第九十期 2013年10月刊
 
 
 
發行人:林恭如所長  編輯委員:吳肇欣教授  主編:林筱文  發行日期:2013.10.25
 
 

本所11月份演講公告:

日期

講者簡介 講題 地點 時間

光電論壇

11/1 (Fri) 鄭木海教授
國立中山大學光電工程學系
結合藝術與科學高耦光元件與模組之構裝
(The Art and Science of Packaging High-Coupling Photonics Devices and Modules)
博理館
101演講廳
15:30-17:00
11/15 (Fri)

李正中教授
國立中央大學光電科學與工程學系

Coatings for DUV & EUV

博理館
101演講廳
15:30-17:00
11/22 (Fri) 陳俐吟助理教授
國立中山大學光電工程學系
待訂 博理館
101演講廳
15:30-17:00
11/29 (Fri) Prof. Charles W. Tu
Distinguished Professor, ECE Dept., University of California
待訂 博理館
101演講廳
15:30-17:00

 

 
 
10月份「光電論壇」演講花絮(花絮整理:姚力琪)
時間: 102年10月4日(星期五)下午3點30分
講者: 張雄教授(東南大學電子科學與工程學院先進光子學中心 )
講題: MOCVD growth and fabrication process of high performance GaN-based LEDs
  張雄教授10月4日(星期五)應馮哲川教授之邀請,蒞臨本所訪問,並於博理館101演講廳發表演說。張教授本次演講題目為「MOCVD growth and fabrication process of high performance GaN-based LEDs」。本所教師及學生皆熱烈參與演講活動,演說內容豐富精彩,與現場同學互動佳,本所師生皆獲益良多。
 

 

張雄教授(右)與本場演講主持人曾雪峰教授(左)合影。

 

時間: 102年10月18日(星期五)下午3點30分
講者: 郭浩中教授(Distinguished Professor, Institute of Electro-optical Engineering, NCTU)
講題: Recent progress of efficiency droop improvement for high efficiency GaN-based light-emitting diodes
  郭浩中教授於10月18日(星期五)蒞臨本所訪問,並於博理館101演講廳發表演說,講題為「Recent progress of efficiency droop improvement for high efficiency GaN-based light-emitting diodes」。演講內容豐富精彩,本所教師及學生皆熱烈參加,與現場同學互動佳,本所師生皆獲益良多。
 

 

郭浩中教授(右)與本場演講主持人曾雪峰教授(左)合影。

 

 

 
 
 

光電所參與歐盟 European Master of Science in Photonics (EMSP) 碩士雙學位計畫  系列報導 ~

撰文:光電所碩士班學生呂韋辰

【之二】

在St Andrews學校待的時間其實不長只有三個月,如果扣除最後三週考試和復習的時間,實際上課天數大概只剩兩個月。在這段期間內,總共有兩門必修和其他四門選修課要上。必修課包括研究技巧 (Research Skill)還有光電實驗課(Photonics Laboratory)。研究技巧會讓我們上台練習口頭報告、撰寫跟光電科技相關的文章,以及期末要交一篇介紹之後論文研究主題的大報告(大概3000字)。這些安排目的是要讓我們先對論文有初步的研究,並且能夠練習整理收集到的資料,進而歸納成一篇完整的文章。至於光電實驗則有點類似台灣的實驗課。每一到兩週每個人要完成一項實驗,每項實驗可能佔1到2分不等,整個學期總共要完成8分的實驗(另有2分報告分)。這門課特別的地方在於有非常多不同種類的實驗可以選擇,像是Solar cell、LED、SHG、Optical tweezer等,甚至還可以選去無塵室作實驗。此外,每當完成一個實驗後,都必須要帶著實驗記錄本跟實驗的數據、筆記去找老師評分。老師會根據記錄本上寫的資訊和實驗的數據來問問題,最後再給一個分數。除必修課外,還要上四門選修課,所以一周並沒有太多空堂時間。

歐洲上課的方式跟台灣不盡相同,學生通常跟老師互動頻繁。老師可能會拋磚引玉地丟出一個問題希望學生思考,學生也會很樂意且主動地嘗試表達自己的想法,即使答案不一定正確。在St Andrews,一堂課可能會由兩個老師針對不同主題來上課,所以作業考試也會由不同老師各自出題。這邊沒有期中考,作業又只佔一小部份,所以期末考會佔總成績大約85%,等於是一試定江山,因此最後期末考周學生都會非常認真來準備,圖書館一定是呈現爆滿的狀態。

考試的話,學校網頁都可以找得到考古題。但是有考古題也沒有用,因為考古題是用來給學生參考考試題型的,考試不會出重複的題目。題型也很特別。考卷會分成兩大部份,第一部分的題目必須要全部作答,而第二部分的題目就可以選其中幾題來作答(5選3或4選2),學生可以選自己比較有把握的題目。但是考試時間通常很短,大概一到兩小時,所以一旦選定作答題目最好不要輕易更改。歐洲學校評分的量尺標準跟台灣也不一樣。那邊滿分是20分,10分及格,通常拿個14、15分老師就覺得給很高了(不過St Andrews以13.5分為及格標準)。在國外不管是上課、考試、評分方式都跟台灣不太一樣,所以我們過去是需要適應一下。但如果學習遇到問題的話,我覺得多去請教老師或同學能夠得到很大的幫助收穫,當然他們也非常樂意幫助我們。【精彩內容,下期待續~】

     
 
 
Microwave Determination of Quantum-Well Capture and Escape Time in Light-Emitting Transistors

Professor Chao-Hsin Wu

Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

臺灣大學光電所 吳肇欣教授

We demonstrated using microwave measurement (S-parameters) followed by small-signal analysis (Fig. 1) to determine the quantum-well (QW) capture and escape time of electrons in a light-emitting transistor (LET). The light-emitting transistor utilized embedded QWs in the base region of a heterojunction bipolar transistor (HBT) has been demonstrated with multi-GHz spontaneous optical bandwidth and recombination lifetime of a few ps.

The emitter-to-collector transit time (τec) of the LET related to the transistor cut-off frequency (fT) (Fig. 2) is composed of emitter charging time (τe), base transit time (τt), space charge transit time in base-collector junction (τsc), and collector charging time (τc). We found that base transit time, τt, of the LET is much longer than that of the conventional HBT (25 ps to 5 ps) under same bias condition (Jc = 22.6 kA/cm2) due to the experience of capturing/escaping processes caused by the embedded QWs in the base region of the LET (Fig. 3).

This work has been published in IEEE Trans. Electron Devices, vol. 60, 1088 (2013).

Figure 1. HBT and LET device schematic layout (quarter) and the corresponding small-signal equivalent circuit model. DE = 13 μm, DB = 27 μm, and DC = 50 μm.

 

Figure 2. (a) Experimental h21 curves (red triangle: HBT; blue circle: LET). The extrapolation curves shows the cut-off frequency, fT, at 0 dB of the HBT is 16 GHz (corresponding τec=10 ps), and 5.3 GHz of the LET (corresponding τec=30 ps). (b) Measured and modeled S-parameters of the HBT and LET. The S-parameters were measured in common-collector configuration.

 

Figure 3. Stack column plot of the components of emitter-to-collector transit time of the HBT and LET. Open circles represent the experimental emitter-collector transit time obtained from cut-off frequency (Fig. 2.(a).). The HBT base transit time (τt = 4.9 ps) is close to theoretical calculation, and the LET base transit time (τt = 25 ps) includes carrier capture and escape time caused by QWs, which is about 20 ps.

 

     
     
 
 
論文題目:分佈回饋型有機雷射之研製與應用

姓名:鄭行傑   指導教授:吳忠幟教授

 

摘要

由於分佈回饋型有機雷射(Distributed feedback organic lasers)可以作為有機感測器、光通訊、光譜學、整合光器件和生物領域的應用,近年來已經成為廣泛研究的主題。在本篇論文中,我們研究有機材料的分佈回饋型雷射之製程和特性,並討論該雷射的可能應用。

我們首先應用電子束顯影(EBL)方法和反應性離子蝕刻(RIE)方法來實現高品質的分佈回饋型共振腔(DFB Resonator)。使用該分佈回饋型共振腔的T3有機材料之有機雷射具有低雷射閾值(Threshold)。按照分佈回饋型共振腔的理論,藉由分佈回饋型有機雷射參數的變化,雷射特性可以調變,實驗結果符合理論的預期。

根據先前有關退火後之T3薄膜中分子會重新排列方向的結果,我們利用由T3分子重新排列所造成之分佈回饋型雷射的等效折射率變化特性,實現同一試片中,分佈回饋型雷射的雷射波長連續調變。此外我們應用能伸展或有彈性的基板,利用基板的延展所造成的分佈回饋型共振腔週期長度變化,進而實現分佈回饋型有機雷射之發射波長調整。最後,我們應用寡聚芴(Oligofluorene)薄膜對氧氣所具有感測的能力,藉由分佈回饋型有機雷射來加強感測的能力並作為氧氣感測器。其具有高感測度與快速的反應時間。

本篇論文完成了具有世界水準的有機雷射,並進而實現與理論吻合的兩種波長調整機制,並利用有機雷射實現了相關的應用,且有相當令人滿意的結果。

圖一、T3分佈回饋型有機雷射的雷射輸出特性

圖二、剛沉積和不同退火條件下所測量之T3分佈回饋型有機雷射的雷射光譜

 

 

論文題目:生物耦聯金奈米環的製作與應用

姓名:曾虹諭   指導教授:楊志忠教授


摘要

在本研究中,我們展示高濃度金奈米環(Au nanoring)水溶液的製備方法及其應用。我們使用奈米壓印(nano-imprint lithography)技術以及金的二次濺鍍(secondary sputtering)製程在高分子基板上製作生物耦聯(bio-conjugated)之金奈米環,並轉移到水溶液。在基板上進行奈米環的生物耦聯具有許多優點,包括可以有效避免奈米環在離心過程中的損失,進而提升其產率。接下來,我們將生物耦聯之金奈米環施加在人類肝癌細胞中,在波長為1315奈米的雷射照射下,展示金奈米環的光熱治療(photothermal therapy)效果。經由量測不同強度之雷射對細胞的殺傷範圍,我們可以推算出造成細胞損傷的臨界雷射強度。

圖一、不同高度之金奈米環其SEM圖及消散頻譜。

圖二、施加金奈米環後經過雷射照射之人類肝癌細胞。靠近光源中心之圓形區域可看到受損傷之癌細胞(染色後呈藍色),其邊界之雷射強度為殺傷癌細胞之臨界雷射強度。

 

 
 
 

— 資料提供:影像顯示科技知識平台 (DTKP, Display Technology Knowledge Platform) —

— 整理:林晃巖教授、張劭宇 —

光子晶體:通往可見光的橋樑

光子晶體是一種可以用來限制或是控制某一特定頻帶(亦即光子能隙)的週期性介電質結構,因此,光子晶體在全光積體電路上是一個很重要的構成元件,可以在一個很寬的頻帶裡,動態地調整光子能隙是一個很重要的系統需求,但是至今卻還很難真正達成,不過現在,台灣的Tsung-Hsien Lin以及在美國的同事展示了利用藍相(BP)液晶光子晶體,使其可以在整段可見光頻帶範圍內做光學上的能隙調整。

藍相液晶光子晶體是很容易製作的,它是利用液晶經過自我組成(self-organization)的機制下,形成尺度為幾百奈米的三維週期立方晶格結構,研究學者發現這種由對掌性碳偶氮苯1.7%、層列型液晶E48 (54.3%)、旋光參雜物質S811 (29%) 和R811 (15%)組成的化合物,其光子能隙經由藍光的照射下可以在相當寬廣的頻帶範圍內作調整。

這種化合物存在著BP I與BP II兩種狀態,而這兩種狀態的光子能隙皆落在可見光頻帶內的不同區域,經由藍光(波長為408奈米)的照射或是溫度的改變,皆可使得在BP I與BP II這兩種狀態之間做可逆轉換,此化合物一開始在波長約為470奈米時會有布拉格反射(Bragg reflection),經由藍光(強度為13 mW cm−2)的照射後,BP II的反射頻帶可連續往長波長的方向移動(從470至520奈米),直到相變化變成BP I,當繼續照射藍光時,BP I的反射頻帶亦連續往更長波長移動(大約到630奈米),經過這15秒的照射之後,BP I的反射頻帶就不再移動而停留在630奈米處(整個轉換流程如圖一所示)。雖然在自然情況下因為熱的衰減從BP I轉變至BP II需要花數個小時,但是可以經由照射波長為532奈米的光(強度為24 mW cm−2)來加速轉換速率,而研究中也發現當添加的對掌性物質濃度由1.7% 提升至 3.5%時,它可以調節的能隙範圍由470–630奈米增加到420–710 奈米(如圖二及圖三所示)。

圖一、A、B分別為對掌性物質濃度1.7%並以408奈米藍光雷射持續照射0、5、7、15秒下的反射式意圖以及實際圖。

 

圖二、A、B分別為對掌性物質濃度3.5%並以408奈米藍光雷射持續照射0、2、8、10、27秒時它的反射式意圖以及實際圖,由圖中可以發現當旋光劑濃度由1.7%增加至3.5%它的反射頻譜範圍變廣了(多了紫外光波段)。

 

圖三、在對掌性物質濃度3.5%下經由波長408奈米的光照射2、4、6、8、9、12、18、27秒(由左至右)的反射頻譜圖,它的逆過程在波長532奈米的光照射下則需要33秒的時間完成,並且由圖中可知當照射時間越長,它的反射頻譜會往長波長移動。

 

資料來源 1.

Noriaki Horiuchi, Photonic crystals: Bridging the visible, Nature Photonics 7, 767, 2013.

doi:10.1038/nphoton.2013.255. Published online 27 September 2013
http://www.nature.com/nphoton/journal/v7/n10/full/nphoton.2013.255.html

資料來源 2. Tsung-Hsien Lin, Yannian Li, Chun-Ta Wang, Hung-Chang Jau, Chun-Wei Chen, Cheng-Chung Li, Hari Krishna Bisoyi, Timothy J. Bunning, Quan Li, Red, Green and Blue Reflections Enabled in an Optically Tunable Self-Organized 3D Cubic Nanostructured Thin Film, Adv. Mater. 25(36), 5050–5054, 2013
http://dx.doi.org/10.1002/adma.201300798; 2013
 
 
 
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