國立台灣大學光電工程學研究所
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研究領域

 

主要的研究領域為三五族化合物半導體分子束磊晶技術與相關的光電元件技術。研究過的材料包括AlGaAs / GaAs、InGaAs / GaAs、InGaAsP / InP、含氮與含銻化合物半導體合金塊材、量子井與量子點結構。元件則包括異質接面雙極性電晶體與雷射二極體等。目前進行的研究包括:

 

(1) 低含氮化合物半導體(Diluted nitrides):

在傳統半導體材料摻氮的低含氮半導體,因為氮的加入造成晶格與能隙的同時縮減。這個特點可以拓展化合物半導體的領域,但是摻氮也帶來了許多材料上值得研究的課題。我們過去曾從事InAsN含氮材料的研究,成長InAsN/InGaAs量子井並達到2.4 mm的雷射震盪。目前主要成長與GaAs晶格匹配但能隙低於1-eV的低含氮GaAsSbN。應用為高效率solar cell與HBT。

 

(2) 中紅外線(Mid-infrared, MIR)化合物半導體:

MIR是許多化學氣體、液體、生物分子的吸收特徵波段。我們與英國Lancaster Univeristy合作以GSMBE(氣態源分子束磊晶法)成長適用於3-5 mm的InAsPSb四元材料以及InAsPSb/InAsSb量子井結構,並應用此結構來製作光電元件。

 

(3) 奈米結構的異質磊晶技術:

在矽與氧化物所構成的奈米結構中,使用分子束磊晶技術填入三五族材料。研究三五族與矽的異質磊晶,以及選擇性磊晶的技術。可以應用到未來的積體電路。

 

個人簡介

Hao-Hsiung Lin (林浩雄) was born in Taichung, Taiwan, 1956. He received the B.S., M.S., and Ph.D degrees in electrical engineering from National Taiwan University, Taiwan in 1978, 1980, and 1985, respectively. During his Ph.D. work, he invented the emitter-thinning structure of heterojunction bipolar transistor (HBT), which is currently used in commercial HBTs. He has been with the Department of Electrical Engineering at National Taiwan University since 1980, and was promoted as a full professor in 1992. He was a visiting scholar at Stanford university, working on molecular beam epitaxy and deep-level transient spectroscopy, in 1985. From 2001 to 2004, he served as the vice chairman of the Department of Electrical Engineering, National Taiwan University. His research area is the molecular beam epitaxy (MBE) of III-V compound semiconductors. Besides the aforementioned HBT structure, he invented the first InAsN mid-infrared quantum well laser operating at 2.4 mm. His current research interests are on the MBE growth of dilute nitrides, mid-infrared semiconductors, and nano-hetero-epitaxy of compound semiconductors. Dr. Lin is a member of the Chinese Institute of Engineers and a senior member of IEEE.

重要著作 1.K. I. Lin, K. L. Lin, B. W. Wang, H. H. Lin, and J. S. Huang, “Double-band anticrossing in GaAsSbN induced by nitrogen and antimony incorporation,” Appl. Phys. Express, vol. 6, p. 121202, Dec. 2013
2.J. Y. Chen, B. H. Chen, Y. S. Huang, Y. C. Chin, H. S. Tsai, and H. H. Lin, “Photoluminescence characterization of GaAs/GaAs0.64P0.19Sb0.17/GaAs heterostructure,” J. Luminescence, vol. 136, pp. 178-181, Apr. 2013
3.Y. R. Chen, L. C. Chou, Y. J. Yang, and H. H. Lin, “Twinning in GaAsSb grown on (111)B GaAs by molecular beam epitaxy,” J. Physics D, vol. 46, p. 035306, Jan. 2013
4.D. N. Talwar, T. R. Yang, H. H. Lin, and Z. C. Feng, “Infrared reflectivity spectra of gas-source molecular beam epitaxy grown dilute InNxAs1-x/InP (001),” Appl. Phys. Lett., vol. 102, p. 052110, Jan. 2013
5.H. H. Lin, C. L. Chiou, Y. T. Lin, T. C. Ma, J. S. Wu, and Z. C. Feng, “Short range structure of dilute nitride GaAsSbN,” in: Physics and Mechanics of New Materials and Their Applications, edited by I. A. Parinov and S. H. Chang, Ch. 10, pp. 107-123, 2013
附檔

 
 
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