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發行人：黃升龍所長 編輯委員：蔡睿哲教授 主編：林筱文 發行日期：2008.12.04 |
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時間：97年11月14日下午4點30分-6點30分
講者：李天培博士
{Consultant, University of California, Berkeley; Bellcore, US (retired)} 李天培博士於97年11月14日（星期五）蒞臨本所訪問，並於博理館101演講廳發表演說，講題為「The Past, Present, and Future of Optoelectronics for Telecommunications--A Personal Reflection」，本所教師及學生皆熱烈參與演講活動，獲益良多。
時間：97年11月28日下午2點30分-4點30分
講者：孔慶昌教授（中央研究院原子與分子科學研究所研究員） 孔慶昌教授於97年11月28日（星期五）蒞臨本所光電論壇發表演說，講題為「The synthesis of single-cycle optical pulses」，本所教師及學生皆熱烈參與演講活動；孔教授演講內容豐富精彩，演講時面面俱到，和藹可親，與台下聽眾互動極佳，令本所師生獲益良多。
時間：97年11月27日上午9點30分-10點45分
講者：Prof.
L. Jay Guo
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University
of Michigan, Ann Arbor, Michigan, USA) Prof. L. Jay Guo於97年11月27日（星期四）蒞臨本所訪問，並於電機二館142室發表演說，講題為「Nanoimprint technology, organic solar cells, and photonic resonator sensors」，本所教師及學生皆熱烈參與演講活動，獲益良多。
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Temperature-Dependent Stability of On-Plastic a-Si:H Thin Film Transistors Professor I-Chun Cheng's group Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University (e-mail) ichuncheng@cc.ee.ntu.edu.tw 臺灣大學光電所陳奕君教授 We investigated the temperature-dependent stability on the inverted-staggered back-channel-etched a-Si:H thin film transistors (TFTs) made at a process temperature of 150°C on plastic foil substrates. The shift of threshold voltage (Vt) increases with the stressing time and the stressing temperature. Different from TFTs made at temperatures of 300 °C or above, our low-temperature processed TFTs show an abnormal saturation of Vt at 50°C (323 K) in a constant gate-bias stress experiment. Around the same temperature, we observed abrupt increases in both the gate leakage current and the off current. Because of the low process temperature, the gate dielectric is less stable and more defective compared to that made at high process temperatures. A substantial amount of charges, trapped inside the dielectric during TFT fabrication and gate-bias stressing, was thermionically emitted into the channel by the Poole–Frenkel emission mechanism at a stressing temperature of 50°C, leading to the abnormal phenomena.
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論文題目：有機金屬氣相沈積生長氮化銦鎵/氮化鎵量子井之應變操控及其應用
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— 資料提供：影像顯示光電科技特色人才培育中心•影像顯示科技知識平台 — — 整理：林晃巖教授、陳冠宇 —
美國LED大廠Cree公司宣佈，其白光發光二極體實現每瓦161流明的發光效率（Luminous Efficacy，lumen per W），此為業界研發成果中的最高效率。 對照最近各大廠白光LED的研發成果：2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產生138 lm與155 lm（lumen，流明），他們均使用1 mm2 大小的晶片並驅動於350 mA下；Nichia在2006年12月發表150 lm/W白光LED，但驅動於20 mA下，發出9.4 lm；其他一般的照明光源效率請參考表一。 根據Cree的測試，1 mm×1 mm的LED可產生173流明的光輸出，實現每瓦161流明的發光效率，色溫為4689 K。該LED標準測試條件是在室溫條件，驅動電流為350 mA的情況下進行的。 Cree創始人之一的John Edmond指出：「Cree不斷發明、商業化並提供LED照明創新技術，旨在取代效能偏低的白熾燈泡。我們在光通量和發光效率方面的優勢來自於對創新的專注，從而使LED照明技術滿足不斷增長的照明應用，同時節省能源、節約資金並有助於保護環境。」雖然達到這種性能水準的LED目前還沒有量產，但 Cree已出貨了數百萬個100流明以上（且>90lm/W）的照明級XLamp LED，如圖一。
表一、一般光源的發光效率
* As of October 2007
資料來源： http://www.cree.com/press/press_detail.asp?i=1227101620851 http://www.netl.doe.gov/ssl/usingLeds/general_illumination_efficiency_luminous.htm http://www.ledsmagazine.com/features/5/10/5 http://techon.nikkeibp.co.jp/english/NEWS_EN/20061221/125713/
中文新聞： http://www.ledinside.com.tw/news_Cree_LED_20081121
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