發行人：楊志忠所長    編輯委員：蔡睿哲教授    主編：林筱文    發行日期：2007.03.01

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最新消息與活動公告

歡迎陳奕君、吳育任、何志浩教授加入光電所∼

光電所師資群加入新成員囉！本所自2月1日起新進3名專任教師，學經歷與專長分別簡介如下：

   光電所95學年度第2學期博士資格考核日程如下：

   本所3月份演講公告：

所務公告及活動花絮

臺灣大學工學院、電機資訊學院與韓國首爾大學工學院

交換學生計畫合作備忘錄簽署

（時間：96年1月15日；地點：台灣大學電資學院博理館七樓會議室）

為促進彼此在學術上的交流合作，本校工學院及電機資訊學院於本年（96年）1月15日與韓國首爾國立大學（Seoul National University）工學院就交換學生計畫，正式簽署了一份合作備忘錄，將學生交換之年限、人數、相關規定等細節訴諸文字，為雙方日後的交流合作展開新頁。

此次簽約儀式選於當天上午11時假臺灣大學校總區博理館七樓會議室舉行。首爾國立大學方面由工學院院長Professor Doh-Yeon Kim（Department of Materials Science and Engineering, Dean of the College of Engineering）偕同該院主管國際交流事務之副院長Professor Woojae Seong（Department of Ocean Engineering, Associate Dean for International Affairs, College of Engineering）及材料系教授Professor Euijoon Yoon（Department of Materials Science and Engineering）親臨本校，與本校工學院葛煥彰院長及電機資訊學院貝蘇章院長共同簽署協議書；台大方面參與會議者除兩位院長，尚包括電機資訊學院歐陽明副院長、光電所楊志忠所長、應力所沈弘俊教授、光電所李允立教授等。會議當天依序由本校工學院、電機資訊學院及首爾大學工學院進行簡報，藉由簡單的介紹及詢答討論增進彼此的認識，之後正式簽署中、英文版本的合作備忘錄。

雙方與會代表於簽約儀式中合影，前排左起依序為：貝蘇章院長、Dean Doh-Yeon Kim、葛煥彰院長；後排左起依序為：Prof. Euijoon Yoon、Prof. Woojae Seong、楊志忠所長、歐陽明副院長、李允立教授

另外，會議中本校光電所亦同時與首爾國立大學工學院材料系（Department of Materials Science and Engineering）簽署一份學術交流合作備忘錄，主要規劃雙方系所研究生每年學術交流研討會之舉辦。本校光電所與該校材料系已於去年11月下旬成功舉辦雙方博士生「第一屆光電子材料與元件研究生交流學術研討會」，預計合作備忘錄的簽署將能為此活動奠定更加良好的合作基礎。

雙方與會代表會後於博理館前合影，前排左起依序為：貝蘇章院長、Dean Doh-Yeon Kim、葛煥彰院長；後排左起依序為：歐陽明副院長、Prof. Woojae Seong、Prof. Euijoon Yoon、楊志忠所長、李允立教授

特別報導

∼與韓國首爾國立大學（Seoul National University）

博士生交流活動計畫  系列報導∼

【第一屆臺灣大學—首爾大學光電子材料與元件研究生交流學術研討會】

（時間：95年11月19日至24日；地點：韓國首爾國立大學）

【之三】

撰文：光電所博士班學生巫漢敏

在楊所長、黃副所長及李老師的領導下，我們十位博士班學生在首爾大學完成了一次成功的雙邊研究生學術交流與認識之旅。在出發前的數次行前會議中，所長特別強調這是一次外交之旅，除了讓我們學生增廣見聞、直接進入韓國生活之文化、研討會中學術交流外，更希望代表台灣大學光電所的我們能把握為期四天的研討會，與韓國首爾大學的學生建立長久友誼關係的開始，讓我們不單單只是著眼於台灣的發展，培養全球化宏觀的視野。月前，我也參加了在日本京都的京都國際會議中心（著名之97京都議定書也在此簽訂）所舉辦的2006年國際氮化物半導體研討會 （IWN2006），在會議中心的入口處發現了並拍下這面石刻—「世界為一」，我想這也同是象徵那不可遏抑的世界全球化趨勢。帶著對楊所長、黃副所長及李老師辛勞帶隊與全力支持學生的感謝，也帶著這信念，我很開心我能有這次機會前往韓國、認識韓國，還能與傑出的人們結識作為朋友，是難忘的經驗與回憶。

而首爾的學生們呢？在正式開幕儀式後的第一次休息時間，羞澀與陌生的感覺是雙方共有的，一時之間，很難突破，這是因為語言的關係了。與台灣相比，韓國的英語教育並不如台灣，在一般的韓國街道與餐廳，英語並沒有比比手劃腳一陽指來得方便，是故眼前的韓國研究生朋友們對於英語並不是非常熟習，而來自台灣的我們對於英語當然也不是很熟習囉，對於要開口講英文是有點生澀與不慣，正是萬事起頭難，但是那開頭的第一步，必定是要務必要求自己踏出的。同行的每位同學，就是以開放的心胸與態度，熱情大方地與韓國朋友們一同聊天，漸漸地，每人的英語都越來越流利通順，對話能力都提升了不少，英語會話果真是多講多練習，都會有所增進。由於同樣都是年輕的學生，話題也不拘泥於單一方面，學術、生活、文化與飲食等，許多各式各樣的問題都是我們討論的話題，交流自己的意見與不同的生活文化，也認識彼此，開心愉悅的過程中，友誼也慢慢建立與穩固。

畢竟台灣與韓國同是亞洲四小龍之一，在許多領域上同是競爭的對手，加上多次球場比賽上的新仇舊恨，電子領域的強勢崛起，韓國囂囂然的轟然氣焰，都讓我們對於韓國的印象是敬佩中帶著敵意呀。然而這次在首爾大學的經驗，讓我對韓國的想法改變了一些，這群韓國朋友都是很好很親切的人，在四天的研討會時程中，越加熟識也就越加地喜歡他們這群朋友，在傳統的韓國燒肉店中與他們一同晚餐，暖暖的房間內，燒肉在盤上滋滋地散漫著肉香，燒酒入喉有淡淡的清香，大家輕鬆地聊天再一起開懷地大笑，非常地開心，照片中微笑的他們，是一群很棒的人。

與這群朋友的相識，也讓我想了想。實際上，不分大小等級、國際型或是國內型的研討會，研討會之功能除了學術交流外，最重要就是提供一個場合與時間，與會者可以在其中認識志同道合的學著，增進友誼，更實際地可以創造合作的機會，在研究之途上突破範疇。想想自己以往的經驗，在過去數年，曾有數次參加國際研討會的機會，不過如今我有些遺憾，當時的我並沒有把握這些機會，毛遂自薦地主動認識不同國家的朋友。原因並不在於英語能力不足而或是缺乏自信的羞澀，而是在於缺乏動機去主動認識其他的與會者。身為研究生的一員，我了解這是目前國內研究生的普遍現象。在會議場所內，常常看到四處集結的學生團體，學生還是習慣地與熟識的人相處在一起，但往往沒有把握機會去結識新的老師、學生或是廠商，確實是有些些可惜。換個角度思考，我相信實際上研討會的與會者，或多或少地都有想要認識新朋友的念頭，也樂於認識新的朋友，同樣地只是苦於缺乏動機與力氣去尋找認識的機會，蹉跎之間也就讓研討會寶貴的時間流去了。

而參加了這次研究生交流研討會，讓我了解到，其實只需要點個頭，帶著微笑與誠摯的心，在適當的時機主動地與其他與會者接觸，相信都可以如願地認識許多世界各地、或是來自國內其他大學的優秀學者，在這裡與各位分享我參加這次研討會的小小心得，也希望在我們台大校園、系館、課堂上或是無塵室中，也能有機會認識傑出的各位同學，感謝各位。

【之四】

撰文：光電所博士班學生蘇益信

到達韓國的時候已經是下午，搭著前往旅館的車，發現他們的街景其實和台灣差不了多少，所看到的店面密度，就像是在台北市的周邊地區。這一次住的是首爾大學裡的附設旅館，應該是專供到學校參訪學人的住宿，整體的設計就像是一家獨立的旅館，完全看不出是學校的附屬單位，旅館大廳寬敞、明亮，照片中背面的牆上則是一個展示首爾大學相關紀念品的櫃子，那大概是整棟建築裡唯一能讓人聯想到首爾大學的地方。旅館內的餐廳菜色應該是都不錯，所以還有人在此舉行婚禮之類的。不過要能讓這樣的一家旅館生存在校內，他們一定有相當數量的國際訪客，來支持服務生、餐廳廚師以及清潔人員的薪水。

第二與第三天是研討會，在首爾大學校內製程中心二樓的會議廳，雙方的實驗與演講功力雖然差不多，不過可以看的出雙方的研究重點並不同，我們比較注重的是元件的功能、以設計改善元件的特性，或是開發新製程。韓方則比較偏向既有製程的改善，以及材料特性的探討。所以我們需要的是靈活度較大的客制化（或自製）設備，學生則要能處理很多產業界遇不到的製程問題。而他們作研究需要使用與產業界相近的設備，才能有確定的數據與其他公司的研究成果做比較，而做研究的人要有足夠的理論基礎，才有能力分析材料的特性。結論是，韓國做研究，要花大錢買精良的設備，要花更多功夫培養能夠做研究的人才，所以他們才會需要政府出資蓋製程中心，但也使得學校比較容易和產業界合作，取得資金。一旦基礎的設備夠完整，有效人力足夠，其實不管要做什麼都會輕鬆很多，也不需要擔心經費的問題。

因為現在的韓國太向產業界傾斜，也是會有人覺得基礎的研究在韓國國內不受支持，只有能幫產業界賺錢的的研究計畫才容易找到贊助，所以考慮往歐美發展，還說台灣作基礎研究的環境比韓國好，真的是國外的月亮比較圓。

說到學校的景色，台大就真的完全被比下去了。首爾大學是在市郊的山丘裡，所以環境空曠而且樹木多，多是楓樹與銀杏，所以這個季節應該是最漂亮的的時候。走在校園裡，一棟棟建築感覺就像溪頭度假區裡的旅社，或是風景區管理處，雖然不是什麼有紀念價值或人文氣息的建築物，但是讓人比較有空間感，譬如下面兩張圖是其中一間學生餐廳，窗戶外則是兩三層樓高、亂石遍地的溪谷，在台灣大概只有度假區的餐廳才有這種視野。

第四天是此次行程的重頭戲，參觀他們的兩個製程中心。第一個是在會議地點旁的ISRC，1985年開始籌備，1988 年開始營運，比NDL開始的早一點，以前專注發展在矽的CMOS製程，現在開始慢慢有一些其他領域的設備，而且收集了不少從大公司的晶圓廠淘汰下來的二手設備，畢竟是國家級的地方，佔了一整棟建築物，一開始就規劃好無塵室的空間，把所有的管線安排在地板下，真空幫浦則放在無塵室外以減少油污及震動，有足夠空間容納齊全的設備，不過我想NDL應該也差不多。另一個地方則是KANC，最近新落成，政府投資了約150 million USD，約45億台幣，目標則是一座能夠提供完整設計、製造及量測服務的中心，規模相當於一家公司，除了作業員的數目不像一般公司那麼多。這兩個製程中心能夠順利運作，重點在於它有專職的人員負責設備的維護。以ISRC為例，他們有工作人員協助各實驗室做毒性氣體的配管 （不鏽鋼管），有人處理機台發生的大小問題，這些人員雖然不做研究，說不定還只有五專畢業，卻能大幅減少設備的耗損，厲害一點的說不定還能改裝設備，這應該是比學生更重要的研發能量，不過很明顯的，我們並不重視，而且這類似黑手的工作也沒人想做，所以碰上有問題的設備，我們只能花大錢換新的。

這一次去韓國看到的應該是他們最好的一面，資源最集中的地方，比較可惜的是沒能到他們各教授自己的實驗室看一看，不知道是不是真如他們所說，沒有一個單位有能力自己負擔一間無塵室，還是因為他們眼光太高，所以對簡易型的無塵室不屑一顧。無論如何我們應該把眼光往上看，希望台大能不要有被比過去的機會。

邁向頂尖大學計畫研究成果專欄

Phosphor-free, all-InGaN/GaN quantum-well white-light light-emitting diode of stable spectrum and almost ideal CIE chromaticity condition

Professor C. C. Yang’s Group

Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, National Taiwan University

(e-mail) ccy@cc.ee.ntu.edu.tw

臺灣大學光電所楊志忠教授研究群

We successfully fabricate a white-light InGaN/GaN quantum-well (QW) light-emitting diode (LED) with its electroluminescence spectrum close to the ideal condition in Commission International de l'Eclairage (CIE) chromaticity. The epitaxial structure is grown with a special technique of metalorganic chemical vapor deposition. The special growth technique leads to the efficient yellow emission from a few high-indium InGaN/GaN QWs. The color mixing for white light is implemented by adding a blue-emitting QW at the top of the yellow-emitting QWs. The blue shifts of the blue and yellow spectral peaks of the generated electroluminescence spectra are only 1.67 and 8 nm, respectively, when the injection current increases from 10 to 70 mA. Such small blue shifts imply that the piezoelectric fields in our QWs are significantly weaker than those previously reported. This result represents the fabrication of the first phosphor-free white-light LED of almost ideal CIE chromaticity condition in the world. Use of phosphor in fabricating white-light LED has the disadvantages of lower efficiency and lower reliability. This accomplishment should be useful for the developments of solid-state lighting and display.

Fig. 1 LED output spectra at various injection current levels.

Fig. 2 Picture of a two-inch epitaxial wafer with a portion excited with 20 mA current.

A CO₂ Laser RTA SiO_x Based MOSLED

Professor Gong-Ru Lin’s Group

Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, National Taiwan University

(e-mail) grlin@ntu.edu.tw

臺灣大學光電所林恭如教授研究群

Enhanced near-infrared electroluminescence (EL) of a metal-oxide-semiconductor light emitting diode (MOSLED) made on CO₂ laser-annealed SiO_x film is demonstrated.  The CO₂ laser rapid-thermal-annealing (RTA) at an optimized intensity of 6 kW/cm² for 1 ms assists the synthesis of nc-Si within plasma-enhanced chemical vapor deposition-grown SiO_1.25 film.  The oxygen-related defects accompanied with the laser RTA process are capable of improving the Fowler-Nordheim tunneling mechanism, which essentially helps carrier injection through the barrier at metal and oxide interface.  In comparison with the sample prepared by conventional furnace annealing, the CO₂ laser RTA induced defects effectively reduce the tunneling threshold from 3.2 to 1.8 MV/cm.  To date, an output EL power of nearly 50 nW from ITO/CO₂ laser RTA SiO_x/p-Si/Al MOSLED under a biased voltage of 85 V and current density of 2.3 mA/cm² is preliminarily reported.

Fig. 4. Plot of ln(JG/E2) as a function of 1/E for CO2 laser-annealed and furnace-annealed MOSLEDs.	Fig. 5. P-I curve of the furnace and CO2 laser annealed SiOx based MOSLEDs.
Fig. 7. EL spectra of MOSLEDs made by CO2 laser RTA (line) and furnace-annealed (square) SiOx with decomposed curves at 590, 715 and 810 nm (dashed).	Fig. 8. Far-field EL patterns of CO2 laser RTA (left) and furnace-annealed (right) MOSLEDs.

人物專訪

實驗室介紹

微光學實驗室（Micro Optics Laboratory）---蘇國棟教授

蘇國棟教授研究領域：

                           1. Optical Micro-Electro-Mechanical Systems (Optical MEMS)

2. Display Technology: Micro Imprinting Technologies for Micro Lenses

                           3. Optical Communication Components- Switching and VOA

                           4. Display Vacuum Panels Research

                           5. MEMS Bio-sensors for Carbon-dioxide Gas

一、概要

本實驗室主要分為兩個區域—光學設計模擬區和光學元件量測區。在光學設計模擬區當中，設置兩部 Linux 高速運算電腦針對傳統光學鏡片和繞涉元件來分析計算。除此之外，另設有一部備有陣列硬碟高容量檔案伺服器用以儲存模擬結果，並可進行資料自動備份工作，以確保資料安全。目前實驗室除了自行研發光學軟體外，並配有ZEMAX、TRACEPRO和OSLO商用光學模擬軟體。至於光學元件量測區中，配有氣浮式光學桌、防震光學桌儀器架、可見紅光及紅外線雷射光源、光源能量測器、光束輪廓儀、高精密度五軸微致動架、高電壓直流電源、全彩CCD監視器、立體顯微鏡2台及影像處理電腦等，相當適合針對一般微小光學元件作定性化量測。

本實驗室目前研究課題為利用奈米光機電製程技術製作光切換器與光衰減器、紅外線真空量測系統之光學系統研究、表面電將應用於太陽能電池研究以及有機可變薄膜研究，以下將會簡單介紹本實驗室研究內容與成果。

二、目前研究課題

(1) Optical Switches

本實驗室使用微機電系統(Microelectromechanical systems)，成功設計及製造出多阜輸出及輸入光切換器。微機電系統是微米大小的機械系統，其中也包括不同形狀的三維平板印刷產生的系統。這些系統的大小一般在微米到毫米之間。在這個大小範圍中日常的物理經驗往往不適用。比如由於微機電系統的面積對體積比比一般日常生活中的機械繫統要大得多，其表面現象如靜電、潤濕等比體積現象如慣性或熱容量等要重要。它們一般是由類似於生產半導體的技術如表面微加工、體型微加工等技術製造的。其中包括更改的矽加工方法如壓延、電鍍、濕蝕刻、乾蝕刻、電火花加工等等。本實驗室利用此奈米光機電製程技術，如針鍍、濕蝕刻、乾蝕刻，及光顯影的技術，更利用精準的設計與量測，應用電磁力裝置於光切換器中，製作低電壓微機電式之二維光切換器，目前成果操作電壓已可小於1伏特，進而可運用在WDM(wavelength-division multiplexing)光通訊系統中。而本實驗室也將此成果發表於Proc. of SPIE與Journal of Light Wave Technology及多項國際期刊與研討會，下圖為發表成果與設計理念。

(2) Variable Optical Attenuator

光衰減器(VOA)可用在調整光傳輸能量及在WDM系統中等化不同通道之能量，本實驗室設計利用滑動式鏡面之光衰減器，並使用微機電矽半導體製程之技術製作光衰減器，成功製作出不需任何複雜控制電路且低製作成本的光衰減器，並在施加電壓小於0.6伏特就可達到超過30dB的衰減量，下面兩圖為已發表之論文測量結果，前圖為光衰減器切換前後的能量分布圖，後圖則為施加電壓與衰減量之測量圖。

(3) Display Vacuum Panels Research

場發射器 (FED) 具有較液晶顯示器高畫質且低生產成本的特性，為極具潛力之下一代平面顯示技術。此研究內容為設計一新穎之FED 面板真空量測技術用以輔助 FED 研發，以克服量產困難。本實驗室提出利用紅外線非侵入式的特性來針對氣體種類及濃度來進行量測並推斷出FED面板內之真空度，並利用實驗中所取得的量測數據來嘗試分析面板的真空度。經由多次改進光學系統，本實驗室已大幅提高量測之準確性，並可觀測到低壓真空面板中的訊號強度較高壓面板中減弱許多。

下圖是實驗設計架構：

(4) Organic Membrane Studies

有機聚合物薄膜可用來當作可變式面鏡，加以調整焦距及放大倍率，本實驗提出的這樣的概念以設計出不需機械式馬達調整焦距之可變式光學系統。現今的可調變焦距光學系統皆需要使用到機械式步進馬達，所需大小約需要10厘米，以致於無法放置於薄型化之物件，如手機等。在本實驗室提出的系統裡面，最主要的關鍵元件就是可變形式面鏡(Deformable Mirror)，我們所製作出的可變式面鏡擁有大於市面上的商用鏡頭約100倍的聚光能力，並達到小於15奈米的粗操度，並因為接近拋物面鏡，在光學顯像系統中擁有較小的像差，並擁有較小體積可運用於薄型化之物件。

(5) LED Package Design Research

發光二極體是現今台灣產業相當重要的一環，在未來高光通量，及白光LED都會有著多方面的應用，本實驗室使用光學軟體TracePro及熱學軟體Flunt來模擬更大量的LED晶片的封裝技術，並加以重新設計與改進，並運用微光學菱鏡改變及擴散單色光行進方向，達到白光的均勻度。在熱學方面，我們藉由Ansys模擬軟體初步了解LED之機械結構，與利用Flunt模擬軟體熱力學及流體力學，來研究各式封裝方式對於發光二極體陣列有何影響，下圖為本實驗室模擬結果。

健康小站

晚上洗頭最好？!

有此一說：

「曾聽說早上3點到10點期間洗頭，洗髮精成份很有可能會阻塞毛孔，而造成落髮！你知道嗎？因副交感神經作用，末梢血液循環最活躍的時間是在晚上10點到凌晨2點，也是讓頭髮生長的毛母細胞新陳代謝最旺盛的時候。

隨著細胞增殖，頭髮會在早上3點到10點期間生長，此時毛孔呈現鬆弛狀態，如果在此期間洗頭，洗髮精成份很有可能會阻塞毛孔，而造成落髮！所以想要擁有美麗濃密的秀髮，最好將洗頭的時間移到晚上哦！」

請問上述文章內容是真的嗎？謝謝解惑！

KingNet 禿髮治療科醫師回答：

（晨曦生活診所院長　趙習稚醫師）

1. 頭皮血液循環在PM7:00至PM9:00最好，血液循環好，能增加新陳代謝；清晨至上午時間，循環較差─尤其清晨。

2. 毛囊是毛母細胞的家，毛囊的維護與頭皮代謝有關；遇到不適合的洗髮精比洗的時間更嚴重，頭皮的多寡，

    可以做為一種指標。

本文由【KingNet 國家網路醫院】提供

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