國立台灣大學光電工程學研究所
首頁 下載專區 相關連結 網站地圖 本所位置 聯絡我們
中文 English  
公文
本所簡介 本所成員 研究概況 招生訊息 本所學程 本所公告 學生資訊 師資專區 線上報名
 研究領域
 實驗室
 研究計劃
 光電製程實驗室
更多公告資訊
2020/03/31
「重要訊息」新冠肺炎防疫非常時期,本校校總區自3月30日起實施門禁管制訪客證及工作證格式(訪客證、工作證檔案下載)
2020/03/25
108學年度第2學期博士班資格考核--試場、時間及注意事項
2020/03/25
科技部110年度補助博士生赴國外研究申請案
2020/03/20
光電所林清富教授實驗室徵1位博士後研究人員
2020/03/20
109學年度第1學期學生逕行修讀博士學位申請
 
研究概況-實驗室
 
姓名 學歷 相關連結
  林浩雄 國立台灣大學電機博士 個人資料 | 著作列表 | 收授學生 | 實驗室
實驗室編號
實驗室名稱 分子束磊晶實驗室
實驗室負責教師 林浩雄
實驗室位置 電機一館R108
實驗室電話 +886-2-33663619
網址 http://140.112.33.144

Molecular beam epitaxy laboratory is located on the first floor of Electrical Engineering building I. The main facilities are two VG molecular beam epitaxy (MBE) systems, which are capable of depositing GaAs-based, InP-based, Sb-containing, and dilute nitride semiconductor materials. Besides the two MBE machines, the laboratory is equipped with basic characterization instruments including photoluminescence spectroscopy, pulsed and DC current-voltage characterization, capacitance-voltage measurement, and van der Pauw measurement. The proceeding research projects in this laboratory include

(1) Sb-based quantum well and quantum dot structures for mid-infrared optoelectronics,

(2) GaAsSbN dilute nitrides for GaAs based long wavelength detectors and tandem solar cells,

(3) Quantum rings for infrared detection,

(4) Stress-induced quantum dots for longwavelength light emitters, and

(5) III-V on Si heteroepitaxy.

1.Gas-source molecular beam epitaxy system,

2.Solid-source molecular beam epitaxy system,

3.van der Pauw system,

4.I-V and C-V measurement, probe station, and photoluminescence measurement.


   
Gas-source molecular beam epitaxy system Solid-source molecular beam epitaxy system
   
van der Pauw system I-V and C-V measurement, probe station, and photoluminescence measurement.
   
   
   
   

 
  首頁   | 本所位置光電所行事曆   |   校友專區   |   下載專區   |   產學合作專區   |   光電所所訊   |  光電製程實驗室  |   光電實驗課(大學部)
 版權所有© 2008 GIPO 10617 台北市大安區羅斯福路四段一號 電話:+886-2-3366-3587~89 傳真:+886-2-2367-7467