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發行人：黃升龍所長 編輯委員：蔡睿哲教授 主編：林筱文 發行日期：2008.07.07 |
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時間：97年6月13日下午4點30分~6點30分 講者：Dr.
Jean-Pierre Monchalin
(Group
Leader, Optical Diagnostics of Materials, Modelling and Diagnostics,
Industrial Materials Institute, National Research Council of Canada,
Canada) Dr. Jean-Pierre Monchalin 於97年6月13日（星期五）蒞臨本所訪問，並於博理館101演講廳發表演說，講題為「Optical Coherence Tomography and Ultrasound Modulated Optical Imaging at the Industrial Materials Institute of the National Research Council of Canada」，本所教師及學生皆熱烈參與演講活動，獲益良多。
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∼與南京大學（Nanjing University） 博士生交流活動 2008 ∼
【2008 第一屆臺灣大學—南京大學光學微結構與雷射技術博士生論壇】 （時間：97年5月19日至5月20日；地點：臺灣大學） 花絮整理：光電所博士班學生盧彥丞（代表團學生副隊長） 很榮幸能參加這次和南京大學物理系的交流活動，歷經數月的準備和幾經波折，來自南京大學的老師和同學們終於在五月十八日來到台灣，研討會如期地在十九日展開。這次的交流活動分成三大部分 ：學術研討會、實驗室參觀和文化之旅。行程如下：
在黃升龍所長、林恭如副所長和林筱文小姐的協助，及各位隊員的努力下，這次的交流活動，對南大和台大的同學們而言，均是一個充滿知性及感性、寓鄉土人文於科學交流的旅程。這次參與的同學有：許森明(隊長)、趙家忻、鄭行傑、林昌廷、黃政傑、裴善莊、陳正彬、游政衛和我。李光立因家中突然有事，無法參加交流活動，但我們仍感謝他在籌備期間為我們設討的精美海報及名牌。最後，要感謝的是臨危受命，遞補光立的邱南福學長。
沒吃過豬肉，也看過豬走路。只看過豬走路，大概永遠也不會知道豬肉的味道。相信很多同學對於參加學術研討會已是習以為常的事了，但是，籌備研討會對大多數的同學而言卻是不曾有過的經驗。這次的研討會雖然只是個二十幾人的小型研討會，和國際會議動輒數百人的規模無法相提並論，但藉由籌備這次的研討會和整個交流活動的行程，讓我瞭解到要使整個會議圓滿順利，所要注意的事情是比我一開始預期來的多很多，整個籌備過程對我而言確實是受益良多。另外，看到我們不少同學可以如數家珍地把台北甚至是台灣的特色娓娓道來，讓平日只往返家裡和學校兩地的我感到十分地汗顏。昌廷對新竹一帶的地理位置及台灣產業均相當熟悉；善莊和正彬則對台灣著名的景點及美食瞭若指掌；行傑更是位傑出的導遊，在路上聽他為南大的同學介紹台灣的種種，讓我不得不對他肅然起敬。其實，這次的實驗室參觀和文化之旅，有許多地方是我不曾去過或是很久沒去的，真的要感謝安排行程的同學，安排這樣多彩多姿的行程。經過這次的交流活動，也讓我對生活有著另一層次的體會。
和大陸的學生交流，最敏感的話題莫過於兩岸問題。相信大家也都很好奇，關於這類的話題，我們是如何應對。基本上，不論是這次南大的同學來台參訪還是我們去年去大陸北京、清華大學參加研討會，大陸的同學幾乎都不太會主動提及這類的話題；當然，我們也不會主動去提。這大概就是最近很流行的「擱置爭議、共創雙贏」吧。和他們交流在這方面，真的是須特別小心，深怕一個不小心就擦槍走火，最後弄得不歡而散。有次，我和某位南大的同學在閒聊時，隨口問了他：「這是你第一次出國嗎？」他的表情突然顯得有點錯愕，似乎不知該如何回答，我也旋即發現我問錯話了，未待他回話，我立刻改問「這是你第一次離開大陸嗎？」他才笑著告訴我，這是他第一次離開大陸。除此之外，和大陸的同學相處起來，並不覺得有什麼特別之處，就好像我們平常的同學相處那樣。大家比較好奇的話題，還是目前兩岸的差異，大陸那邊的學制是碩士班三年、博士班三年，和我們這邊碩士班二年，博士班則端看個人造化三到七年的都大有人在。另外，我聽說他們碩士班畢業去業界，好一點的工作的起薪大約有五千人民幣左右；然而，博士畢業留在學校當講師(相當於我們的助理教授)，薪水還不到四千人民幣。這是令我比較驚訝的，在台灣幾乎很難找到碩士起薪比博士高的工作。
最後，就好像昌廷告訴南大的同學，我們在和他們交流的同時，我們自己也在交流。在參加這次的交流活動之前，我們有很多同學其實是本來不認識或是不熟的，因透過這次的交流活動大家才有相聚一起的機會。近年來，光電所和國外大學的交流活動已日益頻繁，然而，本所內的交流活動卻顯得相對匱乏。在繼續和外國大學交流的同時，是否也可以舉辦一些所內的交流活動，或許可以營造所內更優質的氣氛。
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SiGe Based Optoelectronics T. -H. Cheng and C. W. Liu Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University (e-mail) chee@cc.ee.ntu.edu.tw 臺灣大學光電所劉致為教授 It is a long sought goal to integrate ultra-large scale integrated (ULSI) circuits with the electro-optics to possibly overcome the speed limitation of electrical interconnects and to add extra functionalities on Si chip. LEDs and detectors are essential devices to achieve this goal. The most common material systems used for the light-emitting technology are III-V-based systems. However, due to the compatibility with Si electronics, the Si-based light emitters are the holy grails for the full integration of electrical and optical devices. Besides the 1.1μm infrared emission from Si band edge, the addition of Ge into Si can tune the optical characteristic to longer wavelength infrared emission from ~1.1μm to ~2.2μm wavelength (Fig. 1). The wavelengths of ~1.3μm, ~1.5μm, and ~2.2μm infrared have been achieved by Si0.8Ge0.2 Quantum well, Si0.45Ge0.55 quantum dot, Si/Si0.2Ge0.8 type-II heterojunction MIS LED, respectively. Moreover, due to the high carrier mobility, strong photon absorption, and possible integration with Si, the Ge based optoelectronic device also attracts great interest for scientific research and practical applications, recently. We develop successfully a Ge MIS tunneling diodes to serve both as a light emitter (~1.8μm) and a photodetector at a suitable bias.
Figure 2 shows the EL spectra from an Al/SiO2/Ge MIS tunneling diode under continuous-wave operation at room temperature. The simulated line shapes from the electron-hole-plasma recombination model have a good agreement with the experimental data. The extracted band gaps using the electron hole plasma model are 40 meV lower than the Ge band gap obtained from Varshni’s equation from 65 to 345 K. This energy reduction is due to the longitudinal acoustic (LA) and longitudinal optic (LO) phonon replica in the radiative recombination, the band gap renormalization, and a significant amount of heat locally at the high injection current density. The inset of Fig. 2 depicts the schematic band diagram of the MIS tunneling diode for EL operation. At the positive gate voltage, an accumulation layer of majority electrons is formed at the Ge/SiO2 interface. The tunneling holes from the Al electrode recombine with electrons accumulated at the Ge/SiO2 interface and result in the radiative EL. Interface roughness, phonons, and the spread in k-space due to localized electrons can provide the extra momentum during the electron-hole-radiative recombination to emit the photons.
When the MIS tunneling diode is biased at the inversion region, it can serve as a photodetector. The typical dark and photo currents of a bulk Ge (100) MIS photodetector under different wavelength exposures are shown in Fig. 3. The Ge MIS photodetector has a responsivity of 0.180 and 0.053 A/W at the wavelengths of 1310 and 1550 nm, respectively. The main reasons for the smaller responsivity in the MIS structure are the interface states at the insulator/semiconductor interface and the larger light reflectance of Al electrode. The inset of Fig. 3 shows the band diagram of the Ge MIS photodetector at inversion bias. The inversion bias can cause the deep depletion region to collect the photo-generated carriers. The minority carriers are generated in the deep depletion region, tunnel from the active absorption layer to the Al gate electrode via the trap-assisted tunneling of the LPD oxide, and form the photocurrent.
Data communication between the Ge MIS LED and the Ge MIS photodetector is also demonstrated up to 15 Mbit/sec. The speed limitation is mainly due to the function generator in our system and can be enhanced with the high-speed modulator or detector. Other photodetectors such as GOG (Ge-on-Glass), GOI (Ge-on-Insulator), and GOP (Ge-on-Polyimide) are also developed to reach the goal of low cost, high speed, and extra functionality by wafer bonding and smart-cut technique. Figure 4 shows the photograph of flexible GOP structure. The thickness of the transferred Ge layer is about 1.6 μm, and the surface roughness of the GOP structure is ~ 11 nm after the smart-cut process. Al with a ring area was evaporated on Ge. Since the Al ohmic contact has a large area (>0.1 cm2) and the barrier height between Al and Ge is small (0.1 eV), the effect of contact resistance is small. The low-temperature (50℃) liquid phase deposited (LPD) oxide and Pt gate were used as the gate stack inside the Al ring.
As time goes by, the solar cell plays a more and more important role to solve the energy crisis problem. In order to enhance the efficiency of solar cell, the simulation of optimized grid space, nano-texture structure, and external strain are added on the solar cell. The optical methods such as photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) are used to analysis the characteristics of solar cell. Minority carrier lifetime and diffusion length can be measured by temporal response of the electroluminescence and laser beam induced current (LBIC) to analysis the solar cell characteristics.
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論文題目：具液晶玻璃態及非晶態有機半導體之双極性載子傳輸特性研究 姓名：陳俐吟 指導教授：吳忠幟
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— 資料提供：影像顯示光電科技特色人才培育中心•影像顯示科技知識平台 — — 整理：林晃巖教授、陳冠宇 —
2008 SID研討會焦點之一的“氧化物半導體IGZO（In-Ga-Zn-O）”技術，日本只有佳能和東京工業大學小組的1件發表，其他全部來自台灣大學與南韓的企業和研究機構。而且南韓廠商發表之目的明確為：“實現大螢幕有機EL電視必需的大面積TFT底板”（南韓三星SDI）、“實現82吋4K×2K TFT液晶面板的240Hz驅動”（南韓三星電子）。儘管IGZO材料是日本東工大教授細野秀雄開發出來的技術，但眼看著“為推動該技術在顯示器上的應用而積極地進行研究和開發的卻不是日本”的情景，仍然令人感到震驚。 與現有的低溫多結晶矽（p-Si）TFT等矽半導體相比，氧化物半導體TFT的生產工藝簡單，製造成本也非常低廉。由於有機EL面板在成本競爭能力上較液晶面板弱，因此，利用氧化物半導體TFT開發有機EL面板成為降低成本的一個重要手段。另外，氧化物半導體TFT的電子移動度比非晶矽（a-Si）TFT高20倍，因此顯示性能也較高，並可以實現圖像的高解析度（因為高電子移動度可以提升開口率）。南韓三星SDI開發出了採用氧化物半導體IGZO材料TFT的 12.1吋有機EL面板，在目前使用了氧化物半導體TFT製程技術的面板中，該產品的尺寸及解析度均為最大。 在SID 2008研討會上該公司公佈了技術細節（演講序號：3.1）。此次開發的有機EL面板的畫素為1280×768畫素（WXGA），解析度為123 ppi（圖1）。亮度為300 cd/m2，對比度為20000：1。採用底部發光結構，光從TFT底板取得。有機EL材料採用的是低分子材料，但紅色用磷光材料，綠色和藍色採用螢光材料。TFT的光罩數量為7片，畫素大小為69 μm×207 μm，畫素電路由2個TFT和1個電容器構成。閘極(gate)、源極(source)及漏極(drain)的電極材料採用Mo，閘極絕緣膜採用SiOx/SiNx，並使用了現有的光刻製造技術。IGZO TFT的遷移率為17.2 cm2/Vs，開關比大於108，亞閾值斜率（subthreshold gate swing）為0.28V/decade。三星SDI指出，採用IGZO的TFT其優勢在於可以著手量產大尺寸玻璃底板，使用此次的TFT製作方法，甚至可以支援第8代底板。
部分段落修改自中文新聞： http://big5.nikkeibp.co.jp/china/news/news/flat200805230124.html
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含氟牙膏對青春痘不好？
有此一說： 請教醫師幾個問題，最近看到新聞在報說刷含氟牙膏會讓長痘痘的情況更嚴重是真的嗎？那如果停用含氟牙膏之後會改善的是全身會長痘痘的地方還是只有臉部頸部而已 ？另外要如何判斷自己是否為油性膚質，謝謝！
KingNet
皮膚科醫師回答：
含氟牙膏會讓長痘痘的情況更嚴重，是真的！
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所務公告及活動花絮
