心的所学会干部同学们的帮忙,我们细心规画,希望能做出和往年不一样的圣诞餐会,相信最后来参加的同学们都有度过一个热闹且愉快的圣诞回忆。

而在下学期我们也会筹划举办所上的球类竞赛,让同学们偶尔也能告别机台,在球场上挥洒汗水。希望透过这些活动的规画,能够让同学们多多认识实验室以外的朋友。认真研究之余,也别忘记经营自己的人际关系,也透过这些活动希望能加深同学们对所上的认同感。

不过也由于研究生毕竟与大学部不同,我们只能够做出以不影响研究为前提的适度活动,当然大家本份要顾,但希望我们所学会不但能够扮演好帮助同学们舒压解闷的角色,也能够成为大家与所上伙伴联络感情的平台。

接下来的一学期希望我们所学会能够继续帮助大家在光电所愉快生活,即使在苦闷的实验中,也都能够露出开怀的笑容!感谢大家啦!

 

~ 光电所所学会2010学年度圣诞餐会  花絮报导 ~

时间:2010年12月24日;地点:台湾大学电资学院明达馆3F中庭广场)

花絮整理:所学会会长吕孟谦

今年年底光电所学生会和所办公室,为了犒赏光电所师生一年来的辛苦研究,也同时达到让同学们活络感情的目的,特地选在12月24日圣诞节前夕举办了光电所的师生圣诞餐会。

在所长林清富教授及副所长吴志毅教授的大力支持下,这次餐会让同学们各个都吃饱喝足,还有奖品可以拿。所学会为了活络现场气氛以及让同学们对所上有更深一层的认识,特别筹划了「光电小学堂」问答大赛,同学们的反应相当热烈,大家都以实验室为单位参与激烈的问答竞赛。同学们透过问答活动,间接了解光电所的历史与所上事务的相关常识。同学们都相当喜爱这样类型的活动,不但同时可以与不同实验室的同学作良好互动,同时也对自身所就读的光电所多了深一层的认识。活动最后,胜出的实验室也欢天喜地地将我们的大奖—小冰箱搬回实验室。

所长体恤各位同学的辛苦,还准备了特别的有奖征答,将奖项送给了一位幸运又反应快的同学。除此之外活动最后也抽出许多大奖,而没得奖的同学,所学会也准备了很多圣诞糖果,让来参加的同学们,即使在寒冷的冬天,也可以露出温暖的笑容。大家的脑中都一定还记忆犹新,所长带着大家喊出口号,希望在新的一年大家都可以「前进光电,光明无限」。透过这次活动,把师长和同学间,同学们彼此间的距离都拉得更近,也让光电所的大家,过了一次特别的圣诞节。

吃饱喝足了,大家开始为接下来的有奖征答活动卡位啰!

瞧!抢答的人潮多踊跃啊!


 
 

 第一届海峡两岸光电研习营 

(时间:2010年12月6-8日;地点:台湾大学博理馆)

花絮整理:陈雯萍

「第一届海峡两岸光电研习营」由本所杨志忠教授筹办,于2010年12月6至8日假电机信息学院博理馆举行,计有大陆北京大学、清华大学及南京大学三校9位教师及22位博士后研究员或博士生来台参加。台湾方面计有台湾大学、清华大学、交通大学及成功大学共15位教授及24位博士后研究员或博士生参加。研习营活动包括教师为学员(博士后或博士生)授课、学员以口头表达及墙报展示参加论文竞赛、文化参观访问。海峡两岸光电研习营的举办系一项创举,也是一段摸索的过程,研习营之两岸教师及学员在共通但又不全相同的语文基础上,寻求彼此了解与尊重,进而创造互相协助的契机。

与会人员于博理馆前合影留念
研习营上课情形

学员墙报论文竞赛
 

 

 第一届海峡两岸奈米光子学研讨会 

(时间:2011年1月10-11日;地点:台湾大学博理馆)

花絮整理:陈雯萍

「第一届海峡两岸奈米光子学研讨会」系北京大学物理学院龚旗煌教授与本所杨志忠教授共同发起,于2011年1月10至11日假博理馆201会议室举行。此次交流,大陆代表计有来自北京大学、吉林大学、同济大学、南京大学、南开大学、复旦大学、浙江大学及中国国家自然科学基金委员会等优秀学校或研究单位之学者专家共12位。 台湾方面,则包括了台湾大学、中山大学、中央研究院、交通大学、成功大学、中央大学、台湾师范大学共14位教授参与发表演讲,并进行热烈讨论。

奈米光子学乃新兴奈米科技最重要之一环,其范围相当广泛,本研讨会尚处萌芽阶段,经商议,第一届研讨会的重点议题仅包括surface plasmon, photonic crystal, semiconductor nanostructure及其相关应用。本研讨会有助于双方在学术上之交流及合作,其中参与之大陆自然科学基金委员会之张守着处长,其在大陆之地位类似我们国科会之自然处处长,其于闭幕典礼上表示,台湾之研究应用目标较明确,而大陆之研究较偏重基本学理,这个观察不见得准确,但的确显现两岸交流之功能。

与会学者于博理馆前合影留念

 

教师发表论文

交流及讨论


 
 
论文题目:光纤网络监测技术之研究

姓名:钟国晋   指导教授:曹恒伟教授

 

摘要

在光纤骨干网络中的光信号传输,容易受到光信噪比(Optical Signal-to-Noise Ratio, OSNR)劣化与光纤色散(Dispersion)之影响。对树状架构(Tree-Type)的光纤接取网络而言,由于其网络拓朴的特性,并无法使用传统的方法断路分支。为了使光纤网络能维持好的服务质量,必须利用简单且可靠的监测系统来确保其运作。

本论文提出光纤网络的光路监测架构,其中包含两个部份:(1)眼图参数监测;(2)网络断线侦测。前者内容包含异步眼图监测,其可应用在强度调变(Amplitude-Modulated)与同调(Coherent)光通信系统中;此外本论文也提出在被动光纤网络中,上行信号眼图的监测方法(如图一),与可应用在树状架构的干涉式光纤网络断线监测系统(如图二)。

图一

图二

 

 

论文题目:有机/无机氧化锌奈米复合薄膜光电及电子组件

姓名:李俊育   指导教授:林清富教授


摘要

在本论文中,我们研究了多种奈米结构氧化锌/有机异质接面的光电组件及电子组件,在光电组件研究的部份,我们着重在氧化锌发光组件,包括了以相分离技术制作氧化锌奈米粒子/有机异质接面发光二极管、以干式涂布技术制作单层氧化锌奈米粒子/有机异质接面发光二极管、氧化锌柱数组/poly(3-hexyl thiophene)发光二极管、氧化锌柱数组/polyfluorene白光发光二极管、二氧化钛:氧化锌共轴奈米线/poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrene-sulfonate)发光二极管,在电子组件研究的部份,我们制做了软性氧化锌/polymethylmethacrylate透明晶体管。

图一:The room temperature EL spectra of the ITO/PF/ZnO rod array:SOG/Al device in the dc bias mode under different applied voltage. (The insert is photograph of light emission from the device B under forward bias of 10 V.)

 

图二:(a) Schematic illustration of the ZnO-TFT device structure. (b) The chemical structure of the PMMA. (c) Photograph of the ZnO-TFT.

 

 
 
 

— 数据提供:影像显示科技知识平台 (DTKP, Display Technology Knowledge Platform) —

— 整理:林晃岩教授、陈韦仲 —

英国南安普顿大学利用矩形沟道层达成高导通/截止比石墨烯FET 

英国南安普顿大学(University of Southampton)利用沟道层产生具有电流导通/截止比(Ion/Ioff ratio)为4.8×105的石墨烯FET。其论文已刊登在学术杂志《Electronics Letters》上。在此之前所制作的石墨烯FET之电流导通/截止比以美国IBM所发表的数值100为最高,而此次结果超出该数值1000倍。顺便一提,IBM曾在2010年12月的IEDM 2010上宣布已模拟出利用双层石墨烯FET可实现104左右的电流导通/截止比,但尚未实现。

既不是使用奈米带也没有施加电场

  南安普顿大学电子与计算机科学研究院的奈米研究小组组长兼奈米电子学教授Hiroshi Mizuta(水田博)领导的研究小组表示:获得如此高的电流导通/截止比的方法,既不是使用原来的奈米带(graphene nanoribbons, GNRs),也没有在双层石墨烯上施加高电压,而是利用双层石墨烯的沟道层并弯曲成矩形来达成。

  南安普顿大学使用Ga聚焦离子束(FIB)将石墨烯片加工成宽300 nm、长度20 μm的矩形。生成带隙的原因是由于沟道层弯角的内侧及外侧状态不对称,使得电子形成了准束缚状态。2009年水田的研究小组发表的论文即显示:石墨烯的电气传导特性会受到形状很大影响 ;而此次水田的研究小组更用实际的石墨烯FET证明这一点。

  一般情况下,如果要使石墨烯奈米带(GNR)具有0.5 eV以上的能带隙,奈米带的宽度就需要在5 nm以下。水田表示:「此次沟道宽度高达约300 nm,在没有使用GNR般的量子密封效果下,所生成的能带隙估计为0.25~0.3 eV。」另外栅极电压为4V。

 

图一、 此次制作的石墨烯FET。可见沿矩形沟道层形成的钨丝。左右下方的白色部分为电极板。

 

中文新闻来源: http://big5.nikkeibp.com.cn/news/semi/55181-20110211.html

论文来源:

“A U-shaped bilayer graphene channel transistor with a very high Ion/Ioff ratio”
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5710069

   
 
 
 
版权所有 国立台湾大学电机信息学院光电工程学研究所 http://gipo.ntu.edu.tw/
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