國立台灣大學光電工程學研究所
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實驗室編號
實驗室名稱 分子束磊晶實驗室
實驗室負責教師 林浩雄
實驗室位置 電機一館R108
實驗室電話 +886-2-33663619
網址 http://140.112.33.144

Molecular beam epitaxy laboratory is located on the first floor of Electrical Engineering building I. The main facilities are two VG molecular beam epitaxy (MBE) systems, which are capable of depositing GaAs-based, InP-based, Sb-containing, and dilute nitride semiconductor materials. Besides the two MBE machines, the laboratory is equipped with basic characterization instruments including photoluminescence spectroscopy, pulsed and DC current-voltage characterization, capacitance-voltage measurement, and van der Pauw measurement. The proceeding research projects in this laboratory include

(1) Sb-based quantum well and quantum dot structures for mid-infrared optoelectronics,

(2) GaAsSbN dilute nitrides for GaAs based long wavelength detectors and tandem solar cells,

(3) Quantum rings for infrared detection,

(4) Stress-induced quantum dots for longwavelength light emitters, and

(5) III-V on Si heteroepitaxy.

1.Gas-source molecular beam epitaxy system,

2.Solid-source molecular beam epitaxy system,

3.van der Pauw system,

4.I-V and C-V measurement, probe station, and photoluminescence measurement.


   
Gas-source molecular beam epitaxy system Solid-source molecular beam epitaxy system
   
van der Pauw system I-V and C-V measurement, probe station, and photoluminescence measurement.
   
   
   
   

 
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