发行人:杨志忠所长    编辑委员:蔡睿哲教授    主编:林筱文    发行日期:2006.05.01

最新消息与活动公告   人物专访   实验室介绍   所务公告及活动花絮   特别报导   健康小站

最新消息与活动公告

 

   本所2006学年度博士班招生

招生名额:39

简章发售:2006428日至519(本校校总区门口)

报名日期:2006518日至519

报名方式:上网填写报名表,再依报名日期至现场报名(本校总区普通大楼地下室)

考试方式:审查、笔试、口试。

                    (审查及笔试成绩优异者,优先录取,不必再参加口试。)

笔试日期:2006527日(星期六)

口试日期:2006619日(星期一)

 

本所2006学年度应届毕业学士班在校生径行修读博士学位申请

招生名额:3名

申请期限:2006年4月25日至2006年5月5日止

申请地点:博理馆601室   光电所办公室施小姐

申请条件:本校应届毕业学士班在学生,经肄业(或相关学系教授二人以上推荐为具有研究潜力,并同时具备下列

         条件之一者,得申请径行修读博士学位

                      一、修业期间学业成绩总平均排名在该系全班(人数前三分之一以内。

                      二、有资料足资证明在光电相关领域之研究潜力者。

缴交数据:1. 径修博士学位申请书可至本所或研教组索取

                      2. 教授二人以上推荐函

                      3. 历年成绩单

                      4. 其它有利审查数据如研究成果等

本所「显示光电科技产业研发硕士专班」2006年度季班招生

招生名额:7

简章发售:2006420日至519(本校校总区门口)

报名日期:2006518日至519

报名方式:现场报名(本校总区普通大楼地下室)

笔试日期:2006527日(星期六)

放榜日期:2006627日(星期二)中午12时后

详细招生信息请密切注意光电所网站:http://eoe.ntu.edu.tw/

   氮化物及其应用研讨会Workshop on Nitride Compounds and Their Applications

时间:2006年5月12、13日(星期五、六)

地点:台湾大学博理馆 101 演讲厅

《议程》

Friday, May 12, 2006

Time

Speaker

Title

13:45 – 14:00

Opening Ceremony

14:00 – 15:00

IEICE Distinguished Lecture

Prof. Yasuhiko Arakawa

Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo, Japan

Growth and optical properties of GaN quantum dos for advanced lasers and single photon sources

15:00 – 15:20

Prof. Li-Chyong Chen  林丽琼教授

Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, Taiwan

On-chip fabrication of bridging GaN nanowires as UV photodetectors with ultrahigh responsivity

15:20 – 15:40

Prof. Shangjr Gwo  果尚志教授

Department of Physics, National Tsing-Hua University, Taiwan

Structural and electronic properties of InN-bsed heterostructures and nanostructures

15:40 – 16:10

Break

16:10 – 16:30

Prof. Yan-Kuin Su  苏炎坤教授

Department of Electrical Engineering (Advanced Optoelectronics Technology Center), National Cheng Kung University, Taiwan

Electrostatic dischargeESDengineering of nitride-based LEDs

16:30 – 16:50

Prof. Jen-Inn Chyi  綦振瀛教授

Department of Electrical Engineering, National Central University, Taiwan

Reflective p-type ohmic contacts for GaN flip-chip UV LEDs

16:50 – 17:10

Prof. Dong-Sing Wuu  武东星教授

Department of Materials Engineering, National Chung Hsing University, Taiwan

Patterned sapphire engineering for nitride emitting devices

17:10 – 17:30

Prof. Lung-Han Peng  彭隆瀚教授

Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, National Taiwan University, Taiwan

Realization of wafer scale GaN sub-mm photonic structures and devices

Saturday, May 13, 2006

Time

Speaker

Title

09:00 – 10:00

Prof. Ian Ferguson

School of Electrical and Computer Engineering, College of Engineering, Georgia Institute of Technology, USA

Is the future of general illumination solid state lighting?

10:00 – 10:20

Prof. Ching-Ting Lee  李清庭教授

Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Taiwan

Two-wave mixed near white emission of monolithic carbon-implanted light-emitting diodes

10:20 – 10:40

Prof. Shing-Chung Wang  王兴宗教授

Department of Photonics & Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan

Recent advances in GaN-based quantum confined light emitting devices

10:40 – 11:10

Break

11:10 – 11:30

Prof. Yang-Fang Chen  陈永芳教授

Department of Physics, National Taiwan University, Taiwan

Novel properties of InN epifilms

11:30 – 11:50

Prof. Li-Wei Tu  杜立伟教授

Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Taiwan

GaN nanorods grown by PAMBE

11:50 – 12:10

Dr. Jenq-Dar Tsay  蔡政达博士

Electronics and Optoelectronics Research Laboratories, Industrial Technology Research Institute, Taiwan

GaN thick films grown by HVPE technology

12:10 – 12:30

Prof. C. C. Yang  杨志忠教授

Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, National Taiwan University, Taiwan

Blue/green two-wavelength InGaN/GaN quantum-well light-emitting diodes for white-light generation

12:30 – 14:00

 

BL201

 

博理馆

201会议室

Organized by

Dr. Y. S. Liu  刘容生博士

Institute of Photonics Technologies, National Tsing-Hua University, Taiwan

Panel Discussion: Nano-technologies for white-light generation

Invited Speaker:

Prof. W. N. Wang  王望南教授

University of Bath, UK, and currently visiting National Chiao Tung University, Taiwan

Solid State Light Strategy-lessons learned from Japan and USA

Lunch

(Lunch box will be provided)

14:00

Closing Ceremony

 

知名光电学者庄顺连教授来访~

知名光电学者庄顺连教授于2006年3月22日来访本所,并发表演说:「Slow Light Using Semiconductor Quantum Devices」。

庄顺连教授于1976年毕业于台大电机系,1983年取得麻省理工学院(MIT)电机系博士学位,之后在伊利诺大学香槟分校(University of Illinois, Urbana-Champaign)任教至今。

 

 

本学期「光电论坛之人文观照」特邀石守谦教授前来本所发表演说~

石守谦教授,前国立故宫博物院院长,曾任中央研究院历史语言研究所研究员、国立台湾大学艺术史研究所教授及所长。

本学期「光电论坛之人文观照」于2006年3月24日特别邀请石教授前来本所发表精彩演说「让郑成功遇上Marie-Antoinette?---数字发展中的人文隐忧」,现场听讲学生亦发言踊跃,与石教授互动热络。

 

人物专访

李允立助理教授1995年毕业于台大物理系,之后赴美国波士顿大学攻读硕士及博士,师事于Prof. Fred Schubert从事有关氮化镓(GaN)半导体之材料与组件,特别是发光二极管(LED)与固态半导体照明的研究。李教授于2002年跟随Prof. Schubert 一起转校到壬色列理工学院(Rensselaer Polytechnic Institute, RPI),并于2003年获得RPI博士学位。

李教授毕业后加入美国eLite optoelectronics, Inc. 从事高功率蓝光LED之研究,开发出Optical vacuum array (OVATM) 设计之1 Watt 3 Watt高功率蓝光芯片,其激发白光之效率可达50 lm/W2005年回国担任璨圆光电的研发及制程整合部门主管,主持设计Double closed loop (DCL)之高功率LED蓝光与绿光芯片。

李教授于2006年加入台大光电所,研究领域除了GaN材料及半导体组件设计外,更致力于以多色LED为光源之照明系统,也就是所谓的智慧照明(Smart lighting)。目前LED

用,除了在传统的指示功能外,也渐渐被视为是下一个世代的照明光源。Smart lighting 利用多色LED之白光照明光谱的可调变性,不但可以大幅提升发光效率,更可以改变发光光谱来符合不同的应用。

近年来的光电产业方兴未艾,台湾不论是光通讯、显示器或其它发光组件等都在世界上占有一席之地,相信在可预见的未来仍然会蓬勃发展。可惜的是由于关键技术掌握不足,我们总听到所谓的毛利率不断下跌或是专利侵权等问题。其实台湾的技术能力非常不错,工程师也都非常优秀,但似乎总是缺乏了一点创意(Innovation)与对市场的掌握能力。这些能力无法从书本或一般的教育过程中获得,必须经年累月从日常生活中用心才能渐渐培养。因此我期许各位同学除了用功念书外,也要用心生活,随时怀抱好奇心,多关心这个世界发生的事以及它的改变。

实验室介绍

 

固态激光晶体与组件实验室---黄升龙教授

Solid-state Laser Crystal and Device Laboratory

激光是光电科技中的核心技术,相当于计算机中的CPU,再结合非线性光学技术,以拓展涵盖之波长范围,可应用于光通讯、奈米组件、生医光电、光信息储存、平面显示等领域。本实验室的主要研究方向在生长 激光及非线性晶体光纤,并开发各式激光技术,以缩小激光体积、提高效率、提升光束品质,广泛应用其于光电各领域。

以下分述目前的主要研究课题:

I.  掺铬晶体光纤宽频光源与放大器开发

光纤放大器是光纤通信系统中最重要的组件之一。1550 nm长途光纤通信波段因为具有光纤的最低损耗的优点,再加上有成熟的掺铒光放大器(Erbium doped fiber amplifier; EDFA)技术的配合,成为长途光纤通信的最重要波段。目前使用的掺铒光纤放大器放大波段为之1530 ~ 1565 nm (C Band)1570 ~ 1605 nm (L Band),工作频宽各约为35 nm。反观光纤通信的另一个1310 nm波段,虽然具有零色散的优点,但因为一直没有成熟的放大器可供使用,所以只能配合1550 nm的传输,在不需要中继(repeater)的情况中使用,用途受到很大的限制,由此可见光纤放大器在光纤通信系统中的重要性。所以目前有光纤放大器可用的光纤通信波段只有1550 nm波段,为了提升长途光纤通信的频宽,在其它波段的光放大器一直是重要的研究课题。

Cr4+:YAG晶体的发射光谱为1200~1600 nm,同时涵盖1310 nm1550 nm波段,其超大频宽正是长途光纤通信所需,但将光学晶体制作成晶体光纤并非易事,一般的通信用光纤是以玻璃为材料,使用光纤抽丝塔(drawing tower)来制作各式的光纤,是很成熟的技术。但是晶体光纤为了维持晶体结构,在制作上困难度就高很多。我们采用并改良在1980年代由史丹佛大学发展出来的LHPG (laser heated pedestal growth)生长系统,使用二氧化碳 激光为加热源,研究团队结合光学、激光与材料的技术,自行开了各式的机械夹制具,激光稳定电路,晶体光纤生长监控系统,突破了种种困难,目前已经是国际上此领域的领先群,最近更成功开发出双纤衣技术使得本技术朝实用化向前迈出一大步,研究人员参与此计划过程中,在理论与实作方面皆可以得到完整的研究训练。

本计划到目前为止,已经成功的展示Cr4+:YAG晶体光纤的放大自发性辐射 (amplified spontaneous emission)光源,其中心波长为1220 nm3-dB频宽为250 nm,证实可同时涵盖1310 nm1550 nm波段。也使用以silica作为cladding材料制作的Cr4+:YAG晶体光纤,成功地在1.52 mm波长展示10 dB的放大增益。相关的结果已在国际知名期刊如Optics Letters发表。

本计划未来研究的方向:

1.      提升晶体光纤的能量转换效率。

2.      降低晶体光纤与玻璃材质的通信光纤的熔接(fusion splicing)损耗。

3.      制作Cr4+:YAG晶体光纤放大器并于光纤通信系统中做系统验证。

II.  非线性波长转换技术

在高速宽带的信号传输与交换处理的全光网络中,光节点处任意光纤端口间的光信号交换及选路极为重要,其中最关键技术就是波长转换。波长转换即为波长的再分配和再利用以解决交叉连接中的波长竞争、有效地进行路由选择、降低网络的阻塞率。藉由波长转换器实现路由选择,使得全光网率具备更强的灵活、兼容和可扩展性,成为下一代高速宽带网络的首选。因此研发以铌酸锂晶纤来制作波长转换组件以及可调蓝/绿光组件,是相当具有学术及产业之价值的研究方向。LHPG结合周期性极化反转技术,做成周期性极化反转之倍频晶体光纤,不但制程所需电压可大幅降低,同时,若结合晶体光纤 激光与倍频晶体光纤,不但可有效降低耦合损耗,亦可有更佳之反转界面,以极小之体积产生红、绿、蓝全彩激光,可应用于未来大尺寸、高色彩饱合度之激光电视。

我们以铌酸锂和钽酸锂材料所制成的周期性极化反转结构,利用非线性晶体特性以及准相位匹配(quasi phase matching)的技术,而达到差频或合频波长转换的目的。帮浦光信号可经由周期性极化反转铌酸锂(periodically poled lithium niobate; PPLN)波导结构与信号光作差频已达到多通道的新波长输出。而我们所研制的是PPLNCF (PPLN crystal fiber),其不但可大幅减少材料材体积且其转换效率可以随着晶纤的作用长度,大大的增加,此外其pump光也会被有效的限制在晶纤内,形成一波导结构,而容易与玻璃光纤耦合。长晶法是利用LHPG 架构生长高品质的晶体光纤,藉由提供一外加电场,可以简单的达到周期性极化反转的准相位匹配组件的制作。

对于光学量测部分,我们以Nd:YAG 激光作为帮浦光,经过光参震荡(optical parametric oscillator; OPO)后所产生的连续可调波长式光源当作测量的信号。未来目标为利用生长出的晶体光纤作为光参震荡的增益介质。此外亦将尝试更小之周期,达到红、绿、蓝光的输出,特别是蓝光 激光的应用相当广,如激光显示器、高分辨率的激光印技术、高密度的光学储存等。

III.  环型共振腔激光

利用半导体激光所激发的固态激光,不但具有半导体激光轻薄短小的优点,更可兼具固态激光高品质的横纵向模态,相较于传统激光(气体 激光、染料激光及灯泡激发固态激光)的体积大、效率低,使得近年来,此种半导体 激光激发小型固态激光的应用,迅速被开发起来,不管是生活上,如激光电视、信息储存、精密仪器定位、卫星通讯,乃至于到飞弹追踪、火星成像,这类需要高度精准度的量测,尤其当我们可以把这样的 激光缩小到只有1 cm3,而产生数十mW的红、绿、蓝可见光,足见其潜力无穷。

利用由我们实验室首度开发出来的双镜式环型共振腔作为激光的共振腔体,再利用laser diode作为激发光源;由于两镜式环型共振腔多次在入射的特性,我们可以有效利用环型共振腔内部空间,使得共振腔的体积大幅的减少,而为了产生锁模 激光,我们将需要一个频宽相当宽的增益介质Yb:YAG,并且需要饱和吸收体Cr:YAG来促成锁模 激光的产生。

目前实验室已利用自行开发的双镜式环型共振腔,完成蓝/绿光 激光、Q-switched高峰值功率 激光,预期在未来的几年内,我们将可以利用这样的双镜式共振腔完成锁模激光来取代传统上造价昂贵又体积庞大的锁模激光。

 

所务公告及活动花絮

 

本所四月份教师出国动态

姓名 开会日期 事由 会议名称 地点
苏国栋

2006.04.03 - 04.07

开会

2006年底特律SAE年会 美国底特律

李君浩

2006.04.17 - 04.21

开会

2006年材料研究学会春季会议 美国旧金山
吴志毅 2006.04.17 - 04.21 开会 2006年材料研究学会春季会议 美国旧金山
黄建璋 2006.04.24 - 04.27 开会 化合物半导体生产技术研讨会 加拿大温哥华

 

特别报导

参访国家奈米组件实验室

参访时间:2006年4月24日

地点:新竹科学园区国家奈米组件实验室

光电所教授于NDL与倪主任(前排中)及吴博士(前排左二)合影

本所共十位教师于本年四月二十四日在所长率领下,访问NDL。NDL即国家奈米组件实验室系财团法人国家实验研究院之一部份,专注奈米组件前瞻技术之开发,过去着重电子组件,目前则扩展包括光电、磁性及生医奈米相关研究。本次访问成员包括杨志忠所长、黄升龙副所长、冯哲川教授、刘致为教授、林晃岩副教授、曾雪峰助理教授、苏国栋助理教授、李君浩助理教授、李允立助理教授。访问期间该中心主任倪卫新博士亲自接待,除为本访问团进行简报外,并参观设备,并于座谈中交换研究合作之可能性。NDL设备相当完善,许多机台可由我们所用,本所将委请刘致为教授协助规划善用NDL资源之可行方案。当天参访照片如下:

讨论情形

 参访实验室情形

Class 10级洁净度实验室

一般实验室

生化实验室建造情形

? 这副碗筷是要干的?

原来NDL是要吃奈米用的呀!!

 

参访友达光电公司

参访时间:2006年4月27

卢博彦副总(前排左四与光电所教师于友达光电门口合影

本年四月二十七日(周四本所再度组团赴友达光电公司访问,成员包括杨志忠所长、黄升龙副所长、冯哲川教授、林晃岩副教授、吴志毅助理教授、邱奕鹏助理教授、曾雪峰助理教授、苏国栋助理教授、李君浩助理教授、蔡永杰助理教授、李允立助理教授。此乃本所每年例行访问友达公司,以持续本所与该公司两三年来之研发合作。友达光电公司合并广辉公司后,将成为全球三大液晶面板厂之一。另两大厂为韩国之LG及SAMSUNG。本次访问由该公司执行副总卢博彦博士与研发副总刘廷博士亲自接待,约四个小时之访问中,卢副总并全程协同。访问期间先由杨所长简报本所概况后,由参访教师报告研究专长并进行可能合作之讨论,随后并参观该公司研究厂房。研究合作将接续讨论并落实。本所与友达光电公司合作进行多年,将持续扩大。

健康小站

 

计算机屏幕是高于眼睛好,还是低于眼睛好?


师回答
科  吕振宁医师

其实,两者都应算是可以!最重要的并不是在乎屏幕的高或低,

而是面对着计算机使用的时间!提供三点建议参考:

第一点
   每隔40分钟站起来走动一下,并看一看远处的视物! 
   如果不敢确定是否能〝定时休息〞的话,可使用一个闹钟,
   把码表设定为40’这样子就不必太担心超用的问题了!

第二点
   灯光照亮的问题!最好是能多注意这方面的问题! 
   因照明与计算机屏幕反射灯光,都会让使用者的眼睛受到
强烈的刺激,

导致计算机用后眼睛会感到疲倦或疼痛!

第三点
   使用者面对计算机屏幕的方向!许多人都是面对面
着计算机屏幕! 
   建议把屏幕放置远一点!并且人尽量坐后面一点、坐正一点! 
   这样子既可防止腰酸背痛,

更可预防使用计算机所导致视力变差的可能性喔!

 

本文由【KingNet 国家网络医院】提供

 

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