發行人：黃升龍所長    編輯委員：蔡睿哲教授    主編：林筱文    發行日期：2007.09.10

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最新消息與活動公告

   光電所97學年度招收應屆畢業學士班在學生逕行修讀博士學位申請

招生名額：12名

申請日期：96年9月17日起至11月23日止

                       時具備下列條件之一者，得申請逕行修讀博士學位：

   光電所96學年度第1學期博士資格考核及論文計點審查日程如下：

【博士資格考核注意事項】

1. 申請資格：D95,D96,F94,F95之學號研究生、有申請資格考延期通過之D94,F93學號研究生。餘申請者請附休學證明（如歷年成績單或學生證影本等）

2. D95、D96、F94、F95僅能選考新制；D94(含)以前學號及F93研究生資格考核則請新舊兩制擇一選考。(請上本所網頁【教學】選項下之【修業須知】查閱)

3. 申請表件請至本所網頁（http://eoe.ntu.edu.tw）公告項下之公布欄下載。

4. 請於各期限內提出申請，逾期無法受理。

所務公告及活動花絮

7、8月份「光電演講」演講花絮

時間：96年7月27日下午4點30分 講者：Prof. Chinlon Lin (Professor of Photonics and Director, Center for Advanced Research in Photonics, Depts. of Electronic Engineering and Information Engineering, Chinese University of Hong Kong ) 講題：Photonics for Optical Networks and Fiber-to-the-Home—The Broadband Transformation Prof. Chinlon Lin於96年7月27日（星期五）蒞臨本所訪問，並於電機二館142會議室發表演說，講題為「Photonics for Optical Networks and Fiber-to-the-Home—The Broadband Transformation」，林教授之演講涵蓋光電各領域，貫串古今，本所教師及學生皆熱烈參與演講活動與討論。
時間：96年8月17日上午10點 講者：Dr. Wibool Piyawattanametha (Physical Science Research Associate, Stanford University) 講題：Advanced Endoscopy/Microscopy Dr. Wibool Piyawattanametha於96年8月17日（星期五）蒞臨本所訪問，並於電機二館145室發表演說，講題為「Advanced Endoscopy/Microscopy」，本所教師及學生皆獲益良多。

特別報導

∼與新加坡國立大學（National University of Singapore）

博士生交流活動計畫  系列報導∼

【Optoelectronics Student Exchange Workshop】

（時間：96年6月26日至7月1日；地點： 新加坡國立大學）

【之三】

撰文：光電所博士班學生黃文宏

很榮幸有這個機會可以參加這次的新加坡學術交流活動，上一次與韓國首爾大學交流活動，有幸參與的同學都大力推薦我們參加此一類型的交流活動，不僅在學術交流的部份獲益良多，在增廣見聞和拓展國際觀方面更是難得的經驗。因此，獲悉光電所今年繼續爭取經費，安排了第二次的訪問活動，在指導教授王維新老師的鼓勵之下，我報名了這次的交流活動。

一開始的心情是有些緊張的，畢竟這次的研討會算是代表實驗室的報告，也代表台大光電所的學生，所以報告的表現很重要，所長也再三強調，交流活動不是去玩樂的，要抱著慎重的態度，認真的準備報告。因此，出國前的多次行前會議，所長都仔細的叮嚀我們必須注意的事項，報告的內容也都跟指導教授仔細的討論過。出發前的心情，是很期待卻又忐忑不安的。

到了新加坡，新加坡國立大學(National University of Singapore, NUS)的接待同學已經在機場迎接我們，在走出機場到接送巴士短短的幾步路，就已經感受到這個熱帶國家的氣候，真熱!果然是位在赤道附近的國家，太陽直曬的感覺，比起台北有過之而無不及。新加坡是個城市國家，從機場到位在比較偏遠的新加坡國立大學也不過是30分鐘左右的車程。第一天由於舟車勞頓，加上隔天就是研討會，大家到市區用過簡單的晚餐，採買一點水果和點心之後，就回到安排的宿舍休息，準備隔天好好表現。

第二天的研討會，首先由我們的楊志忠所長及新加坡國立大學的Prof. S. J. Chua致詞，黃升龍副所長介紹台灣大學相關背景之後，揭開了序幕。會中雙方的學生及研究員代表都發表了相當精采的演講，討論也相當熱烈，休息時間大家也都把握難得的交流機會，互相交換研究心得和意見。原來我研究的主題和這次代表團多數成員的研究主題較不相同，以為不會有人來問我問題，沒想到還是有一些新加坡大學的學生，甚至是研究員問我問題，並且和我討論了一些研究的問題，除了驚訝之餘，也覺得獲益匪淺。在結束一整天緊湊的研討會議程之後，晚餐安排在學校附近的一家臨海的餐廳用餐，大家輕鬆的聊著研究的甘苦心得，這是很難得的經驗。

接下來兩天我們分別參觀了一些新加坡國立大學和一些相關的研究單位，包括Institute of Material Research and Engineering (IMRE), Silicon Nano Device Lab, Center for Optoelectronics, Data Storage Institute, Laser Micro Processing Lab, Singapore Institute of Manufacturing Technology, Institute of Microelectronics等等。從這些地方相當優良的環境設備和妥善的管理制度之中，深刻的感受到新加坡政府對於高科技研究的重視，相當值得我們學習借鏡。雖然新加坡的人口中華人佔多數，但是新加坡以英語作為官方語言，尤其是在大學和研究機構之中，雖然來自中國大陸或是華人的學生佔大多數，但是他們平時交談還是以英語為主，所以在英語能力比一般台灣學生好很多，這點在加強國際交流方面有很大的好處。

短短的幾天交流活動和參訪，對新加坡這個國家也算有一點初步的認識和體驗。新加坡是一個多民族組成的國家，雖然華人佔多數，但是以英文作為主要官方語言，因此對於觀光客和商務人士而言，語言溝通上是很方便的，加上現在中國大陸的崛起，新加坡人多數也懂華文，所以跟台灣、香港比起來一點也不吃虧。由於土地小，資源相當有限，所以新加坡相當重視資源的有效利用，很重視效率，這點可以從他們整齊的街道市容看的出來，在觀光區的計程車都是很有秩序的在指定的地方排班，上下客的位置也都有一定的管制，再加上對車輛數目的有效管制，因此交通秩序方面比起台灣是好的多。在觀光資源方面他們也了解到自己天然資源的不足，因此注重在一些特色的經營，例如夜間動物園、空中纜車、鳥園等，都是很有特色的觀光景點。總觀而言，新加坡有很多地方值得我們學習，不管是在國際化的方面，或是國家資源的有效利用方面，乃至於對於研究教育方面的大力支持，都是讓我們很羨慕的。希望在羨慕之餘，也看到台灣能夠往這個方向多多努力。

感謝楊所長和黃副所長的多方奔走，為我們安排了這次交流活動，並且帶領我們平安且順利的完成交流的使命；感謝光電所辦林筱文小姐的協助，安排機票以及行前的準備；感謝新加坡國立大學熱情的接待，讓我們有一個愉快且充實的活動；最後，感謝所有代表團的成員，這幾天來大家同甘共苦，分享許多研究的酸甜苦辣，能夠順利完成這次的任務，都是大家的功勞，謝謝你們。

【之四】

撰文：光電所博士班學生葉東明

一、參加交流經過

在楊所長志忠教授、黃副所長升龍教授領導下，學生與各實驗室同學前往新加坡，進行為期四天的NUS-NTU學生交流活動，期間包括一天的Optoelectronics Student Exchange Workshop、兩天的實驗室參觀和一天的新加坡文化之旅。

6/27日為Optoelectronics Student Exchange Workshop，共安排十八位演講者口頭報告各自的研究領域，其中八位為本所博士班研究生、十位為新加坡方面代表，新加坡代表團由國立新加坡大學(NUS)、南洋理工大學(NTU)和IMRE的研究員所組成。此次研討會的研究主題包括：(1)氮化物的奈米結構長晶、光學特性量測、元件製作 (2) 氮化鋅的奈米結構長晶、光學特性量測、元件製作 (3)光子晶體研究 (4)光學波導與非線性光學研究 (5)表面電漿波研究 (6)超快雷射應用 (7)LCD顯示器背光源研究。每位報告者有二十分鐘的時間，其中包含十七分鐘的口頭報告，三分鐘的提問。每位演講者皆充分地準備報告內容、認真報告各自的研究主題，分享研究成果給在場的聽講者，認真報告的態度讓人非常敬佩。聽講者回以專注聽講，並且踴躍的發問，整場研討會討論非常熱絡，相信參加這次研討會的人收穫很多。

研討會後參觀實驗室，參觀兩位教授的實驗室，分別為Professor S. J. Chua實驗室和Professor M. H. Hong實驗室，並且參訪新加坡國家級實驗室Institute of Materials Research and Engineering (IMRE)。Professor S. J. Chua實驗室的研究領域非常廣，從事長晶研究、材料分析、光學分析。材料包括AlGaN、InGaN、InGaAsP等系列研究，分別應用在短波長雷射二極體、可見光發光二極體、紅光雷射二極體...等等。擁有MOCVD和MBE長晶設備各一部，實驗室規模非常完備、前瞻。此外，我們參訪另一位教授Professor M. H. Hong的實驗室，其研究主要為雷射相關應用研究，包含近場光學(NSOM)、雷射的奈米壓模技術(Nanoimprint Lithography)，實驗室的雷射設備多得讓人羨慕，擁有一間專門擺放雷射的無塵室，無塵室的空間約和我們舊無塵室一樣大，無塵室內架滿各式各樣的雷射，有Eximer Laser、Ti-Sapphire Laser...等好幾台。後來，我們相繼參訪了新加坡國際級的實驗室IMRE，IMRE的規模龐大、組織分工細膩，研究領域包括光電、生化、化學、奈米材料、有機材料...等。它在新加坡的地位相當於台灣的工研院。IMRE與學術界、工業界合作密切。IMRE分支大部分座落於國立新加坡大學和南洋理工大學校園內，方便與學術界合作。IMRE和大學共同建構一個強而有力的合作模式，即研究機構IMRE擁有前瞻的儀器，學校提供優秀的學生；有些學校教授同時身兼學校實驗室的負責教授和IMRE實驗室的負責人，這是一個非常完美的架構，學校與IMRE互謀其利，這架構值得台灣學習。我們參觀IMRE下的無塵室、MBE、MOCVD、TEM、SEM、STEM、光學量測設備、OLED實驗室...等。

二、與會心得

本人非常幸運地參加NUS-NTU學術交流活動。雖然之前去過新加坡兩次了，前兩次皆參加一般的研討會，這次去參加學術交流，讓我有不一樣的收穫，是一個很難得的經驗。新加坡的民俗風情跟台灣很像，人種主要為華人、印度人和馬來人。官方語言為英語，一般華人皆會講閩南話、華語，是一個多元化的國家。國立新加坡大學和南洋理工大學的研究生和教授有非常高的比例來自中國大陸，我估計有五成以上吧。新加坡政府很重視科技，投入相當多的經費，建設國家級的無塵室、添購先進的實驗設備，有效率地管理無塵室，並且國家級的實驗室和學校非常密切地合作。當我們看到他們的實驗設備後，再回想我們的實驗設備，真的很感嘆，差人太多了。以人力資源來說，我們不會比他們差，但我們的設備要追趕上他們，非常地困難。希望校方能為我們爭取經費，建設一個完善的無塵室，添購前瞻的實驗設備。除了靠政府資助和學校努力建設之外，我們學生要努力認真做研究，他們的大陸學生讓我感覺很務實、很肯做，相信未來將是威脅我們的可敬對手，唯有我們不斷反省、提升能力，將來我們才能與他們競爭。

最後，感謝楊所長志忠教授、黃副所長升龍教授睿智領導我們，所辦筱文小姐專業準備事前事宜，另外，感謝隊長黃吉豐同學和副隊長邱天隆同學服務，感謝校方補助經費，讓我們能夠無後顧之憂參加此次的NUS-NTU學術交流活動。此次活動吸收很多寶貴經驗、認識彼此的差異，結交新的朋友，受益良多。希望未來校方能繼續給予支持，讓博士班學生出國參加學術交流活動。

赴北京參加「國際奈米光電子學研討會」

（iNOW, International Nano-Optoelectronic Workshop）

— 系列報導 —

（時間：96年7月29日至8月7日；地點：北京清華大學、北京大學）

【之一】

撰文：光電所黃建璋副教授

承蒙楊志忠前所長的推薦，有機會參加在北京所舉行的International Nano-Optoelectronic Workshop，這是我第一次到中國，也是第一次參加此會議，一切感到新鮮。

此會議由加州柏克萊大學Connie Chang 教授主辦，邀請了光電領域非常著名的學者，有許多我們在教科書上或研究領域上所知悉的先驅給予演講，另外，與一般國際型會議最大的不同處是此會非常重視各學校參與研究生間的交流，以及相關領域有名的學者與學生的互動，因此，不只是美國大學的研究生參與，台灣、日本、韓國、以及德國均有光電領域的研究生參加。當然，更不必說北京大學及清華大學當地的學生了。

在這十天的會議中，除了許多在quantum dot 及 quantum wire等研究上的創新及成果發表外，許多大師的談話也讓我啟發良多，有好幾次在演講完發問時，厲鼎毅院士常常會詢問演講者其所介紹的成果是否真的有用。後來，我忍不住在休息時間請教厲院士對研究方向的看法，他認為如果你是做工程的應用研究時，應該隨時提醒自己的方向走離應用的偏鋒，也就是當你所設想的應用複雜到不切實際時，那就不是工程的研究了。另外，Stanford 大學James Harris教授的演講也讓我受益良多，當他在分析矽谷的崛起時，提及許多的觀念，如”Always look to the future and new possibilities, NOT returning to the past”、”OK to talk with & collaborate with competitors”、 “OK to fail (at least once)” 即使是回到台灣好幾個星期了，我仍一直思考其闡述的道理，我們應該要多花一些資源去思考及研究創新的領域，而不是跟著美國的腳步做研究。在爬完長城回來的午餐時刻，有幸與光纖通訊的pioneer Dr. Ivan Kaminow 同席，他談到了當年網際網路發展的過程，也談及了提出Netscape 的Marc Andreessen (註 : 伊利諾大學畢業的校友有許多人知道Marc 1992年在伊大將此概念成型)，Dr. Kaminow 提到大多的創新並非憑空而起，總是有許多的歷史事件及其他的技術配合才會成形的，以Netscape為例，除了網際網路開始成熟外，彩色螢幕的普及也是web browser發展的原因。

在北京這段期間，承蒙楊前所長及北京清華大學張漢一教授的安排，我們也有機會至北京著名的歷史景點參觀，許多過去只有在歷史課本或者小說上看到的事物，在此得到對照，參觀紫禁城讓我想起金庸的小說，參觀明十三陵讓我想起黃仁宇的”萬曆十五年”。另外，全聚德的烤鴨、東來順的羊肉爐、王府井大街的糖葫蘆、天津狗不理等，許多過去只有耳聞，這次有機會品嘗其滋味。

這是一個充滿收穫的會議，明年在東京舉辦，我也推薦大家參加。

【之二】

撰文：光電所博士班學生盧彥丞（代表團學生隊長）

經過三個半小時的飛行，終於在七月二十九日下午第一次踏上了中國的土地。待我們通關拿取行李後，清華大學的學生早已在機場等待我們的到來。負責接待我們的是江洋同學，江洋個性比較沉靜不多話，和我們之後遇到的其他清華大學學生口若懸河、淊淊不絕，感覺很不一樣。江洋領我們上了一輛小巴直接往清華大學駛去。在大會的安排下，學生住進紫荊公寓，而老師則住在甲所。紫荊公寓內有一廳一廁二房，房間內有床、書桌和衣櫃一應俱全，這是我出國參加九次研討會中最好的住所。

在出發前，聽到了不少關於大陸學生的傳聞。老師也特別提醒我們，當談論到政治議題時，要特別小心。但在這一個多星期的相處中，感覺上他們相當的親切，當我們的話題稍微涉及到政治時，他們也會主動迴避，甚至直接挑明地說：「咱們不談政治。」這或許是因為我們接觸到的學生都是學理工的。另外，所謂的見面三分情再加上中國人好客的天性，我們相處地相當融洽。同時，也從他們的口中，聽到了不少兩岸交流的趣事。雖然我們使用相同的語言，但畢竟也分隔了數十年之久，有些語詞在使用上還是有點差異的，而這些差異往往造成彼此間的誤會。舉例來說，「檢討」一詞對我們而言是個中性的詞彚，但對他們來說則是相當負面的。「檢討」在他們的眼中，有認錯、自我批判的意思。在一次的兩岸交流中，接近活動尾聲時，臺灣代表對大陸方面用了「檢討」這個字眼，這時大陸代表突然大怒地說：「你們才應該要檢討。」幸好，當時有熟稔兩邊文化的人士在場，才化解了這樣的誤會。

在這次的會議中，所有的演講者都是受邀的著名學者。而學生則以海報的方式呈現自己的研究成果，在海報展覽前，每位學生須花三分鐘的時間簡介自己的研究成果。同時，大會也舉辦了競賽，要在所有的海報中選出前三名和一些佳作。在我們這次參加的四位同學中，李正匡和呂志鋒學長都獲得評審的青睬，而呂志鋒學長更一舉獲得冠軍。在主席宣布的那一剎那，頓時讓我們覺得揚眉吐氣。雖然，臺灣大學是臺灣中最好的學校，但在這次與會的大學中仍有不少學校的排名在我們前面。然而，學長的獲獎其實也不算太意外，在兩個小時展覽期間，學長的海報前總是擠滿了詢問的人潮。

除了許多著名的國際學者與會及學生精彩的海報展覽外，主辦單位更安排了豐富的文化之旅。我們先後到紅劇場和老舍茶館觀看表演。紅劇場中的表演結合了中國功夫和西方舞蹈，劇中的對話和旁白採用英文，另外有以繁體中文呈現的跑馬燈，儼然就是專為外國遊客所設計的。後來，我們問當地的學生，果然沒有人知道紅劇場這個地方。老舍荼館的表演則是綜合性的，有國樂、相聲、魔術、中國功夫、中國柔功、京劇、川劇中的變臉…等。其中絕大多數的表演在電視上早已看過，但這麼近距離的觀賞還是頭一遭。和紅劇場相同，大部分的中國民眾沒去過老舍茶館。表演結束後，我聽一位從北京去Berkeley就讀的女生說：「我八年前就想來了，只是一直沒機會。」聽她這麼一說，頓時讓我覺得有機會參加這次的研討會是多麼地幸運。

到了北京這個明、清兩朝的首都，參觀古蹟更是不能少的行程。而被喻為世界奇蹟的長城，當然是參觀的首選。八月二號星期四早上，我們一如往常地吃完早餐後，搭上接送我們去會場的巴士，但今天我們的目的地並不是會場，而是默默守護著中華民族數千年的巨龍「萬里長城」。從清華大學出發到慕田峪長城，大約花了兩個小時的車程。到達目的地後，經過一番跋涉，終於登上這熟悉卻不曾謀面的萬里長城。人家說塞外好風光，但站在長城上，也分不清哪邊是塞內、哪邊是塞外，兩邊的景色一樣令人動容。長城蜿蜒無際，伏臥在原本就險峻的山勢上，難怪當年清兵一直不得其門而入。除了長城外，楊教授更請清華大學的張漢一教授替我們安排行程，參觀其他的古蹟。我們利用最後一天半的時間，參觀了天壇、故宮、頤和園和明十三陵中的定陵。其中，較令人感到遺憾的是，大部分的古蹟飽嘗戰火和十年文革的蹂躪，現在我們所看到的大多是後來才修復，其用料選材自然和原建築不盡相同。定陵是萬曆皇帝花了相當於當時兩年的歲入所建成的，卻在多爾袞入關時被毀，重建後的明樓當然是比不上原本的氣派華麗。

參加這趟旅程確實是獲益良多，特別感謝校方在旅費上的補助和張羅行程的筱文小姐。

【之三】

撰文：光電所博士班學生呂志鋒

前言：

我要感謝此次校方給予經費上的補助，讓我們有機會參與此次在大陸北京舉辦的國際奈米光電研討會（iNOW, International Nano-Optoelectronic Workshop），進行學術交流並觀摩各國先進們的尖端研究成果。該會議是美國柏克萊大學的Berkeley Nanosciences and Nanoengineering Institute (BNNI)所主辦，北京清華大學、北京大學及蘭州交通大學提供會議場地並且協辦 ，而此次在北京的會期是七月二十九日至八月五日共八天。本會議吸引眾多國家的學生、教授以及業界的研究人員參與，其研究的主題主要可分為以下幾個領域：

• Photonic Crystal and Devices

• Nano-Opto Devices and Materials

• Physics of Nano- Structures

• Advanced Technologies for Thin-Film Deposition and Processing

• Solar Cells

• LEDs and Lasers

• Vision and Applications

與會經過：

我們一行人抵達大陸北京時，大會已派遣工作人員於機場等候，並引領我們回到清華大學並完成相關手續。而大會更貼心地給每兩個外地學生分配一位當地學生作為協助人員，足可見此次會議的用心及大陸大學對國際形象的經營。會議中有來自各國研究機構的人員，每場演說都具有相當的水準，每每引起台下不小的迴響和踴躍的發問討論。尤其是本所特聘講座教授厲鼎毅(Tingye Li)老師，其知識涉獵廣泛分佈在各項光電領域專業，往往在大家討論陷入膠著時提出獨到精闢的意見，令人佩服厲教授於如此年紀，還有過人的思維反應及精神，是同樣做為從事科學研究的我們這些後輩們，所值得效法看齊的。

此次研討會除了讓我們在會場藉由精采的演說了解目前光電科技及奈米技術的發展成果與驅勢外，最不同於一般國際研討會的是此次大會妥善安排我們的生活起居，不論是出入交通或是伙食住宿，皆設想週到，並且準備各項代表中華文化的表演與古蹟參觀，每每令人讚嘆不已。同時以此方式讓我們更容易與所有與會的學生們建立互動關係，增加彼此學術知識的交流機會。全程大部分以英文溝通，對於英文聽及說能力方面確實也有達到增強助益之效果。

邁向頂尖大學計畫研究成果專欄

Carrier Transport and Recombination in Mixed-host Organic Light-emitting Device

Professor Jiun-Haw Lee

Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

臺灣大學光電所李君浩教授

Carrier transport and recombination in a mixed-host organic light-emitting device (OLED) can be determined by fitting the current-voltage characteristics and inserting a thin probe at different positions of the device. Furthermore, the latter approach increases the recombination current and improves the power efficiency.

We used N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-napthyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine (NPB) as the hole transport layer (HTL) material and tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq₃) as the electron transport layer (ETL) material. The bipolar emitting layer (EML) was a mixture of NPB and Alq₃ with different mixed-ratios. Fig. 1 shows the experimental and simulated J-V characteristics. The driving voltage increased and then decreased with increasing the NPB concentration. Raising NPB concentration leaded to the enhanced hole-current and reduced electron-current. The hole-current enhancement did not compensate the electron-current decline when the HTL ratio increased from 0 to 25%. The sequential increase of HTL material concentration from 25 to 100% resulted in the voltage reduction on account of rapidly boost of hole-current.

Besides, we inserted a very thin 4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-1,1,7,7- tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB) layer (1.2 nm) with 2 vol. % in different positions of the EML layer (NPB:Alq₃=1:1) to detect the distribution of the recombination-rate. In Fig. 2, we show that the relative intensity of probe/matrix at 2.5 mA/cm² and the driving voltage at 100 mA/cm² as a function of the probe positions. The curve of driving voltage versus probe position is almost the inverse of that of intensity ratio. The position of the maximum red/green ratio and the minimum driving voltage are 10 nm from the HTL/EML interface. This phenomenon is attributed to the higher recombination rate of the high-quantum-yield red dopant than that of the matrix, and thus driving voltage decreases due to the increase of the recombination current.

Flexible Thin Film Transistors

Professor I-Chun Cheng

Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

臺灣大學光電所陳奕君教授

Flexible electronics are under intense research today because they possess desirable features of lightweight, ruggedness, and flexibility. To realize these flexible electronics, a flexible transistor backplane is the basic requisition. We have been working on amorphous silicon thin film transistors (TFTs) made on glass and flexible organic polymer foil substrates. The TFTs have staggered, bottom-gate geometry with back-channel cut. Both as-fabricated TFT performances and bias-stress stabilities are investigated. It has been found that the TFT performances as well as stabilities are primarily dependent on the processing temperatures, not a function of substrate types.

We also explore the nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin film transistor, which is a potential candidate for high performance flexible electronics. This is particular interesting because it can be made in a way which is fully compatible with present a-Si:H technology. The TFTs are fabricated in a staggered top-gate, bottom-source/drain geometry on top of a nc-Si:H seed layer. The top-gate geometry is adopted to take advantage of the high carrier mobilities available at the top of nc-Si:H films, and the seed layer is used to promote rapid nucleation of the channel layer. Self-alignment process is also applied to the nc-Si:H TFTs by combining back-side photolithography with lift-off patterning of the top-metal contacts. The self-aligned nc-Si:H TFTs have similar characteristics to that of their non-self-aligned counterpart, which indicates that the UV exposure through the nc-Si:H channel does not cause significant degradation.

Performance of InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with different Si doping profiles

Professor Yun-Li Li

Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

臺灣大學光電所李允立教授

III-nitride based high-brightness light-emitting diodes (LEDs) have attracted a lot of attention due to their various applications on signage, back-lighting and illumination applications. Many efforts have been made to improve material quality, light extraction efficiency, and metal-semiconductor ohmic contacts so that emission efficiencies of LEDs based on this material system have improved drastically.

In this study, different Si-doping profiles for the barriers of InGaN/GaN MQW LEDs are investigated and the measurements of the electrical and optical performance of these LEDs are discussed. Investigation of IQE results indicates that with an increasing number of doped barriers, the internal quantum efficiencies increase owing to the compensation of QCSE and higher carrier densities. However, after LED chip fabrication and single die packaging without epoxy encapsulation, the EL radiation flux measurements show that when the number of doped-barriers increases, early radiation flux saturation and low external quantum efficiencies are found under high current injection.

實驗室介紹

奈米生醫暨微機電系統設計實驗室---蔡睿哲教授

本實驗室除了發展光學微機電系統外，亦從事其他光電、生醫、微機電等方面的相關研究。以下列舉本實驗室其中幾項研究：

微機電鏡片特性曲線之線性化

我們採用了差動電壓﹝Differential Voltage﹞來驅動鏡子，方法是將差動電壓對±V_Differential分別與一直流偏壓﹝DC Offset Voltage﹞疊加；換句話說，每個電極上所施加的電壓為V_DC+V_Differential或V_DC-V_Differential。我們嘗試不同的直流偏壓，以尋找最佳的直流工作點；差動電壓V_Differential則是在-10V至+10V之間調整，以改變鏡子的旋轉角度。相較於傳統的非差動電壓驅動之方式，此方法可使微鏡片的特性曲線﹝即旋轉角度vs.電壓﹞更為線性；另外，控制電壓﹝即V_Differential﹞僅需±10V，可由電腦介面直接輸出，不需使用功率放大器。

波長選擇切換器之通道間響應分析

我們開發了一個以傅氏光學﹝Fourier Optics﹞為理論基礎的模型，應用於微機電波長選擇切換器，以分析該系統的通道間響應﹝Inter-Channel Response﹞。此通道間響應是WDM系統中所不希望見到的，而此模型則證實了該響應與輸出埠位置之間的關聯性，因此我們可藉由調整輸出埠的位置來予以抑制。

擴散光學斷層掃描﹝Diffuse Optical Tomography﹞

擴散光學斷層掃描﹝Diffuse Optical Tomography，簡稱DOT﹞在近幾年來已被廣泛地應用於生醫造影上，包含人腦、乳房、及關節等部位的成像。我們與工研院醫療器材科技中心研究員孫家偉博士合作，使用了兩種不同波長的紅外光雷射─780 nm及850 nm，於表面多個位置輪流入射，其後光在生物體內傳播的過程中，會受到生物組織的吸收﹝Absorption﹞及散射﹝Scattering﹞。最後，部分的光會「擴散」回到生物體的表面，由位在表面的光偵測器﹝Photo Detector﹞接收量測。在此架構中，取得生物體影像的重要因子，是去氧血紅素﹝Hb﹞及含氧血紅素﹝HbO₂﹞的分佈及含量；去氧血紅素與含氧血紅素對於光的吸收能力是有差異的，且光波長改變時，兩者之間的差異亦會隨之產生變化。我們依據光偵器量測到的數值，配合遞回﹝Iterative﹞式的演算法，可重建生物體內吸收係數分佈之圖像；而此吸收係數分佈圖像，亦隱含了組織內去氧及含氧血紅素的分佈情形。由於初期的組織病變通常伴隨著去氧及含氧血紅素含量之改變，因此我們可以藉由這個技術來判定特定部位是否有病變產生。研究的過程中，除了重建演算法﹝Reconstruction Algorithm﹞的建立之外，我們亦針對硬體進行開發。傳統上，DOT系統主要是以光纖來導光及收光，其收光效率﹝Coupling Efficiency﹞往往是個較大的問題。我們則是將多個光源﹝使用雷射二極體，即Laser Diode﹞及光偵測器﹝使用Photo Diode﹞直接固定於軟性電路板上，在量測時將此軟性電路板貼在待測體的表面；如此一來，就可解決傳統上使用光纖的缺點，進而提升訊號雜訊比﹝Signal-to-Noise Ratio，SNR﹞及影像品質，同時亦可降低成本並縮小系統的體積，使其在操作或攜帶移動上更為方便。在8.5cm´8.6cm的軟性電路板上，我們放置了六對雷射二極體﹝每對中有一個780 nm及一個850 nm之光源﹞與十二個光偵測器。系統架構及臨床量測生理訊號如下圖所示：

目前本研究已成功在臨床量測上有了初步的成果，未來將會以臨床腦功能影像量測以及心血管疾病的診斷為目標，使DOT能在醫學研究上提供更多的幫助。

光電要聞

— 資料提供：影像顯示光電科技特色人才培育中心•影像顯示科技知識平台 —

— 製作：林晃巖教授 —

3D互動影像顯示產業聯盟成軍

8/17在台北福華文教會館，由工研院邀集友達、奇美、華映、瀚宇彩晶等多家面板業者，以及太極影音、鈊象等數位內容與系統業者近20家廠商，共同發起「3D互動影像顯示產業聯盟」，希望透過整合跨產業廠商力量，發展3D互動影像的軟硬體設備及數位內容，建立完整3D互動影像的產業鏈，以期帶動台灣數位內容自主發展及LCD面板產業另類應用的新價值，開創台灣立體影像產業發展的新契機。

工研院電光所詹益仁所長表示，3D互動影像是繼高畫質影像之後的數位影像發展趨勢，因應而生的3D LCD顯示器也將是未來發展的新方向，據國外研究報告指出3D顯示器市場將由2007年的3億美元的規模，擴大到2010年20億美元以上，市場前景可期。工研院李鍾熙院長表示，3D互動影像是一個高度整合的產業，不僅需整合前段軟硬體系統，更要有後段應用諸如遊戲軟體、數位內容及影音製作等業界投入，是與娛樂、教育及生活息息相關的應用產業。

同日在福華文教會館也舉辦3D Imaging & Display Technology International Conference 2007，工研院電光所徐紹中副所長邀請美、日、韓的專家學者與會，演講他們在3D領域的最新技術與產業進展；現場並展示包括：螢幕可作2D/3D切換的3D立體影像技術、可配戴特殊濾光眼鏡觀賞3D立體影片的42吋液晶電視、太極影音與故宮合作的「國寶總動員」3D動畫影片等，韓國專家也展示可拍攝與顯示3D立體照片的手機。整個活動在颱風來臨前圓滿結束。

健康小站

吃香蕉真的會對骨頭不好嗎？

有此一說：

聽說筋骨曾經受過傷的人，最好不要吃香蕉，請問是真的嗎？

KingNet 營養保健諮詢科營養師回答：

（桃園敏盛綜合醫院健康美學中心　陳正育營養師）

香蕉並不會對正常的骨頭有任何影響，但對於受到筋骨（運動）傷害的患者而言，確是要小心食用。其實，民間口耳相傳：「筋骨傷不可吃香蕉」，依其中醫學理角度看來確有其根據。骨折、筋骨扭傷不可吃香蕉，是由於香蕉含磷稍高，若吃多了易使體內鈣質相對降低，對骨折病人的復原不利。香蕉所含的高醣份，在代謝後，會消耗體內更多的維生素B1，造成神經、肌肉的協調失衡，引發傷處的疼痛或惡化。再者，香蕉中過高的鎂，易造成隨意肌肉的麻痹及肌腱的疼痛。

其實在一般的情況下，反而鼓勵大家多吃香蕉，因為香蕉含有維生素A、B1、B2、B6、菸鹼酸、葉酸、C，及礦物質鈣、磷、鐵、鎂、鉀、錳等，其中，鉀含量特別豐富，鎂的成分也很高，更是食物中錳的最佳來源之一。另外香蕉富含水果特有的果膠質，可以促進腸道的蠕動，具有幫助排便的效果。

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