國立台灣大學光電工程學研究所
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  吳肇欣 美國伊利諾大學電機系博士 個人資料 | 著作列表 | 收授學生 | 網頁 | 實驗室
E-mail chaohsinwu@ntu.edu.tw
辦公室 明達館623室
辦公室時間
電話 +886-2-33663694
網頁 http://cc.ee.ntu.edu.tw/~ioedlab
研究領域

本實驗室位於電機二館307B,目前研究的主題為化合物半導體的電子及光電元件,並應用在高速、低能耗,及高功率的電子電子應用。主要研究主題有:

(1) 三五族半導體電子與光電元件製程與應用:主要研究方向在設計與開發新型三五族的高速電晶體元件,應用在微波測量儀器,功率放大器,THz影像分析,以及和矽基材料的電子元件做整合。

(2) 高速低能耗邏輯元件:研究下一代半導體邏輯運算元件,利用新型二維材料、三五族材料、或新型穿遂結構、立體結構,開發高速低能耗的電晶體,提供未來能夠與矽基材料做整合的可能。

(3) 發光電晶體與電晶體雷射:本主題是在研究最新型的半導體光電元件,其重要性曾獲選為Applied Physics Letters期刊過去五十年來最重要的五篇論文之一。利用電晶體結構,使載子復合速率打破過去五十年來教科書對發光二極體和二極體雷射的認知,預期光的調變速度可達到超過100 GHz,未來可應用於光通訊系統中的訊號發送和接收,高速高容量的傳輸線,以及結合積體電路用光取代電訊號做調變傳輸。

(4) 光積體電路開發與應用:本研究應用電晶體雷射同時具有電訊號和光訊號輸出的特性,和現有的電子電路做結合,可望減少電路的複雜度和成本,降低因為熱所造成的功率損耗和壽命減少,並同時增加電路傳輸和運算速度。

(5) 高功率元件的開發:應用在軍事、車用、及通訊上的功率放大器、交換器、震盪器等高功率、高崩潰電壓的電晶體元件,並結合發光元件(雷射、發光二極體、發光電晶體)等製作光電整合電路。

(6) 高速光互聯:提供未來較大頻寬的短距離通訊媒介的元件,取代過往的銅導線,減少寄生電阻電容的延遲,以及開發兼具照明的可見光通訊的應用。

 

 

個人簡介

Chao-Hsin Wu received the B.S. degree in Electrical Engineering and M.S. degree in Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics from National Taiwan University, Taipei, Taiwan, in 2002 and 2004, respectively. He used to work as a full-time teaching assistant in charge of Automatic Control Lab in the Department of Electrical Engineering in National Taiwan University from 2005 to 2006. He then joined the High-Speed Integrated Circuit group in University of Illinois at Urbana-Champaign in 2006 and received the Ph.D. degree in 2010. After finishing the Ph.D. degree, he continued working as a postdoctoral research fellow before he joined the faculty member in National Taiwan University.

In Illinois, he pioneered the development of novel III-V high-speed microelectronics and optoelectronics devices, including InGaN/GaN heterojunction bipolar transistors, InGaP/GaAs power amplifiers, and microcavity lasers. His research mainly focuses on the three-terminal light-emitting transistors (LETs) and transistor lasers (TLs). He has demonstrated the world-record optical spontaneous modulation bandwidth of 7 GHz (corresponding to a recombination lifetime of 23 ps), which is a breakthrough in semiconductor device technology history for the past 47 years. He has received the Nick and Katherine Holonyak, Jr. Graduate Research Award for the excellent achievement in semiconductor optoelectronics and high speed microelectronics area in 2010.

重要著作
  1. C. H. Wu, F. Tan, M. K. Wu, M. Feng, and N. Holonyak, Jr., “The Effet of Microcavity Laser Recombination Lifetime On Microwave Bandwidth and Eye-diagram Signal Integrity,” J. of Appl. Phys., 109, 05312, 2011
  2. C. H. Wu, H. W. Then, M. Feng, and N. Holonyak, Jr., “Microwave Determination of Electron-hole Recombination Dynamics from Spontaneous to Stimulated Emission in a Quantum-well Microcavity Laser,” Appl. Phys. Lett., 96, 131108, 2010
  3. C. H. Wu, G. Walter, H. W. Then, M. Feng, and N. Holonyak Jr., “4 GHz Modulation Bandwidth of Integrated 2x2 LED Array,” IEEE Photonic Technology Letters, 21, 1834, 2009
  4. G. Walter, C. H. Wu, H. W. Then, M. Feng, and N. Holonyak, Jr., “4.3 GHz Optical Bandwidth Light Emitting Transistor,” Appl. Phys. Lett., 94, 241101, 2009
  5. G. Walter, C. H. Wu, H. W. Then, M. Feng, and N. Holonyak, Jr., “Tilted-Charge High Speed (7 GHz) Light Emitting Diode,” Appl. Phys. Lett., 94, 231125, 2009
  6. C. H. Wu, G. Walter, H. W. Then, M. Feng, and N. Holonyak, Jr., “Scaling of Light Emitting Transistor for Multi-GHz Optical Bandwidth,” Appl. Phys. Lett., 94, 171101, 2009
  7. H. W. Then, C. H. Wu, G. Walter, M. Feng, and N. Holonyak, Jr., “Electrical-optical signal mixing and multiplication (2 -> 22 GHz) with a tunnel junction transistor laser,” Appl. Phys. Lett., 94, 101114, 2009

 

附檔

 
 
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