光电所所讯

冯哲川教授分别于公元1968及1981年在中国北京大学取得大学及硕士学位，其后在1982年移民到美国定居，并在1987年在匹兹堡大学(University of Pittsburgh)取得博士学位。

工作经验：

1. Emory University(1988-1992)

2. 新加坡大学(1992-1994)

3. Georgia Tech(1995)

4. Emcore Company(1995-1997)

5. Institute of Materials Research & Engineering, Singapore (1998-2001)

6. Axcel Photonics(2001-2002)

7. Georgia Tech (2002-2003)

2003年秋天接受到台大的聘任加入了台大光电所暨电机系。

冯教授曾担任 Guest Editors for two journals: Thin Solid Films, Surface and Coating Technology, two special issues for the 3rd Asian Conference on Chemical vapor deposition (3rd Asian CVD)；目前在台湾镀膜科技协会担任理事。

研究领域：

主要研究领域：

半导体长晶技术及材料研究, 多学科检测技术在光学/电子材料/结构的应用, 宽能隙半导体制程及组件研制, 计算机理论仿真宽能隙半导体及奈米结构之光学和材料特性。

目前的研究方向：

宽能隙半导体的研究发展在这几年己经引起全球高度的注意及投资。以GaN为基础及其它材料的器件,如蓝光发光二极管(LED),电射二极管,快速电力电子组件,己经在台湾形成新的工业.在过去几年里,台湾的InGaAlP高亮度绿-红光的LED生产量从0%成长到80%.在2003年,台湾,中国和韩国的GaN生产量成长700%,且共同在全球市场占有率达40%.亚洲生产几乎所有CD/DVD的激光.而蓝光DVD规格的激光也即将如此.这些所有材料主要是利用金属氧化物化学气相磊晶 (MOCVD)技术所制成的.更进一步的研究将会着重在快速推广白光固态发光,并将人类的照明技术自100年前爱迪生发生灯泡后,引导到另一个新的境界.

现在的研究课题主要是着重在宽能隙半导体金属氧化物化学气相磊晶的成长，多学科材料研究及奈米器件研发。希望对于以上复合材料的改进提供贡献，例如：探索不同的长晶方法，研究生长过程的缺陷和问题，深入其物理机制和了解光学及结构实验上的发现，探索新路径以控制生长过程中产生的缺陷，以制成高质量的氮化物和其它磊晶材料。所有研究工作，包括学生，都是在良好的科学及技术环境下展开的，如在光电所及台大的实验室，或者是由企业及国家所提供的实验室。研究生在宽能隙半导体的基础知识，理论及实验，金属氧化物化学气相磊晶(MOCVD)技术及各种制程都将会在国家或者是国际的实验室里受到良好的训练。

重要研究成果：

Temperature-dependent photoluminescence (T-PL)

The fitting result was also plotted by a red line. From the fitting, A and T₀ are calculated to be 0.106 and 52.968 K, respectively

Raman spectra: normal and cross-section incidence

Raman scattering of a MOCVD undoped GaN/sapphire, excited by 514.5 nm in the back-scattering geometry at RT.

Raman measurements on Cross-section of GaN thin films

Comparative m-Raman spectra of MOCVD-grown GaN/sapphire.

HR-XRD

Well/barrier width and average indium composition were estimated to be around 2.5/12.75 nm and 23.5 % by using Philips X’pert Epitaxy and Smoothfit.

HR-TEM

High-angle annular dark field scanning transmission electron microscopy (HAADF-STEM) For another MQW LED:

研究计划列表：

计划名称	合作单位	时间	计划经费
奈米结构性氮化物暨相关材料的磊晶和缺陷工程	国科会计划	2004	74万
宽带隙半导体奈米材料的磊晶和缺陷工程	国科会计划	2004-2005	147万
奈米结构性发光器件用氮化物暨相关材料的磊晶和发光暨缺陷工程	国科会计划	2005-2006	97万
奈米国家型科技计划	中央研究院原子分子科学研究所	2005-2008	40万/年，以及四位学生研究经费
2006年台积电赞助半导体合作研究项目	台积电	2006-2007	85万
功率与节能应用之块狀与磊晶碳化硅的创新研究	国科会计划	2006-2007	91万

创作发表：

已发表过300多篇文章，并出过六本书。

代表著作：

1. Zhe Chuan FENG, “III-Nitride Semiconductor Materials,” Imperia College Press, UK, 430 pages, Mar. 2006

2. Zhe Chuan FENG, “SiC Power Materials – Devices and Applications,” Springer, Berlin, 445 pages, 2004

3. Zhe Chuan FENG and Jian H. ZHAO, “Silicon Carbide: Materials, Processings and Devices,” Taylor & Francis Books, Inc., New York, 389 pages, 2003

4. G. Xu and Z.C. Feng,, “Internal atomic distortion and layer roughness of epitaxial SiC thin films studied by short wavelength x-ray diffraction,” Phys. Rev. Lett., 84, 1926-1929, 2000

5. W. Chang, J. Lin, W. Zhou, S.J. Chua & Z.C. Feng, “Photoluminescence and photoelectron spectroscopy analysis of InGaAsN grown by metalorganic chemical vapor deposition”, Appl. Phys. Lett. 79, 4497-4499 (2001).

6. Z.C. Feng, “Micro-Raman scattering and micro-photoluminescence of GaN thin films grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition”, Optical Engineering 41, 2022-2031 (2002).

7. J.H. Zhao, P. Alexandrov, L. Fursin, Z.C. Feng & M. Weiner, “High performance 1500 V 4H-SiC junction barrier Schottky diodes”, Electronics Lett. 38, 1389-90 (2002).

8. Z.C. Feng, J.H. Chen, J. Zhao, T.R. Yang & A. Erbil, “Raman scattering of ferroelectric lead lanthanum titanate thin films grown on fused quartz by metalorganic chemical vapor deposition”, Ceramics International 30, 1561-1564 (2004).

9. Z.C. Feng, W. Liu, S.J. Chua, J.H. Chen, C.C. Yang, W. Lu & W.E. Collins, “Recombination Mechanism of InGaN Multiple Quantum Wells Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition”, Phys. Stat. Solidi (c), 2, 2377-2380 (2005).

10. Z.C. Feng , H.C. Lin, W. Lu, W.E. Collins & I. Ferguson, “Surface and optical properties of AlGaInP Films Grown on GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition”, Thin Solid Films 498, 167-173 (2006).