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发行人：黄升龙所长 编辑委员：蔡睿哲教授 主编：林筱文 发行日期：2008.12.04 |
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时间：2008年11月14日下午4点30分-6点30分
讲者：李天培博士
{Consultant, University of California, Berkeley; Bellcore, US (retired)} 李天培博士于2008年11月14日（星期五）莅临本所访问，并于博理馆101演讲厅发表演说，讲题为「The Past, Present, and Future of Optoelectronics for Telecommunications--A Personal Reflection」，本所教师及学生皆热烈参与演讲活动，获益良多。
时间：2008年11月28日下午2点30分-4点30分
讲者：孔庆昌教授（中央研究院原子与分子科学研究所研究员） 孔庆昌教授于2008年11月28日（星期五）莅临本所光电论坛发表演说，讲题为「The synthesis of single-cycle optical pulses」，本所教师及学生皆热烈参与演讲活动；孔教授演讲内容丰富精彩，演讲时面面俱到，和蔼可亲，与台下听众互动极佳，令本所师生获益良多。
时间：2008年11月27日上午9点30分-10点45分
讲者：Prof.
L. Jay Guo
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, University
of Michigan, Ann Arbor, Michigan, USA) Prof. L. Jay Guo于2008年11月27日（星期四）莅临本所访问，并于电机二馆142室发表演说，讲题为「Nanoimprint technology, organic solar cells, and photonic resonator sensors」，本所教师及学生皆热烈参与演讲活动，获益良多。
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Temperature-Dependent Stability of On-Plastic a-Si:H Thin Film Transistors Professor I-Chun Cheng's group Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University (e-mail) ichuncheng@cc.ee.ntu.edu.tw 台湾大学光电所陈奕君教授 We investigated the temperature-dependent stability on the inverted-staggered back-channel-etched a-Si:H thin film transistors (TFTs) made at a process temperature of 150°C on plastic foil substrates. The shift of threshold voltage (Vt) increases with the stressing time and the stressing temperature. Different from TFTs made at temperatures of 300 °C or above, our low-temperature processed TFTs show an abnormal saturation of Vt at 50°C (323 K) in a constant gate-bias stress experiment. Around the same temperature, we observed abrupt increases in both the gate leakage current and the off current. Because of the low process temperature, the gate dielectric is less stable and more defective compared to that made at high process temperatures. A substantial amount of charges, trapped inside the dielectric during TFT fabrication and gate-bias stressing, was thermionically emitted into the channel by the Poole–Frenkel emission mechanism at a stressing temperature of 50°C, leading to the abnormal phenomena.
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论文题目：有机金属气相沈积生长氮化铟镓/氮化镓量子井之应变操控及其应用
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— 数据提供：影像显示光电科技特色人才培育中心．影像显示科技知识平台 — — 整理：林晃岩教授、陈冠宇 —
美国LED大厂Cree公司宣布，其白光发光二极管实现每瓦161流明的发光效率（Luminous Efficacy，lumen per W），此为业界研发成果中的最高效率。 对照最近各大厂白光LED的研发成果：2008年9月Philips Lumileds与Osram Opto Semiconductors各发表了140.1 lm/W与136 lm/W且各产生138 lm与155 lm（lumen，流明），他们均使用1 mm2 大小的芯片并驱动于350 mA下；Nichia在2006年12月发表150 lm/W白光LED，但驱动于20 mA下，发出9.4 lm；其它一般的照明光源效率请参考表一。 根据Cree的测试，1 mm×1 mm的LED可产生173流明的光输出，实现每瓦161流明的发光效率，色温为4689 K。该LED标准测试条件是在室温条件，驱动电流为350 mA的情况下进行的。 Cree创始人之一的John Edmond指出：「Cree不断发明、商业化并提供LED照明创新技术，旨在取代效能偏低的白炽灯泡。我们在光通量和发光效率方面的优势来自于对创新的专注，从而使LED照明技术满足不断增长的照明应用，同时节省能源、节约资金并有助于保护环境。」虽然达到这种性能水平的LED目前还没有量产，但 Cree已出货了数百万个100流明以上（且>90lm/W）的照明级XLamp LED，如图一。
表一、一般光源的发光效率
* As of October 2007
资料来源： http://www.cree.com/press/press_detail.asp?i=1227101620851 http://www.netl.doe.gov/ssl/usingLeds/general_illumination_efficiency_luminous.htm http://www.ledsmagazine.com/features/5/10/5 http://techon.nikkeibp.co.jp/english/NEWS_EN/20061221/125713/
中文新闻： http://www.ledinside.com.tw/news_Cree_LED_20081121
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