发行人:黄升龙所长    编辑委员:蔡睿哲教授    主编:林筱文    发行日期:2007.10.05

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最新消息与活动公告

 

   2007学年度第1学期网络选课加退选开放时间:926日~106

国立台湾大学2007学年度第1学期网络选课加退选开放时间为2007年9月26日至10月6日(10月6日周六中午12时截止),请同学务必把握时间,替自己的课表做最妥善的安排。10月8日(周一)下午三时起可上网确认选课结果。

 

所务公告及活动花絮

 

9月份「光电演讲」演讲花絮

时间:2007926日下午4

讲者:Dr. Lars Zimmermann (Technical University of Berlin)
讲题:Silicon-on-Insulator Rib-waveguide Technology

Dr. Lars Zimmerman2007926日(星期三)莅临本所访问,并于电机二馆142会议室发表演说,讲题为「Silicon-on-Insulator Rib-waveguide Technology」,本所教师及学生皆热烈参与演讲活动,获益良多

 

光电所所学会2007学年度迎新暨中秋联欢活动

(时间:2007年9月21日;地点:台湾大学电资学院明达馆3F中庭广场)

~所学会会长颜俊翔~

本次为光电所一年一度在中秋节举办的联欢活动,这活动也是本学年第一次大型的光电所学生活动。

贵宾电机系胡振国主任致词。

本次活动参加人数破往年纪录。精致的中式餐点,让大家眼睛都为之一亮,丰盛程度以及份量大家都相当满意。

光电所学生会大手笔的准备大家最喜爱的3C产品以及精美纪念品,请到场老师们帮我们抽出各奖品的幸运得主。

本次场地布置完全是由工作人员手工制作。

本次活动筹备不易,但因为各位老师以及厂商的赞助,活动总算圆满完成。感谢电机系胡主任、本所黄升龙所长及所上各位老师共襄盛举。此外,感谢相关厂商的赞助如下

1. 宏惠光电5000元整

2. 铨州光电2000元整

3. 钛思科技:月饼2

4. 民全书局:参考书2

5. 光电产业协进会:水晶钟7座、计算机包1个、激光笔2

本次活动工作人员共20人,工作人员在活动规划、活动宣传、场地布置、以及场地的清理工作上都尽心尽力,感谢各位工作人员的大力协助,才能让活动顺利完成。

 

特别报导

 

~与新加坡国立大学(National University of Singapore

博士生交流活动计划  系列报导~

Optoelectronics Student Exchange Workshop

(时间:2007年6月26日至7月1日;地点:新加坡国立大学)

之五

撰文:光电所博士班学生黄敬舜

光电所与新加坡国立大学研究生交流学术研讨会于2007627日于新加坡国立大学举行。此次交流活动研讨会以双方研究生为主,双方各派代表主持会议,会议发表人也都是以研究生为主。

新加坡国立大学参与此次交流活动的教授与学生们皆热心地招待并打理我们在新加坡这几天的行程与食宿。在研讨会与会外活动上,也大方地与我们交换专业与业余方面的意见。

此次会议的内容,大致分成三个session,第一个是与氮化物相关的session,第二个session是与波导、激光、及显示光学相关的session,第三个session则是与奈米结构及制程相关。

在二十分钟的口头报告中,内容包含介绍自己实验室与个人研究题目。对双方的研究生而言,大多数人是第一次发表如此长的英文口头报告,除了发表自己学术研究上的成果外,还需简介自己所属实验室的研究方向与贡献,大家都以谨慎的态度准备并完成此次的演讲。我个人是在第三个session中给一个与氧化锌奈米结构相关的演讲。由于在光电所里几乎找不到跟我研究主题(氧化锌奈米线)相关的同学,因此常常因没有可讨论的对象苦恼不已,然而在这个session里,我研究的主题恰与新加坡国立大学的一位学生相同,让我真觉得找到知己了,接下来的几天我们常常在一起讨论彼此的研究心得,也交换彼此的MSN,好使回国后能继续有联系。与会学生中,虽然研究背景不尽相同,但是大家都能勇于提出问题,互相切磋。会议结束后紧接着是新加坡国立大学大型实验室的参访,包括新加坡国立大学内的IMRE (Institute of Material Research and Engineering)、硅奈米组件实验室(Silicon Nano Device Laboratory)、光电中心(Center for Optoelectronics)、激光加工实验室(Laser Microprocessing Laboratory)与位于附近的南洋理工大学内的SIMTech (Singapore Institute of Manufacturing Technology)Institute of Microelectronics等。此次参访让我们体验到新加坡的研究环境以及研究精神。在一般薄膜沈积与组件特性量测方面,跟台湾大学实验室的设备差不多。但是他们如生产线般的chambers与量测组件lifetime的设备是在台大没有的,也令我们诧异不已。新加坡国立大学的研究与实验空间相当宽敞,实验设备却一点也不少,他们虽自嘲研究设备比学生还多,但他们对实验环境品质的用心令我们自叹不如,例如机台都有专任技师负责维护保养,而无尘室里面能维持得非常清洁、实验设备也整理得井然有序,也是我们能学习的地方。

虽然为了准备本次交流活动,大家的心情都是兢兢业业、紧张且兴奋,但是结果却是非常丰硕。在四天学术思考、文化风俗、语言沟通的冲击下,大家都以满载而归的心情回国,也踏出了我们研究生国际观的第一步。

在这次交流活动中,有次谈话内容让我印象非常深刻,就是在讨论到大家出国开研讨会或是参观等,我发现新加坡国立大学的学生有非常多的机会能到国外去开开眼界,并且与同领域的其它研究者互动。我觉得在台湾大学迈向国际化一流大学的路上,学校应该要更支持、鼓励研究生与国外学者交流。

这次交流活动能够顺利完成,要归功于同行的二位教授:杨志忠前所长、黄升龙所长在会议上、生活上辛苦地指导并照顾我们,此外,也要感谢光电所办公室林筱文小姐在事前帮我们代表团做的完善准备,还有队长黄吉丰的带领与跟新加坡国立大学代表的交涉协商。虽然这次只是第二届的交流活动,但我认为这次的活动对在台湾攻读学位的研究生是相当有意义的,对我们的脑力、交流沟通的激荡更胜于参加一般国际研讨会。希望这类的活动能够常常举办,让所上的学弟妹也能开开眼界,交流学习。

 

之六

撰文:光电所博士班学生许森明

首先感谢光电所举办此交流活动,也感谢老师张宏钧教授的推荐让我得以参加此活动,因为这样的交流活动提供了一个宝贵的机会让我在从事本身的研究工作之外,可以代表光电所进行学术交流。

在参加此次「与新加坡大学博士生交流活动」之前,就曾耳闻新加坡对于研究环境的重视与对于研究仪器设备的投入,因此在获得通知获选为代表团成员之一后,即相当期待这次交流活动。当然,因为这样的活动旨在从事学术交流与经验学习,且必须担任起主动为光电所进行外交的责任,因此除了感到兴奋外,也感觉到些许压力,随着每次行前会议的召开,整个交流活动的相关事宜与准备工作渐趋完整,终于在626日,我们怀着既兴奋又紧张的心情出发前往新加坡,正式展开「与新加坡大学博士生交流活动」之旅。

627日的Optoelectronics Student Exchange Workshop是此次活动的重点之一,每位代表团学生成员需要准备二十分钟的英语演讲,内容包括本身实验室简介与个人研究成果报告,这对大部分的代表团学生成员应可算是一个挑战,因为新加坡方面的学生在日常生活中已相当熟习以英语沟通,所以相较起来,在英语能力的掌握上我们确有不足之处,这亦是我本身在此交流活动中感受到的第一个震撼,英语沟通能力的差距确确实实存在,在迈向国际化的过程中,这的确是每个意识到自己本身英语能力不足的人所需下工夫跨越的藩篱。虽然对英语能力的掌握不如新加坡方面,但我方代表团学生成员仍以兢兢业业的态度完成演讲,将实验室与个人研究工作和与会者分享交流,此次会议的内容相当丰富,包括GaNZnO等材料长晶、制程、特性分析,LEDLCD等相关议题以及波导与光子晶体之仿真设计等,讨论也相当热烈,在会议休息时间也可见双方学生互相讨论交流,可见双方对于彼此研究内容的肯定与兴趣。

参访新加坡国立大学及新加坡国家重要光电相关研究单位与实验室是本次活动之另一重点,为期两天的参访过程,我们有机会参观Institute of Material Research and Engineering (IMRE)里的重要实验室,IMRE成立于1996年,隶属于Agency for Science, Technology and Research (A*STAR),主要研究方向包括Materials Science and Characterisation, Micro- and Nano- Systems, Molecular and Performance Materials, Opto- and Electronic Systems,也参观了同样隶属于A*STARSingapore Institute of Manufacturing Technology (SIMTech), 包括其中的Optical Systems Laboratory, Ultra-short Pulse Lasers Laboratory, Optoelectronic Thin Film Devices Laboratory。另外亦参观新加坡国立大学内的Silicon Nano Device Laboratory, Center for Optoelectronics, Data Storage Institute, Laser Micro Processing Laboratory等重要单位。在参访这些实验室的过程中,我们确确实实见识到新加坡对于研究环境的重视,尤其在研究仪器设备的投资与建置方面,宽敞的实验室、完善的实验仪器设备、侃侃而谈的未来计划,都让人留下深刻印象,也在在提醒着来自台湾的我们思考一个问题:应该如何发挥我们本身的优势来面对世界级的竞争。

礼记学记:「独学而无友,则孤陋而寡闻」,而此次交流活动正提供了一个相当好的机会,让我们在从事本身研究工作以外,可以在新加坡认识许多新朋友,交换彼此的生活经验与想法,看看别人想想自己,在认识新朋友的同时,其实也是重新检视自己优势与劣势的好时机。也许以后会和这几位朋友在某个研讨会再度见面,共同回忆这次成功的交流活动。当然,藉由参与此次活动,很荣幸可以与其它七位同为代表团学生成员的博士生更为熟悉,谢谢你们。

最后,感谢光电所杨志忠前所长与黄升龙所长引领我们成功完成此次深具意义的交流活动,从交流对象的确定、经费的争取、行程的规划,乃至于交流活动期间的指导与照顾,老师们都付出相当多的心思,当然也要感谢所办林筱文小姐及双方学生代表为此活动所付出的心力,才能让活动如此成功。希望如此有意义的交流活动可以一直持续下去,让更多光电所的学生可以亲自体验与学习。

 

 

赴北京参加「国际奈米光电子学研讨会」

iNOW, International Nano-Optoelectronic Workshop

— 系列报导 —

(时间:2007年7月29日至8月7日;地点:北京清华大学、北京大学)

之四

撰文:光电所博士班学生洪士哲

很高兴有机会参加这次的国际奈米光电子学研讨会,与一般的研讨会不同的是,这是固定的一群人在同一个地点举行的研讨会,并且邀请了许多知名的学者前来指导,所以大部份的时间都在听演讲。

演讲的部份,请来了各国知名的学者,包括美国、德国、法国、日本及韩国等地方的学者。除了聆听其学术上的知识以外,也目睹了大师们的风采。每一位演讲者报告完了,有提问题的时间,这是我认为最精采的部份了。教授们总是能找到报告的问题所在,甚至站在更高的位置,讯问更深一层的问题。会议中皆用英文沟通,答非所问似乎也发生在这次的会议中,有时是因为确实不了解提问人的问题,有时则似乎是因为语言的关系。这让我觉得英文实在非常重要,关系着能不能沟通。

除了invited speaker的演讲以外,是学生们三分钟的口头报告。与会的同学,大部份皆为博士生,大家皆尽其所能地报告完自己的研究成果。三分钟其实很短,我在报告时只介绍了成果中比较概念性的部分来报告,但后来发现大家充分利用三分钟的时间尽可能地报告得深入一点。我才发现我报告得不太完整,似乎低估了大家的理解力,这是我觉得比较遗憾的一点。听着大家的报告,也有另一个不错的收获,就是了解各个国家学生的程度,可以做个比较,知道别的国家的实验室都做什么方向的研究比较多,知道各国大学的学生是不是有想法、有内涵的。

这次的研讨会很大的一个优点是同一群人整天都在一起,所以大家会变得比较熟。再加上这次与会的人很多是大陆的学生,语言沟通上更熟悉,所以可以交到不少研究上的朋友,而且大家在不同国家、不同的实验室,可以互相交流,对于学术上很有帮助。

除了学术上的交流外,会议也安排参观长城等名胜古迹,让第一次到大陆的我,感受了一下中国的历史文化,也挺不错的。

这次的研讨会,让我接触到光电领域其它的研究方向,我觉得虽然是不同的研究领域,但其它研究领域的一些想法,对于自己的研究领域也十分有帮助,让我不是只局限于自己的圈子里,可以看到外面的世界,真的是受益良多。充电之外,又可以回到自己的实验室继续加油了。

 

之五

撰文:光电所博士班学生李正匡

周日下午抵达北京,第一个印象就是灰蒙蒙的天,原本以为是雾气,但是一问之下才知道是建设过程中的空气污染与沙尘暴;搭着从首都机场往清华大学的路上,一路上也看到北京为了2008年奥运所做的建设,许多的高楼、现代化建筑、鸟巢体育馆;我大约在七年前大二时有来过北京一次,印象中的北京古色古香,高楼不多,道路上满满的自行车;和这一次来时的感觉完全不一样,所以在污染的空气中,同时也感受到了北京快速地进步着。

到了清华大学,负责接待我们的学生江洋和仁凡忙碌地帮我们打点着住宿的事宜,这次iNOW会议让所有参加的外来学生都住在同一栋学生宿舍「紫荆公寓」中,大伙每天早上一起在学生餐厅「芝兰院」吃早餐,一起搭车去会场,开完会一起搭车回来,无形之中增加很多很多彼此交流与互动的机会,也因此结识了很多朋友,是这一次会议最珍贵的收获。

周一、周二、周三这三天会议都是在清华大学的Future Internet Technology Center (FIT)大楼举行,这栋大楼据说是李嘉诚为了推动中国网络技术的研究而捐资建设的。会议每天的流程,早上都是由两三位invited speaker45分钟或90分钟的演讲,像是Dieter BimbergYasuhiko ArakawaDennis Deppe等人,主题则以Quantum DotsQuantum WirePhotonic Crystal等等Nano-photonics相关的题材为主;周一、周二下午则是Poster SessionCompetition,每个下午会有30位左右的学生上台作三分钟的poster introduction,再加上周五在北京大学会议的下午也有一场Poster Session,算算总共将近有100个学生。

图一、二:吕志锋、洪士哲在红剧场的帅气留影

这次大会在议程的安排上相当用心,除了会议之外,还办了许多参观表演与观光活动,像是周二的晚上,安排我们到北京在外国观光客间相当有名的「红剧场」欣赏中国武术结合舞蹈以及舞台剧的表演「功夫传奇」,其中相当有趣的地方是为了要让从各国来的观光客都能够欣赏这出表演,剧中的少林寺武僧、方丈、主角等人的对话竟然是用英文,然后在舞台的上方悬挂的LED看板则同时打出中文字幕,看少林寺武僧用英文对话,嗯颇有种不太协调的趣味。

周四早上的活动则是安排去爬慕田峪长城,在长城脚下的观光摊贩见识到了商人「乱开价」的功夫:同行从Berkeley来的韩国朋友David在摊位前停下脚步看到一组长城纪念套币,感觉好像还蛮喜欢,老板说:「Fifty.」,David笑了一下没有回答,老板马上说「Forty-five, ok?」,David把套币翻了两圈还没有要买的意思,老板立刻改口「Forty! Forty!」,然后David把套币放下来,老板就说「Thirty-five!」,David转身准备要走,老板一急抢着说「Thirty!!!」,急速降价的过程一直到最后David走离了摊子约莫5公尺,老板远远地喊出最后一个数字—「Fifteen!」,我在旁边看看心想「从50元,变成15元」,而且是在一句杀价的话都没有说出口的状况之下,深深的了解来到大陆风景区不杀价是冤大头;从长城脚下入口处到长城上还有一段不短的山路,光是爬到长城上就花了将近半小时的时间,所以后来在长城上拍拍照、眺望塞外风景后,想到要沿原路爬下去就累,不过有个贴心的设计,可以坐缆车慢慢下去或是用轨道滑车一路溜下去,我们一行人几乎都用轨道滑车溜回去,虽然感觉有点危险,不过还蛮刺激的。

图三、长城上合影留念

周五开始接下来的三天,会场改在北京大学,由于我是被排在周五下午的Poster Session要上台演讲,所以爬完长城的晚上(周四)紧张到睡不着,心里七上八下地跳舞着,而且同行的吕志锋学长和洪士哲也陪我在Cargo做上台前的预演练习到凌晨三、四点,真是辛苦他们了,也幸好准备充份,在周五Poster Session中的表现自己还算满意。周五的晚上,大会则是安排我们到北京著名的「老舍茶馆」欣赏许多传统技艺的表演,有京剧霸王别姬、四川变脸、说书唱戏、口技皮影戏等等很多精彩的节目。

周六的会议结束之后,傍晚我们参访了北京大学的光通讯系统国家重点实验室,由徐安士教授和他的博士班学生为我们介绍他们现在在光通讯方面的研究与发展,也感受到他们学生积极努力于研究的冲劲;晚上承蒙清华大学张汉一教授的招待,在王府井大街的全聚德品尝著名的北京烤鸭,让人齿颊留香,彷佛来到了天上人间一般的享受,烤鸭和沾酱MIX在一起青春洋溢的滋味久久还是让人回味无穷美不胜收,同行的黄建璋教授也难得展露了年轻的一面。

周日最后的Award Banquet颁奖,在学生的Poster竞赛中,吕志锋学长赢得冠军、我也很幸运的拿到了佳作,算是这次会议另一个让人意想不到的收获,在此我要非常感谢所长给了我这一次参与iNOW的机会,也非常感谢筱文小姐为我们尽心的安排出国的事宜,也感谢吕志伟学长杰出的研究结果让我在这次的报告中能获奖,最后要感谢校方的补助,让我们这次能有丰富的收获。

图四、Award Banquet 获奖合影留念

图五、清华FIT大楼前合影:(自左而右)洪士哲、吕志锋、卢彦丞、杨志忠教授、李正匡、黄建璋教授

 

迈向顶尖大学计划研究成果专栏

 

Observation of 394 nm Electroluminescence from Low-Temperature Sputtered n-ZnO/SiO2 Thin Films on top of the p-GaN Heterostructure

Professor JianJang Huang

Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

台湾大学光电所黄建璋教授

ZnO, with a large direct bandgap of 3.37eV, is a promising material for ultraviolet (UV) light emissions or photo detections. It possesses unique characteristics such as a large exciton binding energy of 60meV (versus 26meV for GaN), easy processing due to amenability to conventional chemical wet etching, and the possibility of low-temperature growth.

In this work, we fabricated an n-ZnO/SiO2/p-GaN light emitting diode with 394nm UV light emission.  We compare samples with and without a SiO2 current blocking layer.  With a SiO2 layer, EL spectrum shows a sharp emission peak at 394 nm. The 394 nm peak is attributed to the recombination of accumulated carriers between n-ZnO/SiO2 and p-GaN/SiO2 junctions.  As for the sample without a SiO2 layer, only the 400-800 nm broad band is observed, which is due to Mg+ deep-level transition in the GaN and defects related recombination in the ZnO layers.

(Upper figure) Energy band diagram of n-ZnO/SiO2/p-GaN LEDS.  (Lower figure) EL spectra of n-ZnO/SiO2/p-GaN LEDs with different SiO2 thicknesses.  The bias current is 20mA.  The EL intensity is expressed in linear scale.

EL spectra of a ZnO-GaN LED (a) and a n-ZnO/SiO2 (3nm) /p-GaN LED (b). The bias current ranges from 5mA to 30mA at a step 5mA.

 

Analysis of the Inter-Channel Response in a MEMS 1xN2 Wavelength-Selective Switch (WSS)

Professor Jui-che Tsai

Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

台湾大学光电所蔡睿哲教授

Dynamic wavelength-selective switches (WSS) have been of great interest as they integrate wavelength demultiplexing, switching, and re-multiplexing functions in compact packages. They also enable management of optical networks at the wavelength level and are the building blocks of wavelength-selective crossconnets (WSXC). A wavelength-selective switch can be realized by various distinct techniques, such as the free-space MEMS (micro-electro-mechanical systems) optical system with a tilting-micromirror array, the hybrid PLC (planar lightwave circuit)-MEMS architecture, and liquid crystal-based modules.

Until now, the maximum output port count for a free-space MEMS 1xN WSS with a one-dimensional (1D) collimator array is N = 4. The port count can be increased from N to N2 by using a two-dimensional (2D) collimator array in conjunction with a two-axis beam-steering mechanism. The two-axis beam steering is implemented by either two linear arrays of one-axis analog micromirrors with orthogonal scanning directions, or a monolithic two-axis MEMS scanner array.

In our previous study of free-space MEMS 1xN2 WSS, we observed a large inter-channel response at a horizontal output port which is aligned with the input along the dispersion direction. The inter-channel response is undoubtedly undesirable for optical communication. It is preferable to suppress the inter-channel response, therefore maximizing the pass and stop bandwidths, allowing for channel misalignment due to laser drift from the ITU grid, and relaxing packaging requirements. We have developed a theoretical model based on Fourier optics and the power-coupling overlap integral. The inter-channel response in a MEMS 1xN2 WSS is investigated and it, according to the simulation results, depends significantly on the output port location and the radius of curvature of the micromirrors. A simple solution is then proposed to suppress the inter-channel response in a 1xN2 WSS. It can be achieved by rotating the 2D collimator array such that no output port is aligned with the input along the dispersion direction. With 20° rotation, 10-dB and 8.2-dB suppressions are demonstrated theoretically and experimentally, respectively, for a prototype system.

Figure 1 Schematic of the 1xN2 wavelength-selective switch (WSS) with a rotated 2D collimator array. A two-axis analog micromirror array is used for 2D beam steering.

 

Figure 2 The simulation result for R (radius of curvature of MEMS mirrors) = 10 mm. Output spectra are calculated for 0°, 10°, and 20° rotations of the collimator array.

© 2007 Optical Society of America, Inc.
J. C. Tsai et al., “Analysis of the interchannel response in a MEMS 1xN2 wavelength-selective switch,” OSA Applied Optics, Vol. 46, No. 16, pp. 3227-3232, June 1, 2007.

 

实验室介绍

 

光电材料组件分析仿真实验室---吴育任教授

本实验室目前仍在草创的初期,目前主要专注在分析模拟宽能隙半导体材料以及铁电性材料的应用及分析,目前发展的重点如下:

高功率白光二极管的模拟分析设计

目前以nitride为基础之半导体,其发光的范围涵盖紫外光到红外线,理论上是非常理想的发光材料,尤其在能源危机的状况下,白光发光二极管便成为节能的选项之一,因此如何设计高效能的白光二极管,便成为一项挑战。Nitride材料和传统材料有着相当不同的特性,其强烈的压电特性和极化现象,让组件的设计制造变得相对复杂。我们实验室发展了一系列以研究nitride材料为基础的分析仿真软件,包含了一维和二维以及未来三维解非线性Poisson方程, Schrodinger方程,热传导方程和Drift-diffusion方程的软件,来分析极化电场,电荷分布,电流分布以及热效应的计算,希望经过完整的分析,能够提供组件设计一个明确的方向来优化组件效能。

量子井和量子点组件的能带分析计算

在发光组件的设计上,量子效应的形成和利用,让组件的设计变得有许多弹性,同时也增加许多变量和复杂度。如何有效的分析不同的组件的能带分布,以及应变,极化效应,温度效应所造成的影响,来分析发光频谱的变化,便是一个很重要的课题。在InGaN的组件结构里,在不同In比例得结构其晶格大小有很大的变化,无可避免会产生surface roughness或进而产生In-riched的cluster,因此类似于量子点的结构产生成为很难避免的问题,即使是semi-polar的结构也无法避免;然而,由于量子局限效应的影响,电子在进入量子点的能带后,比较难以脱离,因此理论上反而可以的增强发光效率,而其发光的频谱变化,和量子点的大小很密切的关系。对此无论是分析或是设计组件,能带的分析计算能力,是很重要的一项技术。我们发展以Valence force field方法为基础的晶格能量计算软件,来分析其量子点内部的应变strain的分布,必且将极化效应考虑进入,以分析其内部能带的变化,同时发展三维 full band的k.p软件来分析其量子效应所造成的能带变化,来分析预测其频谱的变化。

铁电性材料的分析及应用

铁电性材料有着半导体材料许多不同的特性,铁电材料由于有非常强的压电系数,可以产生非常强的极化电场,因此已经被广泛利用在精细压电材料,或者是optical modulator上面,由于压电材料通常也有很强的记忆效应,因此也是很好的内存材料。我们研究的重点在分析如何将铁电材料和传统半导体结合在一起,形成多功能的感测和存储元件,尤其如何将组件尺寸的微小化,形成微小的传感器,在生医方面应用,以及MEMS上面的应用,便形成一个很有潜力的课题。然而由于长晶的一些限制,使得一些组件的特性仍无法发挥我们期待的效果,因此我们重点放在如何分析实验的结果已以效能的评估,以选择最有利的发展材料来作组件设计。

 

光电要闻

 

资料提供 :影像显示光电科技特色人才培育中心.影像显示科技知识平台 —

— 制作:林晃岩教授 —

英特尔硅光技术获重大突破

Intel的美国IDF论坛(Intel Developer Forum)于91820日于美国旧金山举行,在IDF大会前一天,Intel习惯上特别为媒体及分析师举行称为Day Zero的技术研发简报会,此次议题焦点锁定英特尔在硅光技术上所获得的重大进展,英特尔院士暨光技术实验室总监Mario Pannicia博士说明硅光技术的愿景,并讨论英特尔最近的突破。

关于硅光技术的发展,英特尔于20042月研发出数据编码容量1Gbps的硅激光调变模(silicon laser modulator)20054月将数据编码容量向上推升到10Gbps20077月更成功研发出可高达40Gbps的硅激光调变模;至于硅光侦测器(silicon photo-detector)Pannicia指出,单由硅晶体制作的硅光侦测器,在速度上无法配合编码容量可达40Gbps的硅激光调变模,因此成为硅光技术发展瓶颈,而为解决此问题,英特尔全力投入研发,于20079月成功以硅与锗元素为基础(silicon and germanium based),制作出全新光侦测器,由于锗元素拥有对光波高速超敏感度(fast and ultra-sensitive)的表现,加上与CMOS兼容,因而成为新一代光侦测器最佳组合。不过,由于锗粒子架构体积比硅粒子大4%,在硅与锗混合时仍有部分问题待解决,英特尔正加紧脚步改良。此技术的进展再次宣示英特尔在先进硅光技术的领导地位。

出处:电子时报 2007/09/19

http://www.digitimes.com.tw/n/article.asp?id=0000066322_A5Y71O2UVG36BW61RJJV7

 

健康小站

 

喝电热保温瓶的水会致癌吗?

有此一说:

听人家说家中煮的菜若重复加热多次,其水中某种物质会转为致癌物质!那一般家中的电热保温瓶的水,为了保持一定的温度,不断的重复加热,尤其是冬天,加热的次数增加,那水中的那种物质,不就会转为致癌吗?那家家都有的电热保温瓶不就不能用了吗?

医师回答:

放射肿瘤科 洪志宏医师

目前的文献对于水的安全性,除了某些地区因食用含镉、铅、砷或卤素化物之地下水,而造成若干癌症(如膀胱癌、皮肤癌、肺癌的发生率增加外,并无证据或理论认为长期保温或处于高温的饮用水会增加癌症机会。唯需注意使用的电热保温瓶其成份是否会释出某些金属或生铁锈,宜选用品质佳之保温瓶。

维持健康且不得癌症的基本道仍应为多摄取新鲜、均衡的饮食,不常吃高度烹煮或加工过的食物、不抽烟、不喝酒、多喝水避免饮用来路不明的地下水,再加上适当的放松心情,如此必能将得到癌症的机率降到最低。

 

本文由【KingNet 国家网络医院】提供

 

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