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发行人：林清富所长 编辑委员：陈奕君教授 主编：林筱文 发行日期：2011.04.08 |
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本所4月份演讲公告：
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讲者简介 |
讲题 |
地点 |
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光电论坛 |
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4/15 (Fri) |
黄煌雄监察委员
台湾研究基金会创办人
第四届监察委员
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谈台湾精神—从「台湾的孙中山」—蒋渭水世代的追求谈起
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博理馆
101演讲厅
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15:30~17:30 |
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3月份「光电论坛」演讲花絮（花絮整理：姚力琪） |
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时间： |
2011年3月4日（星期五）下午3点30分 |
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讲者： |
陈锡煌老师（国宝级布袋戏大师） |
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讲题： |
传统掌中戏之美 |
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陈锡煌老师是布袋戏大师李天禄的长子，从小跟在父亲身边，耳濡目染下练就了一身好本领，后来又兼容南北各家之长，发展出自成一格的掌中艺术。透过老师的双手，原本没有生命的戏偶不但能传神，更传递出其特殊的细腻与精准。陈老师于3月4日
（星期五）莅临本所访问，并于博理馆101演讲厅发表演说，讲题为「传统掌中戏之美」。陈老师演讲内容精彩
，并于现场操作戏偶，本所教师及学生皆热烈参与演讲活动，获益良多。 |
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本场演讲者陈锡煌老师
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3月份「光电所演讲」花絮（花絮整理：姚力琪） |
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时间： |
2011年3月18日（星期五）下午1点30分 |
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讲者： |
Dr. Jeffrey Yang (Vice
President, R&D of United Solar Ovonic) |
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讲题： |
S Key requirements for achieving
high-efficiency, multi-junction solar
cells using a-Si:H, a-SiGe:H, and
nc-Si:H on flexible substrates |
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Dr. Jeffrey
Yang于3月18日（星期五）莅临本所访问，并于博理馆101演讲厅发表演说，讲题为「S
Key requirements for achieving
high-efficiency, multi-junction solar
cells using a-Si:H, a-SiGe:H, and
nc-Si:H on flexible
substrates」。本所教师及学生皆热烈参与演讲活动，获益良多。
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本场演讲者Dr. Jeffrey Yang
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国际奈米光电研讨会 ～
【International
Nano-Photonics Symposium】
（时间：2011年3月15日；地点：台湾大学博理馆101演讲厅、201会议室）
花絮整理：吴怡逸
由本所主办的「国际奈米光电研讨会」（International
Nano-Photonics Symposium）已于2011年3月15日（星期二
）在国立台湾大学博理馆101演讲厅和201会议室举行，本研讨会为期一天，非常感谢本校李嗣涔校长和国家科学委员会工程处李清庭处长莅临现场致词及演讲。研讨会内容包含4篇plenary
talk和7篇invited talk，主题分别为Narrow-Band High Power
Infrared Plasmonic Thermal Emitters with
Applications to Biotechnology、Plasmonics:
Spectroscopy and Applications to Nanoscience、ZnO-Based
Light-Emitting Diodes、Plasmonic Optical Disk for
Photocatalytic Chemical Reactor、Nano-Pillar
Surface Scattering induced Depolarization and
Anti-Glare Effects、Efficiency Droop in GaN-Based
Light-Emitting Diodes、Optical Near-Field in
Metallic Nanostructures and Its Applications on
Optical Devices、Modeling of Metal-Cavity Surface
Emitting Lasers、Analysis of Optoelectronic
Properties of the Quantum Dot and Nanorod
LEDs、Metal Nanostructures for Optical
Sensing、Enhanced Performance of Dye-Sensitized
Solar Cells Fabricated with Polystyrene Ball
Embedded TiO2 Pastes。此研讨会吸引日本、美国、香港、台湾等4个地区，共计约250位相关领域人士参加。
本所林清富所长特别邀请大阪大学前瞻光电研究中心 Satoshi Kawata
教授参与此研讨会并演讲，为了增进本所与大阪大学前瞻光电研究中心（The
Photonics Advanced Research Center of Osaka
University）双方科学知识及文化传统整体之交流，以及发展合作计划，林所长与Satoshi Kawata
教授签署了「国立台湾大学光电工程学研究所与大阪大学前瞻光电研究中心（The Photonics
Advanced Research Center of Osaka
University）学术合作协议书」，藉由此次合作也希望能增加本校的国际能见度，提升本校学术国际化的程度。
这次的国际奈米光电研讨会圆满结束，不但促进国内外研究合作外，更让所有工作人员得到宝贵的经验，在未来主办更多国际会议时，能有更完美的表现。在未来的会议中，本所会持续协助本校师生及国内学术界扩大参与各项国际会议，以达到刺激国内外研究合作之目的，往提升国内高等教育为目标前进。
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（左一）本所吴志毅副所长、（左二）国家科学委员会工程处李清庭处长、
（左三）大阪大学前瞻光电研究中心 Satoshi Kawata 教授、（右三）
本校李嗣涔校长、
（右二）本所林清富所长、（右一）本校电资学院孙启光副院长。
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Research
Accomplishments in 2010, Wide Gap
Semiconductor Laboratory
Professor
Zhe-Chuan Feng
Graduate Institute of Photonics and
Optoelectronics, National Taiwan University
台湾大学光电所 冯哲川教授
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“Effects of CdCl2
Treatment and Annealing on CdS/SnO2/Glass
Heterostructures for Solar
Cells”, Z.C.
Feng, C.C. Wei, A.T.S. Wee,
A. Rohatgi, W. Lu, Thin Solid
Films 518,
7199-7203 (2010)
-
“m-plane (10-10) InN
heteroepitaxied on (100)- -LiAlO2
substrate: Growth orientation
control and characterization of
structural and optical
anisotropy”,
C.L. Hsiao, J.T. Chen, H.C. Hsu,
Y.C. Liao, P.H. Tseng, Y.T.
Chen, Z.C. Feng, L.W.
Tu, M.M.C. Chou, L.C. Chen &
Kuei-Hsien Chen, J. Appl. Phys.
107, 073502
(2010).
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“X-ray absorption and Raman
study of GaN films grown on
different substrates by
different techniques”,
Y.L. Wu, Z.C. Feng,
J.F. Lee, W. Tong, B.K. Wagner &
I. Ferguson, Thin Solid Films
518, 7775-9
(2010).
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“Influence of hydrogen
implantation concentration on
the characteristics of GaN-based
resonant-cavity LEDs”,
S.Y. Huang, R.H. Horng, Y.J.
Tsai, P.R. Lin, W.K. Wang,
Z.C. Feng & D.S. Wuu,
Semicond. Sci. Technol.
25, 035013 (2010)
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“Room Temperature Deposition of
Al-Doped ZnO Films on Quartz
Substrates by Radio-Frequency
Magnetron Sputtering and Effects
of Thermal Annealing”,
W. Yang, Z. Wu, Z. Liu, A. Pang,
Y.L. Tu & Z.C. Feng,
Thin Solid Films 519,
31-36 (2010)
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“Nonlinear optical properties
and ultrafast dynamics of
undoped and doped bulk SiC”,
Jinliang Ding, Yaochuan Wang,
Hui Zhou, Qiang Chen, Shixiong
Qian, and Zhe Chuan Feng,
Ch. Phys. Lett. 27,
124202 (2010).
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| Z-scans |
Time-resolved OKE |
One/two-color pump-probe dynamics |
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论文题目：半导体自聚性量子点之载子动力学
姓名：苏立杰 指导教授：毛明华教授
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在本论文中，利用理论模拟以及实验分析来研究半导体量子点(quantum
dot)内的载子动力学(carrier
dynamics)。首先，我们针对量子点激光的双能态激发放光(two-state
lasing)现象来进行理论计算以及实验验证。再来，我们建立一套新的时间解析系统-简并激发侦测光激发荧光系统(degenerate
pump-probe
photoluminescence)来量测量子点的载子生命周期。最后，我们建立一套时间解析上转换系统(up-conversion)来研究量子点的捕捉时间。
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图一：量子点激光的双能态激发放光 |
图二：时间解析系统-简并激发侦测光激发荧光系统架设图 |
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论文题目：高效率与高色稳定度白光有机发光组件之研究
姓名：萧智鸿 指导教授：李君浩教授
| 摘要 |
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本篇论文着重于如何控制载子(carrier)与激子(exciton)行为来达到一高色稳定度(high
color stability)之白光有机发光组件(White
OLED)。透过有机薄膜厚度可以控制组件内部电场的分布，进而控制发光组件内部之载子行为(图一)。因此，降低载子行为对于电场的敏感程度，可稳定不同驱动电压下之载子分布。再搭配一阻隔层(spacer)来控制激子行为(图二)，吾人可获得一高色稳定度之蓝绿光组件。其色坐标在48.7
-12700 cd/m2范围内，仅仅由(0.256,
0.465)偏移至(0.259,
0.467)。而以此蓝绿光组件为骨干的白光组件则在1050-9120 cd/m2的范围内，色坐标则由(0.310,
0.441)偏移至(0.318, 0.446)。
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图一 |
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图二 |
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数据提供：影像显示科技知识平台 (DTKP, Display Technology
Knowledge Platform) —
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整理：林晃岩教授、陈韦仲 —
「这就是石墨烯」，美国亚利桑那大学和日本物材研等成功拍到清晰照片
美国亚利桑那大学宣布，与美国麻省理工学院（MIT）及日本物质与材料研究机构的研究人员合作，成功拍摄了石墨烯的清晰显微照片。照片是在基板采用如石墨蜂窝结构的六方氮化硼（hBN）薄膜重迭形成所拍摄的，为全球首次拍摄成功。关于该研究的详细论文已刊登在学术杂志《Nature
Materials》上。
石墨烯具有多种出色的特性。不过在高载子迁移率等电性方面特性，大多是「无支持（free-standing）」状态下的量测值。其中无支持状态是指仅固定石墨烯薄膜的两端，而其余大部分并不与基板直接接触的状态；而与Si基板和SiO2基板接触的石墨烯，其载迁移率在1万cm2/Vs左右，只有无支持状态下的几十分之一。这是将石墨烯应用于晶体管所需要解决的重要课题。
最近发现：如果选择hBN作为基板，就能够确保石墨烯比较高的电性。英国曼彻斯特大学教授康斯坦丁．诺沃肖罗夫（Konstantin
Novoselov）在接受《日经电子》的采访时也表示「把石墨烯放在hBN基板上，传导长度（比放在SiO2基板上）延长数倍」。
此次由亚利桑那大学教授Brian J.
LeRoy的研究小组用扫描隧道显微镜（STM）仔细观察了hBN基板上的石墨烯。不仅成功拍摄到了清晰的照片，还得出了电子和电洞的迁移程度，约比SiO2基板的上的石墨烯大两个数量级，与无支持状态下的石墨烯相当的结果。
目前已知hBN不管层数或形状都具有5.5eV以上的带隙，事实上为绝缘体。根据此次的结果，有人提出hBN能够用作石墨烯晶体管的绝缘层。
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图一、
hBN基板上的单层石墨烯的扫描显微（STM）照片。小蜂窝构造是石墨烯。大蜂窝构造是hBN与石墨烯产生的迭纹。照片由亚利桑那大学教授Brian
J. LeRoy提供。
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中文新闻来源： |
http://big5.nikkeibp.com.cn/news/nano/55476-20110303.html |
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论文来源： |
“Scanning tunnelling microscopy and spectroscopy
of ultra-flat graphene on hexagonal boron
nitride”
http://www.nature.com/nmat/journal/vaop/ncurrent/full/nmat2968.html |
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