发行人：黄升龙所长    编辑委员：蔡睿哲教授    主编：林筱文    发行日期：2008.09.03

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最新消息与活动公告

 

     贺！本所孙启光教授获聘为本校「特聘教授」，聘期自2008年8月1日起至100年7月31日止，特此恭贺！

     贺！本所黄建璋教授荣获「2008年度国科会吴大猷先生纪念奖」，特此恭贺！

　

所务公告及活动花絮

　

 8月份光电所演讲花絮

时间：2008年8月11日上午10点30分~11点45分

讲者：Prof. Ray T. Chen (Nanophotonics and Optical Interconnects Lab., Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas, Austin)
 讲题：Silicon- and Polymer-based Nanophotonic Devices for Optical Communications

Prof. Ray T. Chen于2008年8月11日(星期一)莅临本所访问，并于电机二馆142会议室发表演说，讲题为「Silicon- and Polymer-based Nanophotonic Devices for Optical Communications」，本所教师及学生皆热烈参与演讲活动，获益良多。

时间：2008年8月25日下午3点

讲者：何赛灵教授（Joint Research Center of Photonics of the Royal Institute of Technology (Sweden) and Zhejiang University (China)）
 讲题：Improving the performances and functionalities of photonics devices with subwavelength-structures and nanoparticles

何赛灵教授于2008年8月25日(星期一)莅临本所访问，并于电机二馆105演讲厅发表演说，讲题为「Improving the performances and functionalities of photonics devices with subwavelength-structures and nanoparticles」，本所教师及学生热烈参与演讲活动。

　

迈向顶尖大学计划研究成果专栏

　

Ferroelectric nitride-oxide nanowire MOSFET and phase change memory

Professor Lung-Han Peng's group

Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

(e-mail) peng@cc.ee.ntu.edu.tw

台湾大学光电所彭隆瀚教授

    A. Nitride-oxide nanowire MOSFET

    We demonstrated a selective growth of high crystallinity  GaN nanowire (NW) with high channel mobility of 1050cm2/V-s on SiO2/p-Si with optimized VLS growth parameters. Then, we successfully fabricated top-gate GaN nanowires FETs by the photolithography process. High crystalline nanowire approach favors the device scaling of low dimensional n-MOSFET and logic circuitry. Our data from a 60nm diameter GaN top-gated nanowires n-MOSFET exhibit an encouraging gm value of 24mS measured at the device saturation regime. This number is one order of magnitude larger than its competitive III-V compound nanowire transistor. At a moderate 1V gate bias, the device exhibits a current driving density of 60mA, VT to -1.5V, ON/OFF current ratio over 103, and subthreshold swing to 150mV/dec.

　

    B. Nitride-oxide phase change memory

    We report a new type of phase-change materials based upon the compound of In-Ga-O. It is found to exhibit two-order of magnitude resistivity change between the high-resistive amorphous phase and the low-resistive cubic phase at a phase-change temperature ~250°C.  When the In-Ga-O is incorporated  into a nonvolatile phase change memory (PCM) device with a double-heater (DH) structure, it exhibits an on/off resistance ratio of 1000 and cycling over 300 times which are superior to those observed on a single-heater (SH) PCM device. These results, together with a low bias point of 70mA at 6.5 volt and 1.5mA at 3.5 volt, respectively, for set/ reset operation of the DH-PCM device to the crystalline/amorphous state, suggest that In-Ga-O is a promising material candidate for low power application of PCM devices.

　

　

Figure 1 (a) SEM micrograph of a 60nm GaN NW grown on SiO2/p-Si. Inset：High–resolution TEM showing lattice image and spacing of 0.272 nm of GaN NW. (b) electron diffraction patterns revealing six-fold rotation symmetry of GaN and high crystallinity diffraction signals. (c) DC characteristics of top-gate NW-MOSFET. (d) Transfer characteristics of a 60nm-dia. GaN NW-MOSFET.
　

Figure 2 (a) SET / RESET programming R-V curve of 30nm-thick IGO PCM devices with CA~40.1mm2, with the 80ns SET electric pulse at 6.5V/70mA and the 20ns RESET pulse at 3.5V/1.5mA. (b) Cycling-endurance test for the IGO DH and SH PCM devices. The DH-PCM device shows a better performance of cycle-endurance (~300 times) than SH-PCM. The IGO film thickness is 30nm.

　

　

　

　

　

GaN nanorod light emitting diode arrays with a nearly constant electroluminescent peak wavelength

Prof. JianJang Huang

Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

台湾大学光电所黄建璋教授

　We present a practical process to fabricate InGaN/GaN MQW structure using silica nanoparticle nature lithography.  The EL peak wavelength occurs in the range of 478~480nm and 474~476nm for 100nm and 50nm nanorod LEDs, respectively, with injection currents between 25mA and 100mA.  As compared with the significant blue shift in planar structures (from 478nm to 461nm), the piezoelectric field is suppressed on nanorod LEDs since the strain in InGaN layers is relaxed.  We also carried out Raman measurement to study the strain relaxation of the nanostructures.  The Raman shift of nanorods is lower than that of planar MQW structure.  It indicates strain relaxed nanorod light emitting devices are achieved with a nearly constant peak wavelength.

　

Figure (a) Device profiles of nanorod LEDs.  SOG (in pink) is coated between rods as a space and sidewall passivation layer. (b) An SEM image of 100nm-diameter. (c) Comparison of peak wavelengths of conventional, 50nm and 100nm nanorod LEDs. (d) Light emission of a 100nm nanorod LED with an injection current 20mA.

　

　

光电所博士班应届毕业生研究成果专栏

　

论文题目：活体内光学三倍频分子影像显微术

姓名：戴世芃

指导教授：孙启光教授

摘要

我们成功地建立了世界上第一个反射三倍频显微镜，并利用此技术成功地取得活体仓鼠从表皮到真皮中的组织影像。同时我们也发展了奈米等级的三倍频显影剂，例如银奈米粒子、脂质包覆的量子点、脂质包覆的氧化铁粒子。我们成功将这些奈米粒子接上抗体送入不同细胞标定特定的分子，并用三倍频显微术区分出细胞间此分子表现量的差异，使得三倍频显微术具有分子影像的功能。

以三倍频显微术在活体仓鼠口腔内所取得从表皮到真皮的组织影像 。（Scale bar: 40mm）

将脂质包覆之量子点接上抗体送入细胞中，以三倍频显微术侦测不同细胞内Her-2的表现量 。

　

　

光电要闻

　

— 数据提供：影像显示光电科技特色人才培育中心．影像显示科技知识平台 —

— 整理：林晃岩教授、陈冠宇 —

　

南韩LG显示器开发出双板结构的AMOLED面板  

　南韩LG显示器针对OLED面板开发出了称为“DOD”（Dual-plate OLED Display）的新型面板结构，并于SID 2008口头报告3.2中发布。采用这一结构的15吋有机EL面板试制品，也在SID 2008展示会场上展出（如图一）。

　

图一：LG开发出的15吋DOD双板结构OLED面板

　

　具有DOD结构的有机EL面板由两块玻璃底板构成。在一块玻璃底板上形成薄膜晶体管(TFT)，另一块玻璃底板上形成有机EL组件；并采用了TFT数组的阳极与有机EL组件的阴极在面板内部接触的结构（如图二）。该结构时的制作流程如图三所示。南韩LG显示器认为，由于能够分别单独地检查显示组件，因此与原来在一块玻璃底板上形成TFT数组和有机EL组件的有机EL面板相比，能够防止成品良率下降。

　

图二： DOD（Dual-plate OLED显示器）的面板结构

　

　15吋有机EL面板的画素为1024×768画素。画素大小为96μm×297μm，分辨率为85.5ppi。画素开口率为52％。采用从有机EL组件的底板一侧获取光的顶部发光结构。

　

图三：DOD的制造步骤

　

　用一个表总结这个技术的优点。低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的下发光形式：因为下发光，所以开口率太小；因为低温多晶硅薄膜晶体管关系无法做大且亮度不均，只能用到第四代基板。低温多晶硅薄膜晶体管的上发光形式：无法做大；穿透电极为金属，会有能量损耗，减损出光效率。非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)的上发光形式：可大至第八代基板，但一路做上来的良率不高。非晶硅薄膜晶体管的DOD形式：基板可做大，发光OLED与控制TFT分开来制作，可以提高良率。

　

表一：各种TFT技术用在AMOLED上的优缺点比较

　

　

中文新闻出处：

http://big5.nikkeibp.co.jp/china/news/news/flat200805230125.html

　

　

　

健康小站

　

　

饭后来瓶清凉饮料超爽！然后…得肠癌 ？

有此一说

最近看到下列文章有点疑惑，请问是真的吗？

「不要不相信！ 很多人习惯吃饱饭后就来一瓶冷饮，尤其是一些罐装茶饮料，号称可以「去油解腻」。喝下去是很爽没有错，但你有没有想过接下来你的肚子里会发生什么事？！

快动动大脑想想吧！你肚子里的牛排(或是咸酥鸡、卤味…)都是油腻腻的食物，肠胃要消化本来就比较吃力了。现在再倒入一瓶冰水…有没有看过冰箱里面的猪油牛油啊？！你能想象把上面那层白白的凝固油吞进肚子里吗？恶！当你的肠胃里有一块块蜡烛般的凝固油，还去什么油、解什么腻咧！如果只是恶心的话就算了，重点是—会得肠癌！！这些凝固油碰到胃酸会再度溶解成半液状，然后会比固态食物早一步流进肠道里。于是那稠稠黏黏、油不油水不水的物质就会率先被肠道吸收。但是，肠道并没有办法完全吸收排除这些诡异的物质，肠璧绒毛会沾满油脂，就好像冬天要洗牛肉汤的锅子一样，怎么洗都还是觉得油腻腻。而且久而久之这种恶心的东西就会附着在肠道壁上—你总不能往肠子里倒色拉脱吧？！经过经年累月的堆积和质变，这些东西轻则导致息肉，更有可能的是病变成肠癌！

所以赶快改掉这种要命的坏习惯！饭后不要马上灌冷饮，最好是喝点热汤或温开水就好啦！然后平常没事多喝酸奶。酸奶可以让肠道里多点好菌、赶走坏菌，帮你的肠子来个大扫除，让肠道更干净～ 」

KingNet 营养保健咨询营养师回答：
（KingNet 国家网络医院（在线）咨询营养师　陈正育营养师）

关于上述文章(传言)的内容，在下认为其「作者」用心良苦，但太过于「危言耸听」！

饭后立即饮用冷饮的确有碍身体健康。由于人类是恒温的动物，中心体温平均为37.5℃，所以过度地食用冰冷的饮品，就很容易造成生理机能减退。例如：肠胃道消化酵素分泌减少，进而造成肠胃消化吸收功能变差，不想吃饭，体重减轻，抵抗力也跟着变弱。这也就是为什么饭后喝冷饮较被人诟病的原因。

至于，喝冷饮会将猪油、牛油变成固体或半固体的异形物的说法就真的太夸张了！虽说冷饮会影响体温，但却只是暂时性的，毕竟人类是恒温动物，身体有许多生理构造及方法可以立即调整体内温差，使得生理机能能尽快恢复正常的功能，包括肠胃道里的酵素机能—脂解酵素（脂肪分解酵素），它是主要分解脂肪的酵素，经由它的帮忙，肠黏膜组织才能顺利吸收乳糜微粒。换言之，脂肪在被肠子吸收前，就已经被脂解酵素「处理」过了！并不像上述传言说的：「肠道并没有办法完全吸收排除这些诡异的物质，肠璧绒毛会沾满油脂。就好像冬天要洗牛肉汤的锅子一样，怎么洗都还是觉得油腻腻。」；其实，别太小看人体生理的构造，但也别太过于「折磨」你的生理器官。一旦身体在被你反复地「折磨」及「激烈调节」之下，（例如：喜欢冷热食物交换食用）一旦身体突然地无法负荷，那么就有可能让病菌有机可乘，甚至导致任何疾病上身，故不得不小心谨慎。好的饮食习惯，才是最佳的养生之道。

　

本文由【KingNet 国家网络医院】提供

　

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