發行人:楊志忠所長    編輯委員:蔡睿哲教授    主編:林筱文    發行日期:2006.05.01

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最新消息與活動公告

 

   本所95學年度博士班招生

招生名額:39

簡章發售:95428日至519(本校校總區門口)

報名日期:95518日至519

報名方式:上網填寫報名表,再依報名日期至現場報名(本校總區普通大樓地下室)

考試方式:審查、筆試、口試。

                    (審查及筆試成績優異者,優先錄取,不必再參加口試。)

筆試日期:95527日(星期六)

口試日期:95619日(星期一)

 

本所95學年度應屆畢業學士班在校生逕行修讀博士學位申請

招生名額:3名

申請期限:95年4月25日至95年5月5日止

申請地點:博理館601室   光電所辦公室施小姐

申請條件:本校應屆畢業學士班在學生,經肄業(或相關學系教授二人以上推薦為具有研究潛力,並同時具備下列

         條件之一者,得申請逕行修讀博士學位

                      一、修業期間學業成績總平均排名在該系全班(人數前三分之一以內。

                      二、有資料足資證明在光電相關領域之研究潛力者。

繳交資料:1. 逕修博士學位申請書可至本所或研教組索取

                      2. 教授二人以上推薦函

                      3. 歷年成績單

                      4. 其他有利審查資料如研究成果等

本所「顯示光電科技產業研發碩士專班」95年度季班招生

招生名額:7

簡章發售:95420日至519(本校校總區門口)

報名日期:95518日至519

報名方式:現場報名(本校總區普通大樓地下室)

筆試日期:95527日(星期六)

放榜日期:95627日(星期二)中午12時後

詳細招生資訊請密切注意光電所網站:http://eoe.ntu.edu.tw/

   氮化物及其應用研討會Workshop on Nitride Compounds and Their Applications

時間:95年5月12、13日(星期五、六)

地點:台灣大學博理館 101 演講廳

《議程》

Friday, May 12, 2006

Time

Speaker

Title

13:45 – 14:00

Opening Ceremony

14:00 – 15:00

IEICE Distinguished Lecture

Prof. Yasuhiko Arakawa

Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo, Japan

Growth and optical properties of GaN quantum dos for advanced lasers and single photon sources

15:00 – 15:20

Prof. Li-Chyong Chen  林麗瓊教授

Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, Taiwan

On-chip fabrication of bridging GaN nanowires as UV photodetectors with ultrahigh responsivity

15:20 – 15:40

Prof. Shangjr Gwo  果尚志教授

Department of Physics, National Tsing-Hua University, Taiwan

Structural and electronic properties of InN-bsed heterostructures and nanostructures

15:40 – 16:10

Break

16:10 – 16:30

Prof. Yan-Kuin Su  蘇炎坤教授

Department of Electrical Engineering (Advanced Optoelectronics Technology Center), National Cheng Kung University, Taiwan

Electrostatic dischargeESDengineering of nitride-based LEDs

16:30 – 16:50

Prof. Jen-Inn Chyi  綦振瀛教授

Department of Electrical Engineering, National Central University, Taiwan

Reflective p-type ohmic contacts for GaN flip-chip UV LEDs

16:50 – 17:10

Prof. Dong-Sing Wuu  武東星教授

Department of Materials Engineering, National Chung Hsing University, Taiwan

Patterned sapphire engineering for nitride emitting devices

17:10 – 17:30

Prof. Lung-Han Peng  彭隆瀚教授

Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, National Taiwan University, Taiwan

Realization of wafer scale GaN sub-mm photonic structures and devices

Saturday, May 13, 2006

Time

Speaker

Title

09:00 – 10:00

Prof. Ian Ferguson

School of Electrical and Computer Engineering, College of Engineering, Georgia Institute of Technology, USA

Is the future of general illumination solid state lighting?

10:00 – 10:20

Prof. Ching-Ting Lee  李清庭教授

Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Taiwan

Two-wave mixed near white emission of monolithic carbon-implanted light-emitting diodes

10:20 – 10:40

Prof. Shing-Chung Wang  王興宗教授

Department of Photonics & Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan

Recent advances in GaN-based quantum confined light emitting devices

10:40 – 11:10

Break

11:10 – 11:30

Prof. Yang-Fang Chen  陳永芳教授

Department of Physics, National Taiwan University, Taiwan

Novel properties of InN epifilms

11:30 – 11:50

Prof. Li-Wei Tu  杜立偉教授

Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Taiwan

GaN nanorods grown by PAMBE

11:50 – 12:10

Dr. Jenq-Dar Tsay  蔡政達博士

Electronics and Optoelectronics Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Taiwan

GaN thick films grown by HVPE technology

12:10 – 12:30

Prof. C. C. Yang  楊志忠教授

Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, National Taiwan University, Taiwan

Blue/green two-wavelength InGaN/GaN quantum-well light-emitting diodes for white-light generation

12:30 – 14:00

 

BL201

 

博理館

201會議室

Organized by

Dr. Y. S. Liu  劉容生博士

Institute of Photonics Technologies, National Tsing-Hua University, Taiwan

Panel Discussion: Nano-technologies for white-light generation

Invited Speaker:

Prof. W. N. Wang  王望南教授

University of Bath, UK, and currently visiting National Chiao Tung University, Taiwan

Solid State Light Strategy-lessons learned from Japan and USA

Lunch

(Lunch box will be provided)

14:00

Closing Ceremony

 

知名光電學者莊順連教授來訪∼

知名光電學者莊順連教授於95年3月22日來訪本所,並發表演說:「Slow Light Using Semiconductor Quantum Devices」。

莊順連教授於1976年畢業於台大電機系,1983年取得麻省理工學院(MIT)電機系博士學位,之後在伊利諾大學香檳分校(University of Illinois, Urbana-Champaign)任教至今。

 

 

本學期「光電論壇之人文觀照」特邀石守謙教授前來本所發表演說∼

石守謙教授,前國立故宮博物院院長,曾任中央研究院歷史語言研究所研究員、國立臺灣大學藝術史研究所教授及所長。

本學期「光電論壇之人文觀照」於95年3月24日特別邀請石教授前來本所發表精彩演說「讓鄭成功遇上Marie-Antoinette?---數位發展中的人文隱憂 」,現場聽講學生亦發言踴躍,與石教授互動熱絡。

 

人物專訪

李允立助理教授1995年畢業於台大物理系,之後赴美國波士頓大學攻讀碩士及博士,師事於Prof. Fred Schubert從事有關氮化鎵(GaN)半導體之材料與元件,特別是發光二極體(LED)與固態半導體照明的研究。李教授於2002年跟隨Prof. Schubert 一起轉校到壬色列理工學院(Rensselaer Polytechnic Institute, RPI),並於2003年獲得RPI博士學位。

李教授畢業後加入美國eLite optoelectronics, Inc. 從事高功率藍光LED之研究,開發出Optical vacuum array (OVATM) 設計之1 Watt 3 Watt高功率藍光晶片,其激發白光之效率可達50 lm/W2005年回國擔任璨圓光電的研發及製程整合部門主管,主持設計Double closed loop (DCL)之高功率LED藍光與綠光晶片。

李教授於2006年加入台大光電所,研究領域除了GaN材料及半導體元件設計外,更致力於以多色LED為光源之照明系統,也就是所謂的智慧照明(Smart lighting)。目前LED

用,除了在傳統的指示功能外,也漸漸被視為是下一個世代的照明光源。Smart lighting 利用多色LED之白光照明光譜的可調變性,不但可以大幅提升發光效率,更可以改變發光光譜來符合不同的應用。

近年來的光電產業方興未艾,台灣不論是光通訊、顯示器或其他發光元件等都在世界上佔有一席之地,相信在可預見的未來仍然會蓬勃發展。可惜的是由於關鍵技術掌握不足,我們總聽到所謂的毛利率不斷下跌或是專利侵權等問題。其實台灣的技術能力非常不錯,工程師也都非常優秀,但似乎總是缺乏了一點創意(Innovation)與對市場的掌握能力。這些能力無法從書本或一般的教育過程中獲得,必須經年累月從日常生活中用心才能漸漸培養。因此我期許各位同學除了用功唸書外,也要用心生活,隨時懷抱好奇心,多關心這個世界發生的事以及它的改變。

實驗室介紹

 

固態雷射晶體與元件實驗室---黃升龍教授

Solid-state Laser Crystal and Device Laboratory

雷射是光電科技中的核心技術,相當於電腦中的CPU,再結合非線性光學技術,以拓展涵蓋之波長範圍,可應用於光通訊、奈米元件、生醫光電、光資訊儲存、平面顯示等領域。本實驗室的主要研究方向在生長雷射及非線性晶體光纖,並開發各式雷射技術,以縮小雷射體積、提高效率、提昇光束品質,廣泛應用其於光電各領域。

以下分述目前的主要研究課題:

I.  摻鉻晶體光纖寬頻光源與放大器開發

光纖放大器是光纖通信系統中最重要的元件之一。1550 nm長途光纖通信波段因為具有光纖的最低損耗的優點,再加上有成熟的摻鉺光放大器(Erbium doped fiber amplifier; EDFA)技術的配合,成為長途光纖通信的最重要波段。目前使用的摻鉺光纖放大器放大波段為之1530 ~ 1565 nm (C Band)1570 ~ 1605 nm (L Band),工作頻寬各約為35 nm。反觀光纖通信的另一個1310 nm波段,雖然具有零色散的優點,但因為一直沒有成熟的放大器可供使用,所以只能配合1550 nm的傳輸,在不需要中繼(repeater)的情況中使用,用途受到很大的限制,由此可見光纖放大器在光纖通信系統中的重要性。所以目前有光纖放大器可用的光纖通信波段只有1550 nm波段,為了提昇長途光纖通信的頻寬,在其他波段的光放大器一直是重要的研究課題。

Cr4+:YAG晶體的發射光譜為1200~1600 nm,同時涵蓋1310 nm1550 nm波段,其超大頻寬正是長途光纖通信所需,但將光學晶體製作成晶體光纖並非易事,一般的通信用光纖是以玻璃為材料,使用光纖抽絲塔(drawing tower)來製作各式的光纖,是很成熟的技術。但是晶體光纖為了維持晶體結構,在製作上困難度就高很多。我們採用並改良在1980年代由史丹佛大學發展出來的LHPG (laser heated pedestal growth)生長系統,使用二氧化碳雷射為加熱源,研究團隊結合光學、雷射與材料的技術,自行開了各式的機械夾製具,雷射穩定電路,晶體光纖生長監控系統,突破了種種困難,目前已經是國際上此領域的領先群,最近更成功開發出雙纖衣技術使得本技術朝實用化向前邁出一大步,研究人員參與此計畫過程中,在理論與實作方面皆可以得到完整的研究訓練。

本計畫到目前為止,已經成功的展示Cr4+:YAG晶體光纖的放大自發性輻射 (amplified spontaneous emission)光源,其中心波長為1220 nm3-dB頻寬為250 nm,證實可同時涵蓋1310 nm1550 nm波段。也使用以silica作為cladding材料製作的Cr4+:YAG晶體光纖,成功地在1.52 mm波長展示10 dB的放大增益。相關的結果已在國際知名期刊如Optics Letters發表。

本計劃未來研究的方向:

1.      提昇晶體光纖的能量轉換效率。

2.      降低晶體光纖與玻璃材質的通信光纖的熔接(fusion splicing)損耗。

3.      製作Cr4+:YAG晶體光纖放大器並於光纖通信系統中做系統驗證。

II.  非線性波長轉換技術

在高速寬帶的信號傳輸與交換處理的全光網路中,光節點處任意光纖埠間的光信號交換及選路極為重要,其中最關鍵技術就是波長轉換。波長轉換即為波長的再分配和再利用以解決交叉連接中的波長競爭、有效地進行路由選擇、降低網路的阻塞率。藉由波長轉換器實現路由選擇,使得全光網率具備更強的靈活、兼容和可擴展性,成為下一代高速寬帶網路的首選。因此研發以鈮酸鋰晶纖來製作波長轉換元件以及可調藍/綠光元件,是相當具有學術及產業之價值的研究方向。LHPG結合週期性極化反轉技術,做成週期性極化反轉之倍頻晶體光纖,不但製程所需電壓可大幅降低,同時,若結合晶體光纖雷射與倍頻晶體光纖,不但可有效降低耦合損耗,亦可有更佳之反轉界面,以極小之體積產生紅、綠、藍全彩雷射,可應用於未來大尺寸、高色彩飽合度之雷射電視。

我們以鈮酸鋰和鉭酸鋰材料所製成的週期性極化反轉結構,利用非線性晶體特性以及準相位匹配(quasi phase matching)的技術,而達到差頻或合頻波長轉換的目的。幫浦光信號可經由週期性極化反轉鈮酸鋰(periodically poled lithium niobate; PPLN)波導結構與信號光作差頻已達到多通道的新波長輸出。而我們所研製的是PPLNCF (PPLN crystal fiber),其不但可大幅減少材料材體積且其轉換效率可以隨著晶纖的作用長度,大大的增加,此外其pump光也會被有效的限制在晶纖內,形成一波導結構,而容易與玻璃光纖耦合。長晶法是利用LHPG 架構生長高品質的晶體光纖,藉由提供一外加電場,可以簡單的達到週期性極化反轉的準相位匹配元件的製作。

對於光學量測部分,我們以Nd:YAG 雷射作為幫浦光,經過光參震盪(optical parametric oscillator; OPO)後所產生的連續可調波長式光源當作測量的信號。未來目標為利用生長出的晶體光纖作為光參震盪的增益介質。此外亦將嘗試更小之週期,達到紅、綠、藍光的輸出,特別是藍光雷射的應用相當廣,如雷射顯示器、高解析度的雷射印技術、高密度的光學儲存等。

III.  環型共振腔雷射

利用半導體雷射所激發的固態雷射,不但具有半導體雷射輕薄短小的優點,更可兼具固態雷射高品質的橫縱向模態,相較於傳統雷射(氣體雷射、染料雷射及燈泡激發固態雷射)的體積大、效率低,使得近年來,此種半導體雷射激發小型固態雷射的應用,迅速被開發起來,不管是生活上,如雷射電視、資訊儲存、精密儀器定位、衛星通訊,乃至於到飛彈追蹤、火星成像,這類需要高度精準度的量測,尤其當我們可以把這樣的雷射縮小到只有1 cm3,而產生數十mW的紅、綠、藍可見光,足見其潛力無窮。

利用由我們實驗室首度開發出來的雙鏡式環型共振腔作為雷射的共振腔體,再利用laser diode作為激發光源;由於兩鏡式環型共振腔多次在入射的特性,我們可以有效利用環型共振腔內部空間,使得共振腔的體積大幅的減少,而為了產生鎖模雷射,我們將需要一個頻寬相當寬的增益介質Yb:YAG,並且需要飽和吸收體Cr:YAG來促成鎖模雷射的產生。

目前實驗室已利用自行開發的雙鏡式環型共振腔,完成藍/綠光雷射、Q-switched高峰值功率雷射,預期在未來的幾年內,我們將可以利用這樣的雙鏡式共振腔完成鎖模雷射來取代傳統上造價昂貴又體積龐大的鎖模雷射。

 

所務公告及活動花絮

 

本所四月份教師出國動態

姓名 開會日期 事由 會議名稱 地點
蘇國棟

2006.04.03 - 04.07

開會

2006年底特律SAE年會 美國底特律

李君浩

2006.04.17 - 04.21

開會

2006年材料研究學會春季會議 美國舊金山
吳志毅 2006.04.17 - 04.21 開會 2006年材料研究學會春季會議 美國舊金山
黃建璋 2006.04.24 - 04.27 開會 化合物半導體生產技術研討會 加拿大溫哥華

 

特別報導

參訪國家奈米元件實驗室

參訪時間:95年4月24日

地點:新竹科學園區國家奈米元件實驗室

光電所教授於NDL與倪主任(前排中)及吳博士(前排左二)合影

本所共十位教師於本年四月二十四日在所長率領下,訪問NDL。NDL即國家奈米元件實驗室係財團法人國家實驗研究院之一部份,專注奈米元件前瞻技術之開發,過去著重電子元件,目前則擴展包括光電、磁性及生醫奈米相關研究。本次訪問成員包括楊志忠所長、黃升龍副所長、馮哲川教授、劉致為教授、林晃巖副教授、曾雪峰助理教授、蘇國棟助理教授、李君浩助理教授、李允立助理教授。訪問期間該中心主任倪衛新博士親自接待,除為本訪問團進行簡報外,並參觀設備,並於座談中交換研究合作之可能性。NDL設備相當完善,許多機台可由我們所用,本所將委請劉致為教授協助規劃善用NDL資源之可行方案。當天參訪照片如下:

討論情形

 參訪實驗室情形

Class 10級潔淨度實驗室

一般實驗室

生化實驗室建造情形

? 這副碗筷是要幹的?

原來NDL是要吃奈米用的呀!!

 

參訪友達光電公司

參訪時間:95年4月27

盧博彥副總(前排左四與光電所教師於友達光電門口合影

本年四月二十七日(週四本所再度組團赴友達光電公司訪問,成員包括楊志忠所長、黃升龍副所長、馮哲川教授、林晃巖副教授、吳志毅助理教授、邱奕鵬助理教授、曾雪峰助理教授、蘇國棟助理教授、李君浩助理教授、蔡永傑助理教授、李允立助理教授。此乃本所每年例行訪問友達公司,以持續本所與該公司兩三年來之研發合作。友達光電公司合併廣輝公司後,將成為全球三大液晶面板廠之一。另兩大廠為韓國之LG及SAMSUNG。本次訪問由該公司執行副總盧博彥博士與研發副總劉廷博士親自接待,約四個小時之訪問中,盧副總並全程協同。訪問期間先由楊所長簡報本所概況後,由參訪教師報告研究專長並進行可能合作之討論,隨後並參觀該公司研究廠房。研究合作將接續討論並落實。本所與友達光電公司合作進行多年,將持續擴大。

健康小站

 

電腦螢幕是高於眼睛好,還是低於眼睛好?


師回答
科    呂振寧醫師

其實,兩者都應算是可以!最重要的並不是在乎螢幕的高或低,

而是面對著電腦使用的時間!提供三點建議參考:

第一點
   每隔40分鐘站起來走動一下,並看一看遠處的視物! 
   如果不敢確定是否能〝定時休息〞的話,可使用一個鬧鐘,
   把碼表設定為40’這樣子就不必太擔心超用的問題了!

第二點
   燈光照亮的問題!最好是能多注意這方面的問題! 
   因照明與電腦螢幕反射燈光,都會讓使用者的眼睛受到
強烈的刺激,

導致電腦用後眼睛會感到疲倦或疼痛!

第三點
   使用者面對電腦螢幕的方向!許多人都是面對面
著電腦螢幕! 
   建議把螢幕放置遠一點!並且人盡量坐後面一點、坐正一點! 
   這樣子既可防止腰酸背痛,

更可預防使用電腦所導致視力變差的可能性喔!

 

本文由【KingNet 國家網路醫院】提供

 

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