光電所所訊

馮哲川教授分別於西元1968及1981年在中國北京大學取得大學及碩士學位，其後在1982年移民到美國定居，並在1987年在匹茲堡大學(University of Pittsburgh)取得博士學位。

工作經驗：

1. Emory University(1988-1992)

2. 新加坡大學(1992-1994)

3. Georgia Tech(1995)

4. Emcore Company(1995-1997)

5. Institute of Materials Research & Engineering, Singapore (1998-2001)

6. Axcel Photonics(2001-2002)

7. Georgia Tech (2002-2003)

2003年秋天接受到台大的聘任加入了台大光電所暨電機系。

馮教授曾擔任 Guest Editors for two journals: Thin Solid Films, Surface and Coating Technology, two special issues for the 3rd Asian Conference on Chemical vapor deposition (3rd Asian CVD)；目前在台灣鍍膜科技協會擔任理事。

研究領域：

主要研究領域：

半導體長晶技術及材料研究, 多學科檢測技術在光學/電子材料/結構的應用, 寬能隙半導體製程及元件研製, 電腦理論模擬寬能隙半導體及奈米結構之光學和材料特性。

目前的研究方向：

寬能隙半導體的研究發展在這幾年己經引起全球高度的注意及投資。以GaN為基礎及其他材料的器件,如藍光發光二極體(LED),電射二極體,快速電力電子元件,己經在台灣形成新的工業.在過去幾年裡,台灣的InGaAlP高亮度綠-紅光的LED生產量從0%成長到80%.在2003年,台灣,中國和韓國的GaN生產量成長700%,且共同在全球市場佔有率達40%.亞洲生產幾乎所有CD/DVD的雷射.而藍光DVD規格的雷射也即將如此.這些所有材料主要是利用金屬氧化物化學氣相磊晶 (MOCVD)技術所製成的.更進一步的研究將會著重在快速推廣白光固態發光,並將人類的照明技術自100年前愛迪生發生燈泡後,引導到另一個新的境界.

現在的研究課題主要是著重在寬能隙半導體金屬氧化物化學氣相磊晶的成長，多學科材料研究及奈米器件研發。希望對於以上複合材料的改進提供貢獻，例如：探索不同的長晶方法，研究生長過程的缺陷和問題，深入其物理機制和了解光學及結構實驗上的發現，探索新路徑以控制生長過程中產生的缺陷，以製成高質量的氮化物和其他磊晶材料。所有研究工作，包括學生，都是在良好的科學及技術環境下展開的，如在光電所及台大的實驗室，或者是由企業及國家所提供的實驗室。研究生在寬能隙半導體的基礎知識，理論及實驗，金屬氧化物化學氣相磊晶(MOCVD)技術及各種製程都將會在國家或者是國際的實驗室裡受到良好的訓練。

重要研究成果：

Temperature-dependent photoluminescence (T-PL)

The fitting result was also plotted by a red line. From the fitting, A and T₀ are calculated to be 0.106 and 52.968 K, respectively

Raman spectra: normal and cross-section incidence

Raman scattering of a MOCVD undoped GaN/sapphire, excited by 514.5 nm in the back-scattering geometry at RT.

Raman measurements on Cross-section of GaN thin films

Comparative m-Raman spectra of MOCVD-grown GaN/sapphire.

HR-XRD

Well/barrier width and average indium composition were estimated to be around 2.5/12.75 nm and 23.5 % by using Philips X’pert Epitaxy and Smoothfit.

HR-TEM

High-angle annular dark field scanning transmission electron microscopy (HAADF-STEM) For another MQW LED:

研究計畫列表：

計畫名稱	合作單位	時間	計畫經費
奈米結構性氮化物暨相關材料的磊晶和缺陷工程	國科會計畫	2004	74萬
寬帶隙半導體奈米材料的磊晶和缺陷工程	國科會計畫	2004-2005	147萬
奈米結構性發光器件用氮化物暨相關材料的磊晶和發光暨缺陷工程	國科會計畫	2005-2006	97萬
奈米國家型科技計畫	中央研究院原子分子科學研究所	2005-2008	40萬/年，以及四位學生研究經費
2006年台積電贊助半導體合作研究專案	台積電	2006-2007	85萬
功率與節能應用之塊狀與磊晶碳化矽的創新研究	國科會計畫	2006-2007	91萬

創作發表：

已發表過300多篇文章，並出過六本書。

代表著作：

1. Zhe Chuan FENG, “III-Nitride Semiconductor Materials,” Imperia College Press, UK, 430 pages, Mar. 2006

2. Zhe Chuan FENG, “SiC Power Materials – Devices and Applications,” Springer, Berlin, 445 pages, 2004

3. Zhe Chuan FENG and Jian H. ZHAO, “Silicon Carbide: Materials, Processings and Devices,” Taylor & Francis Books, Inc., New York, 389 pages, 2003

4. G. Xu and Z.C. Feng,, “Internal atomic distortion and layer roughness of epitaxial SiC thin films studied by short wavelength x-ray diffraction,” Phys. Rev. Lett., 84, 1926-1929, 2000

5. W. Chang, J. Lin, W. Zhou, S.J. Chua & Z.C. Feng, “Photoluminescence and photoelectron spectroscopy analysis of InGaAsN grown by metalorganic chemical vapor deposition”, Appl. Phys. Lett. 79, 4497-4499 (2001).

6. Z.C. Feng, “Micro-Raman scattering and micro-photoluminescence of GaN thin films grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition”, Optical Engineering 41, 2022-2031 (2002).

7. J.H. Zhao, P. Alexandrov, L. Fursin, Z.C. Feng & M. Weiner, “High performance 1500 V 4H-SiC junction barrier Schottky diodes”, Electronics Lett. 38, 1389-90 (2002).

8. Z.C. Feng, J.H. Chen, J. Zhao, T.R. Yang & A. Erbil, “Raman scattering of ferroelectric lead lanthanum titanate thin films grown on fused quartz by metalorganic chemical vapor deposition”, Ceramics International 30, 1561-1564 (2004).

9. Z.C. Feng, W. Liu, S.J. Chua, J.H. Chen, C.C. Yang, W. Lu & W.E. Collins, “Recombination Mechanism of InGaN Multiple Quantum Wells Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition”, Phys. Stat. Solidi (c), 2, 2377-2380 (2005).

10. Z.C. Feng , H.C. Lin, W. Lu, W.E. Collins & I. Ferguson, “Surface and optical properties of AlGaInP Films Grown on GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition”, Thin Solid Films 498, 167-173 (2006).