发行人：黄升龙所长    编辑委员：蔡睿哲教授    主编：林筱文    发行日期：2007.09.10

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最新消息与活动公告

   光电所2008学年度招收应届毕业学士班在学生径行修读博士学位申请

招生名额：12名

申请日期：2007年9月17日起至11月23日止

                       同时具备下列条件之一者，得申请径行修读博士学位：

   光电所2007学年度第1学期博士资格考核及论文计点审查日程如下：

【博士资格考核注意事项】

1. 申请资格：D95,D96,F94,F95之学号研究生、有申请资格考延期通过之D94,F93学号研究生。余申请者请附休学证明（如历年成绩单或学生证影本等）

2. D95、D96、F94、F95仅能选考新制；D94(含)以前学号及F93研究生资格考核则请新旧两制择一选考。(请上本所网页【教学】选项下之【修业须知】查阅)

3. 申请表件请至本所网页（http://eoe.ntu.edu.tw）公告项下之公布栏下载。

4. 请于各期限内提出申请，逾期无法受理。

所务公告及活动花絮

7、8月份「光电演讲」演讲花絮

时间：2007年7月27日下午4点30分 讲者：Prof. Chinlon Lin (Professor of Photonics and Director, Center for Advanced Research in Photonics, Depts. of Electronic Engineering and Information Engineering, Chinese University of Hong Kong ) 讲题：Photonics for Optical Networks and Fiber-to-the-Home—The Broadband Transformation Prof. Chinlon Lin于2007年7月27日（星期五）莅临本所访问，并于电机二馆142会议室发表演说，讲题为「Photonics for Optical Networks and Fiber-to-the-Home—The Broadband Transformation」，林教授之演讲涵盖光电各领域，贯串古今，本所教师及学生皆热烈参与演讲活动与讨论。
时间：2007年8月17日上午10点 讲者：Dr. Wibool Piyawattanametha (Physical Science Research Associate, Stanford University) 讲题：Advanced Endoscopy/Microscopy Dr. Wibool Piyawattanametha于2007年8月17日（星期五）莅临本所访问，并于电机二馆145室发表演说，讲题为「Advanced Endoscopy/Microscopy」，本所教师及学生皆获益良多。

特别报导

～与新加坡国立大学（National University of Singapore）

博士生交流活动计划  系列报导～

【Optoelectronics Student Exchange Workshop】

（时间：2007年6月26日至7月1日；地点： 新加坡国立大学）

【之三】

撰文：光电所博士班学生黄文宏

很荣幸有这个机会可以参加这次的新加坡学术交流活动，上一次与韩国首尔大学交流活动，有幸参与的同学都大力推荐我们参加此一类型的交流活动，不仅在学术交流的部份获益良多，在增广见闻和拓展国际观方面更是难得的经验。因此，获悉光电所今年继续争取经费，安排了第二次的访问活动，在指导教授王维新老师的鼓励之下，我报名了这次的交流活动。

一开始的心情是有些紧张的，毕竟这次的研讨会算是代表实验室的报告，也代表台大光电所的学生，所以报告的表现很重要，所长也再三强调，交流活动不是去玩乐的，要抱着慎重的态度，认真的准备报告。因此，出国前的多次行前会议，所长都仔细的叮咛我们必须注意的事项，报告的内容也都跟指导教授仔细的讨论过。出发前的心情，是很期待却又忐忑不安的。

到了新加坡，新加坡国立大学(National University of Singapore, NUS)的接待同学已经在机场迎接我们，在走出机场到接送巴士短短的几步路，就已经感受到这个热带国家的气候，真热!果然是位在赤道附近的国家，太阳直晒的感觉，比起台北有过之而无不及。新加坡是个城市国家，从机场到位在比较偏远的新加坡国立大学也不过是30分钟左右的车程。第一天由于舟车劳顿，加上隔天就是研讨会，大家到市区用过简单的晚餐，采买一点水果和点心之后，就回到安排的宿舍休息，准备隔天好好表现。

第二天的研讨会，首先由我们的杨志忠所长及新加坡国立大学的Prof. S. J. Chua致词，黄升龙副所长介绍台湾大学相关背景之后，揭开了序幕。会中双方的学生及研究员代表都发表了相当精采的演讲，讨论也相当热烈，休息时间大家也都把握难得的交流机会，互相交换研究心得和意见。原来我研究的主题和这次代表团多数成员的研究主题较不相同，以为不会有人来问我问题，没想到还是有一些新加坡大学的学生，甚至是研究员问我问题，并且和我讨论了一些研究的问题，除了惊讶之余，也觉得获益匪浅。在结束一整天紧凑的研讨会议程之后，晚餐安排在学校附近的一家临海的餐厅用餐，大家轻松的聊着研究的甘苦心得，这是很难得的经验。

接下来两天我们分别参观了一些新加坡国立大学和一些相关的研究单位，包括Institute of Material Research and Engineering (IMRE), Silicon Nano Device Lab, Center for Optoelectronics, Data Storage Institute, Laser Micro Processing Lab, Singapore Institute of Manufacturing Technology, Institute of Microelectronics等等。从这些地方相当优良的环境设备和妥善的管理制度之中，深刻的感受到新加坡政府对于高科技研究的重视，相当值得我们学习借镜。虽然新加坡的人口中华人占多数，但是新加坡以英语作为官方语言，尤其是在大学和研究机构之中，虽然来自中国大陆或是华人的学生占大多数，但是他们平时交谈还是以英语为主，所以在英语能力比一般台湾学生好很多，这点在加强国际交流方面有很大的好处。

短短的几天交流活动和参访，对新加坡这个国家也算有一点初步的认识和体验。新加坡是一个多民族组成的国家，虽然华人占多数，但是以英文作为主要官方语言，因此对于观光客和商务人士而言，语言沟通上是很方便的，加上现在中国大陆的崛起，新加坡人多数也懂华文，所以跟台湾、香港比起来一点也不吃亏。由于土地小，资源相当有限，所以新加坡相当重视资源的有效利用，很重视效率，这点可以从他们整齐的街道市容看的出来，在观光区的出租车都是很有秩序的在指定的地方排班，上下客的位置也都有一定的管制，再加上对车辆数目的有效管制，因此交通秩序方面比起台湾是好的多。在观光资源方面他们也了解到自己天然资源的不足，因此注重在一些特色的经营，例如夜间动物园、空中缆车、鸟园等，都是很有特色的观光景点。总观而言，新加坡有很多地方值得我们学习，不管是在国际化的方面，或是国家资源的有效利用方面，乃至于对于研究教育方面的大力支持，都是让我们很羡慕的。希望在羡慕之余，也看到台湾能够往这个方向多多努力。

感谢杨所长和黄副所长的多方奔走，为我们安排了这次交流活动，并且带领我们平安且顺利的完成交流的使命；感谢光电所办林筱文小姐的协助，安排机票以及行前的准备；感谢新加坡国立大学热情的接待，让我们有一个愉快且充实的活动；最后，感谢所有代表团的成员，这几天来大家同甘共苦，分享许多研究的酸甜苦辣，能够顺利完成这次的任务，都是大家的功劳，谢谢你们。

【之四】

撰文：光电所博士班学生叶东明

一、參加交流经过

在杨所长志忠教授、黄副所长升龙教授领导下，学生与各实验室同学前往新加坡，进行为期四天的NUS-NTU学生交流活动，期间包括一天的Optoelectronics Student Exchange Workshop、两天的实验室参观和一天的新加坡文化之旅。

6/27日为Optoelectronics Student Exchange Workshop，共安排十八位演讲者口头报告各自的研究领域，其中八位为本所博士班研究生、十位为新加坡方面代表，新加坡代表团由国立新加坡大学(NUS)、南洋理工大学(NTU)和IMRE的研究员所组成。此次研讨会的研究主题包括：(1)氮化物的奈米结构长晶、光学特性量测、组件制作 (2) 氮化锌的奈米结构长晶、光学特性量测、组件制作 (3)光子晶体研究 (4)光学波导与非线性光学研究 (5)表面电浆波研究 (6)超快激光应用 (7)LCD显示器背光源研究。每位报告者有二十分钟的时间，其中包含十七分钟的口头报告，三分钟的提问。每位演讲者皆充分地准备报告内容、认真报告各自的研究主题，分享研究成果给在场的听讲者，认真报告的态度让人非常敬佩。听讲者回以专注听讲，并且踊跃的发问，整场研讨会讨论非常热络，相信参加这次研讨会的人收获很多。

研讨会后参观实验室，参观两位教授的实验室，分别为Professor S. J. Chua实验室和Professor M. H. Hong实验室，并且参访新加坡国家级实验室Institute of Materials Research and Engineering (IMRE)。Professor S. J. Chua实验室的研究领域非常广，从事长晶研究、材料分析、光学分析。材料包括AlGaN、InGaN、InGaAsP等系列研究，分别应用在短波长激光二极管、可见光发光二极管、红光 激光二极管...等等。拥有MOCVD和MBE长晶设备各一部，实验室规模非常完备、前瞻。此外，我们参访另一位教授Professor M. H. Hong的实验室，其研究主要为激光相关应用研究，包含近场光学(NSOM)、 激光的奈米压模技术(Nanoimprint Lithography)，实验室的激光设备多得让人羡慕，拥有一间专门摆放激光的无尘室，无尘室的空间约和我们旧无尘室一样大，无尘室内架满各式各样的激光，有Eximer Laser、Ti-Sapphire Laser...等好几台。后来，我们相继参访了新加坡国际级的实验室IMRE，IMRE的规模庞大、组织分工细腻，研究领域包括光电、生化、化学、奈米材料、有机材料...等。它在新加坡的地位相当于台湾的工研院。IMRE与学术界、工业界合作密切。IMRE分支大部分座落于国立新加坡大学和南洋理工大学校园内，方便与学术界合作。IMRE和大学共同建构一个强而有力的合作模式，即研究机构IMRE拥有前瞻的仪器，学校提供优秀的学生；有些学校教授同时身兼学校实验室的负责教授和IMRE实验室的负责人，这是一个非常完美的架构，学校与IMRE互谋其利，这架构值得台湾学习。我们参观IMRE下的无尘室、MBE、MOCVD、TEM、SEM、STEM、光学量测设备、OLED实验室...等。

二、与会心得

本人非常幸运地参加NUS-NTU学术交流活动。虽然之前去过新加坡两次了，前两次皆参加一般的研讨会，这次去参加学术交流，让我有不一样的收获，是一个很难得的经验。新加坡的民俗风情跟台湾很像，人种主要为华人、印度人和马来人。官方语言为英语，一般华人皆会讲闽南话、华语，是一个多元化的国家。国立新加坡大学和南洋理工大学的研究生和教授有非常高的比例来自中国大陆，我估计有五成以上吧。新加坡政府很重视科技，投入相当多的经费，建设国家级的无尘室、添购先进的实验设备，有效率地管理无尘室，并且国家级的实验室和学校非常密切地合作。当我们看到他们的实验设备后，再回想我们的实验设备，真的很感叹，差人太多了。以人力资源来说，我们不会比他们差，但我们的设备要追赶上他们，非常地困难。希望校方能为我们争取经费，建设一个完善的无尘室，添购前瞻的实验设备。除了靠政府资助和学校努力建设之外，我们学生要努力认真做研究，他们的大陆学生让我感觉很务实、很肯做，相信未来将是威胁我们的可敬对手，唯有我们不断反省、提升能力，将来我们才能与他们竞争。

最后，感谢杨所长志忠教授、黄副所长升龙教授睿智领导我们，所办筱文小姐专业准备事前事宜，另外，感谢队长黄吉丰同学和副队长邱天隆同学服务，感谢校方补助经费，让我们能够无后顾之忧参加此次的NUS-NTU学术交流活动。此次活动吸收很多宝贵经验、认识彼此的差异，结交新的朋友，受益良多。希望未来校方能继续给予支持，让博士班学生出国参加学术交流活动。

赴北京参加「国际奈米光电子学研讨会」

（iNOW, International Nano-Optoelectronic Workshop）

— 系列报导 —

（时间：2007年7月29日至8月7日；地点：北京清华大学、北京大学）

【之一】

撰文：光电所黄建璋副教授

承蒙杨志忠前所长的推荐，有机会参加在北京所举行的International Nano-Optoelectronic Workshop，这是我第一次到中国，也是第一次参加此会议，一切感到新鲜。

此会议由加州柏克莱大学Connie Chang 教授主办，邀请了光电领域非常著名的学者，有许多我们在教科书上或研究领域上所知悉的先驱给予演讲，另外，与一般国际型会议最大的不同处是此会非常重视各学校参与研究生间的交流，以及相关领域有名的学者与学生的互动，因此，不只是美国大学的研究生参与，台湾、日本、韩国、以及德国均有光电领域的研究生参加。当然，更不必说北京大学及清华大学当地的学生了。

在这十天的会议中，除了许多在quantum dot 及 quantum wire等研究上的创新及成果发表外，许多大师的谈话也让我启发良多，有好几次在演讲完发问时，厉鼎毅院士常常会询问演讲者其所介绍的成果是否真的有用。后来，我忍不住在休息时间请教厉院士对研究方向的看法，他认为如果你是做工程的应用研究时，应该随时提醒自己的方向走离应用的偏锋，也就是当你所设想的应用复杂到不切实际时，那就不是工程的研究了。另外，Stanford 大学James Harris教授的演讲也让我受益良多，当他在分析硅谷的崛起时，提及许多的观念，如”Always look to the future and new possibilities, NOT returning to the past”、”OK to talk with & collaborate with competitors”、 “OK to fail (at least once)” 即使是回到台湾好几个星期了，我仍一直思考其阐述的道理，我们应该要多花一些资源去思考及研究创新的领域，而不是跟着美国的脚步做研究。在爬完长城回来的午餐时刻，有幸与光纤通讯的pioneer Dr. Ivan Kaminow 同席，他谈到了当年因特网发展的过程，也谈及了提出Netscape 的Marc Andreessen (注 : 伊利诺大学毕业的校友有许多人知道Marc 1992年在伊大将此概念成型)，Dr. Kaminow 提到大多的创新并非凭空而起，总是有许多的历史事件及其它的技术配合才会成形的，以Netscape为例，除了因特网开始成熟外，彩色屏幕的普及也是web browser发展的原因。

在北京这段期间，承蒙杨前所长及北京清华大学张汉一教授的安排，我们也有机会至北京著名的历史景点参观，许多过去只有在历史课本或者小说上看到的事物，在此得到对照，参观紫禁城让我想起金庸的小说，参观明十三陵让我想起黄仁宇的”万历十五年”。另外，全聚德的烤鸭、东来顺的羊肉炉、王府井大街的糖葫芦、天津狗不理等，许多过去只有耳闻，这次有机会品尝其滋味。

这是一个充满收获的会议，明年在东京举办，我也推荐大家参加。

【之二】

撰文：光电所博士班学生卢彦丞（代表团学生队长）

经过三个半小时的飞行，终于在七月二十九日下午第一次踏上了中国的土地。待我们通关拿取行李后，清华大学的学生早已在机场等待我们的到来。负责接待我们的是江洋同学，江洋个性比较沉静不多话，和我们之后遇到的其它清华大学学生口若悬河、淊淊不绝，感觉很不一样。江洋领我们上了一辆小巴直接往清华大学驶去。在大会的安排下，学生住进紫荆公寓，而老师则住在甲所。紫荆公寓内有一厅一厕二房，房间内有床、书桌和衣柜一应俱全，这是我出国参加九次研讨会中最好的住所。

在出发前，听到了不少关于大陆学生的传闻。老师也特别提醒我们，当谈论到政治议题时，要特别小心。但在这一个多星期的相处中，感觉上他们相当的亲切，当我们的话题稍微涉及到政治时，他们也会主动回避，甚至直接挑明地说：「咱们不谈政治。」这或许是因为我们接触到的学生都是学理工的。另外，所谓的见面三分情再加上中国人好客的天性，我们相处地相当融洽。同时，也从他们的口中，听到了不少两岸交流的趣事。虽然我们使用相同的语言，但毕竟也分隔了数十年之久，有些语词在使用上还是有点差异的，而这些差异往往造成彼此间的误会。举例来说，「检讨」一词对我们而言是个中性的词彚，但对他们来说则是相当负面的。「检讨」在他们的眼中，有认错、自我批判的意思。在一次的两岸交流中，接近活动尾声时，台湾代表对大陆方面用了「检讨」这个字眼，这时大陆代表突然大怒地说：「你们才应该要检讨。」幸好，当时有熟稔两边文化的人士在场，才化解了这样的误会。

在这次的会议中，所有的演讲者都是受邀的著名学者。而学生则以海报的方式呈现自己的研究成果，在海报展览前，每位学生须花三分钟的时间简介自己的研究成果。同时，大会也举办了竞赛，要在所有的海报中选出前三名和一些佳作。在我们这次参加的四位同学中，李正匡和吕志锋学长都获得评审的青睬，而吕志锋学长更一举获得冠军。在主席宣布的那一剎那，顿时让我们觉得扬眉吐气。虽然，台湾大学是台湾中最好的学校，但在这次与会的大学中仍有不少学校的排名在我们前面。然而，学长的获奖其实也不算太意外，在两个小时展览期间，学长的海报前总是挤满了询问的人潮。

除了许多著名的国际学者与会及学生精彩的海报展览外，主办单位更安排了丰富的文化之旅。我们先后到红剧场和老舍茶馆观看表演。红剧场中的表演结合了中国功夫和西方舞蹈，剧中的对话和旁白采用英文，另外有以繁体中文呈现的跑马灯，俨然就是专为外国游客所设计的。后来，我们问当地的学生，果然没有人知道红剧场这个地方。老舍荼馆的表演则是综合性的，有国乐、相声、魔术、中国功夫、中国柔功、京剧、川剧中的变脸…等。其中绝大多数的表演在电视上早已看过，但这么近距离的观赏还是头一遭。和红剧场相同，大部分的中国民众没去过老舍茶馆。表演结束后，我听一位从北京去Berkeley就读的女生说：「我八年前就想来了，只是一直没机会。」听她这么一说，顿时让我觉得有机会参加这次的研讨会是多么地幸运。

到了北京这个明、清两朝的首都，参观古迹更是不能少的行程。而被喻为世界奇迹的长城，当然是参观的首选。八月二号星期四早上，我们一如往常地吃完早餐后，搭上接送我们去会场的巴士，但今天我们的目的地并不是会场，而是默默守护着中华民族数千年的巨龙「万里长城」。从清华大学出发到慕田峪长城，大约花了两个小时的车程。到达目的地后，经过一番跋涉，终于登上这熟悉却不曾谋面的万里长城。人家说塞外好风光，但站在长城上，也分不清哪边是塞内、哪边是塞外，两边的景色一样令人动容。长城蜿蜒无际，伏卧在原本就险峻的山势上，难怪当年清兵一直不得其门而入。除了长城外，杨教授更请清华大学的张汉一教授替我们安排行程，参观其它的古迹。我们利用最后一天半的时间，参观了天坛、故宫、颐和园和明十三陵中的定陵。其中，较令人感到遗憾的是，大部分的古迹饱尝战火和十年文革的蹂躏，现在我们所看到的大多是后来才修复，其用料选材自然和原建筑不尽相同。定陵是万历皇帝花了相当于当时两年的岁入所建成的，却在多尔衮入关时被毁，重建后的明楼当然是比不上原本的气派华丽。

参加这趟旅程确实是获益良多，特别感谢校方在旅费上的补助和张罗行程的筱文小姐。

【之三】

撰文：光电所博士班学生吕志锋

前言：

我要感谢此次校方给予经费上的补助，让我们有机会参与此次在大陆北京举办的国际奈米光电研讨会（iNOW, International Nano-Optoelectronic Workshop），进行学术交流并观摩各国先进们的尖端研究成果。该会议是美国柏克莱大学的Berkeley Nanosciences and Nanoengineering Institute (BNNI)所主办，北京清华大学、北京大学及兰州交通大学提供会议场地并且协办 ，而此次在北京的会期是七月二十九日至八月五日共八天。本会议吸引众多国家的学生、教授以及业界的研究人员参与，其研究的主题主要可分为以下几个领域：

• Photonic Crystal and Devices

• Nano-Opto Devices and Materials

• Physics of Nano- Structures

• Advanced Technologies for Thin-Film Deposition and Processing

• Solar Cells

• LEDs and Lasers

• Vision and Applications

与会经过：

我们一行人抵达大陆北京时，大会已派遣工作人员于机场等候，并引领我们回到清华大学并完成相关手续。而大会更贴心地给每两个外地学生分配一位当地学生作为协助人员，足可见此次会议的用心及大陆大学对国际形象的经营。会议中有来自各国研究机构的人员，每场演说都具有相当的水准，每每引起台下不小的回响和踊跃的发问讨论。尤其是本所特聘讲座教授厉鼎毅(Tingye Li)老师，其知识涉猎广泛分布在各项光电领域专业，往往在大家讨论陷入胶着时提出独到精辟的意见，令人佩服厉教授于如此年纪，还有过人的思维反应及精神，是同样做为从事科学研究的我们这些后辈们，所值得效法看齐的。

此次研讨会除了让我们在会场藉由精采的演说了解目前光电科技及奈米技术的发展成果与驱势外，最不同于一般国际研讨会的是此次大会妥善安排我们的生活起居，不论是出入交通或是伙食住宿，皆设想周到，并且准备各项代表中华文化的表演与古迹参观，每每令人赞叹不已。同时以此方式让我们更容易与所有与会的学生们建立互动关系，增加彼此学术知识的交流机会。全程大部分以英文沟通，对于英文听及说能力方面确实也有达到增强助益之效果。

迈向顶尖大学计划研究成果专栏

Carrier Transport and Recombination in Mixed-host Organic Light-emitting Device

Professor Jiun-Haw Lee

Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

台湾大学光电所李君浩教授

Carrier transport and recombination in a mixed-host organic light-emitting device (OLED) can be determined by fitting the current-voltage characteristics and inserting a thin probe at different positions of the device. Furthermore, the latter approach increases the recombination current and improves the power efficiency.

We used N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-napthyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine (NPB) as the hole transport layer (HTL) material and tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq₃) as the electron transport layer (ETL) material. The bipolar emitting layer (EML) was a mixture of NPB and Alq₃ with different mixed-ratios. Fig. 1 shows the experimental and simulated J-V characteristics. The driving voltage increased and then decreased with increasing the NPB concentration. Raising NPB concentration leaded to the enhanced hole-current and reduced electron-current. The hole-current enhancement did not compensate the electron-current decline when the HTL ratio increased from 0 to 25%. The sequential increase of HTL material concentration from 25 to 100% resulted in the voltage reduction on account of rapidly boost of hole-current.

Besides, we inserted a very thin 4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-1,1,7,7- tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB) layer (1.2 nm) with 2 vol. % in different positions of the EML layer (NPB:Alq₃=1:1) to detect the distribution of the recombination-rate. In Fig. 2, we show that the relative intensity of probe/matrix at 2.5 mA/cm² and the driving voltage at 100 mA/cm² as a function of the probe positions. The curve of driving voltage versus probe position is almost the inverse of that of intensity ratio. The position of the maximum red/green ratio and the minimum driving voltage are 10 nm from the HTL/EML interface. This phenomenon is attributed to the higher recombination rate of the high-quantum-yield red dopant than that of the matrix, and thus driving voltage decreases due to the increase of the recombination current.

Flexible Thin Film Transistors

Professor I-Chun Cheng

Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

台湾大学光电所陈奕君教授

Flexible electronics are under intense research today because they possess desirable features of lightweight, ruggedness, and flexibility. To realize these flexible electronics, a flexible transistor backplane is the basic requisition. We have been working on amorphous silicon thin film transistors (TFTs) made on glass and flexible organic polymer foil substrates. The TFTs have staggered, bottom-gate geometry with back-channel cut. Both as-fabricated TFT performances and bias-stress stabilities are investigated. It has been found that the TFT performances as well as stabilities are primarily dependent on the processing temperatures, not a function of substrate types.

We also explore the nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin film transistor, which is a potential candidate for high performance flexible electronics. This is particular interesting because it can be made in a way which is fully compatible with present a-Si:H technology. The TFTs are fabricated in a staggered top-gate, bottom-source/drain geometry on top of a nc-Si:H seed layer. The top-gate geometry is adopted to take advantage of the high carrier mobilities available at the top of nc-Si:H films, and the seed layer is used to promote rapid nucleation of the channel layer. Self-alignment process is also applied to the nc-Si:H TFTs by combining back-side photolithography with lift-off patterning of the top-metal contacts. The self-aligned nc-Si:H TFTs have similar characteristics to that of their non-self-aligned counterpart, which indicates that the UV exposure through the nc-Si:H channel does not cause significant degradation.

Performance of InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with different Si doping profiles

Professor Yun-Li Li

Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

台湾大学光电所李允立教授

III-nitride based high-brightness light-emitting diodes (LEDs) have attracted a lot of attention due to their various applications on signage, back-lighting and illumination applications. Many efforts have been made to improve material quality, light extraction efficiency, and metal-semiconductor ohmic contacts so that emission efficiencies of LEDs based on this material system have improved drastically.

In this study, different Si-doping profiles for the barriers of InGaN/GaN MQW LEDs are investigated and the measurements of the electrical and optical performance of these LEDs are discussed. Investigation of IQE results indicates that with an increasing number of doped barriers, the internal quantum efficiencies increase owing to the compensation of QCSE and higher carrier densities. However, after LED chip fabrication and single die packaging without epoxy encapsulation, the EL radiation flux measurements show that when the number of doped-barriers increases, early radiation flux saturation and low external quantum efficiencies are found under high current injection.

实验室介绍

奈米生医暨微机电系统设计实验室---蔡睿哲教授

本实验室除了发展光学微机电系统外，亦从事其它光电、生医、微机电等方面的相关研究。以下列举本实验室其中几项研究：

微机电镜片特性曲线之线性化

我们采用了差动电压﹝Differential Voltage﹞来驱动镜子，方法是将差动电压对±V_Differential分别与一直流偏压﹝DC Offset Voltage﹞迭加；换句话说，每个电极上所施加的电压为V_DC+V_Differential或V_DC-V_Differential。我们尝试不同的直流偏压，以寻找最佳的直流工作点；差动电压V_Differential则是在-10V至+10V之间调整，以改变镜子的旋转角度。相较于传统的非差动电压驱动之方式，此方法可使微镜片的特性曲线﹝即旋转角度vs.电压﹞更为线性；另外，控制电压﹝即V_Differential﹞仅需±10V，可由计算机接口直接输出，不需使用功率放大器。

波长选择切换器之通道间响应分析

我们开发了一个以傅氏光学﹝Fourier Optics﹞为理论基础的模型，应用于微机电波长选择切换器，以分析该系统的信道间响应﹝Inter-Channel Response﹞。此通道间响应是WDM系统中所不希望见到的，而此模型则证实了该响应与输出端口位置之间的关联性，因此我们可藉由调整输出端口的位置来予以抑制。

扩散光学断层扫描﹝Diffuse Optical Tomography﹞

扩散光学断层扫描﹝Diffuse Optical Tomography，简称DOT﹞在近几年来已被广泛地应用于生医造影上，包含人脑、乳房、及关节等部位的成像。我们与工研院医疗器材科技中心研究员孙家伟博士合作，使用了两种不同波长的红外光 激光─780 nm及850 nm，于表面多个位置轮流入射，其后光在生物体内传播的过程中，会受到生物组织的吸收﹝Absorption﹞及散射﹝Scattering﹞。最后，部分的光会「扩散」回到生物体的表面，由位在表面的光侦测器﹝Photo Detector﹞接收量测。在此架构中，取得生物体影像的重要因子，是脱氧血红素﹝Hb﹞及含氧血红素﹝HbO₂﹞的分布及含量；脱氧血红素与含氧血红素对于光的吸收能力是有差异的，且光波长改变时，两者之间的差异亦会随之产生变化。我们依据光侦器量测到的数值，配合递回﹝Iterative﹞式的算法，可重建生物体内吸收系数分布之图像；而此吸收系数分布图像，亦隐含了组织内脱氧及含氧血红素的分布情形。由于初期的组织病变通常伴随着脱氧及含氧血红素含量之改变，因此我们可以藉由这个技术来判定特定部位是否有病变产生。研究的过程中，除了重建算法﹝Reconstruction Algorithm﹞的建立之外，我们亦针对硬件进行开发。传统上，DOT系统主要是以光纤来导光及收光，其收光效率﹝Coupling Efficiency﹞往往是个较大的问题。我们则是将多个光源﹝使用 激光二极管，即Laser Diode﹞及光侦测器﹝使用Photo Diode﹞直接固定于软性电路板上，在量测时将此软性电路板贴在待测体的表面；如此一来，就可解决传统上使用光纤的缺点，进而提升讯号噪声比﹝Signal-to-Noise Ratio，SNR﹞及影像品质，同时亦可降低成本并缩小系统的体积，使其在操作或携带移动上更为方便。在8.5cm´8.6cm的软性电路板上，我们放置了六对 激光二极管﹝每对中有一个780 nm及一个850 nm之光源﹞与十二个光侦测器。系统架构及临床量测生理讯号如下图所示：

目前本研究已成功在临床量测上有了初步的成果，未来将会以临床脑功能影像量测以及心血管疾病的诊断为目标，使DOT能在医学研究上提供更多的帮助。

光电要闻

— 数据提供：影像显示光电科技特色人才培育中心．影像显示科技知识平台 —

— 制作：林晃岩教授 —

3D互动影像显示产业联盟成军

8/17在台北福华文教会馆，由工研院邀集友达、奇美、华映、瀚宇彩晶等多家面板业者，以及太极影音、鈊象等数字内容与系统业者近20家厂商，共同发起「3D互动影像显示产业联盟」，希望透过整合跨产业厂商力量，发展3D互动影像的软硬件设备及数字内容，建立完整3D互动影像的产业链，以期带动台湾数字内容自主发展及LCD面板产业另类应用的新价值，开创台湾立体影像产业发展的新契机。

工研院电光所詹益仁所长表示，3D互动影像是继高画质影像之后的数字影像发展趋势，因应而生的3D LCD显示器也将是未来发展的新方向，据国外研究报告指出3D显示器市场将由2007年的3亿美元的规模，扩大到2010年20亿美元以上，市场前景可期。工研院李钟熙院长表示，3D互动影像是一个高度整合的产业，不仅需整合前段软硬件系统，更要有后段应用诸如游戏软件、数字内容及影音制作等业界投入，是与娱乐、教育及生活息息相关的应用产业。

同日在福华文教会馆也举办3D Imaging & Display Technology International Conference 2007，工研院电光所徐绍中副所长邀请美、日、韩的专家学者与会，演讲他们在3D领域的最新技术与产业进展；现场并展示包括：屏幕可作2D/3D切换的3D立体影像技术、可配戴特殊滤光眼镜观赏3D立体影片的42吋液晶电视、太极影音与故宫合作的「国宝总动员」3D动画影片等，韩国专家也展示可拍摄与显示3D立体照片的手机。整个活动在台风来临前圆满结束。

健康小站

吃香蕉真的会对骨头不好吗？

有此一说：

听说筋骨曾经受过伤的人，最好不要吃香蕉，请问是真的吗？

KingNet 营养保健咨询科营养师回答：

（桃园敏盛综合医院健康美学中心　陈正育营养师）

香蕉并不会对正常的骨头有任何影响，但对于受到筋骨（运动）伤害的患者而言，确是要小心食用。其实，民间口耳相传：「筋骨伤不可吃香蕉」，依其中医学理角度看来确有其根据。骨折、筋骨扭伤不可吃香蕉，是由于香蕉含磷稍高，若吃多了易使体内钙质相对降低，对骨折病人的复原不利。香蕉所含的高醣份，在代谢后，会消耗体内更多的维生素B1，造成神经、肌肉的协调失衡，引发伤处的疼痛或恶化。再者，香蕉中过高的镁，易造成随意肌肉的麻痹及肌腱的疼痛。

其实在一般的情况下，反而鼓励大家多吃香蕉，因为香蕉含有维生素A、B1、B2、B6、烟碱酸、叶酸、C，及矿物质钙、磷、铁、镁、钾、锰等，其中，钾含量特别丰富，镁的成分也很高，更是食物中锰的最佳来源之一。另外香蕉富含水果特有的果胶质，可以促进肠道的蠕动，具有帮助排便的效果。

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