第六十二期 2011年3月刊
 
 
 
發行人:林清富所長  編輯委員:陳奕君教授  主編:林筱文  發行日期:2011.03.03
 
 

 本所楊志忠教授榮膺「2011 SPIE Fellow」,特此恭賀!

 本所楊志忠、林恭如教授榮獲「國科會99年度傑出研究獎」,特此恭賀!

 本所彭隆瀚教授與畢業生賴建任同學(現為美國麻省理工學院電機系博士生),參與中研院原子與分子科學研究所研究員、清大光電所教授兼所長孔慶昌教授所領導之研究團隊,運用「分子調節法」(molecular modulation)與成型輔助式線性交互關連(shaper-assisted linear cross correlationSALC2)技術,成功控制「光場」(optical light field),於光頻率範圍複製當前微波(microwave)或無線電波(radio wave)製造多種形狀電磁波的技術。這項突破性的創新成果將幫助科學家進一步達成全光學波形的合成器(all-optical waveform synthesizer)。此研究論文刊登於2011120日「科學」(Science)的線上版「科學快訊」(Science Express),標題為:「Synthesis and Measurement of Ultrafast Waveforms from Five Discrete Optical Harmonic」。全文可於「科學」雜誌網站瀏覽 :http://www.sciencemag.org/content/early/2011/01/19/science.1198397。中研院新聞連結:http://www.sinica.edu.tw/manage/gatenews/showsingle.php?_op=?rid:3818

本所3月份演講公告:

日期

講者簡介 講題 地點 時間

光電論壇

3/4 (Fri)

陳錫煌老師
國寶級布袋戲大師

傳統掌中戲之美

博理館

101演講廳

15:30~17:30

 

 
 
     

 

~ 99學年度光電所所學會會長自我介紹 ~

大家好,我是隸屬於陳奕君老師實驗室的呂孟謙,很高興有榮幸擔任光電所的所學生會會長,為同學們以及師長們服務。其實我對於這樣的事務並不陌生,若加上這次,我已經在臺大擔任過三個社團的社長以及一個副社長,大學期間我即是系上的系學會會長,因此對於如何規劃舉辦同學們間互動的活動,是我駕輕就熟的範疇。

這次可說是因緣巧合,在十月初請所長寫推薦函的時候,才決定擔任所學會會長的職務,也因此錯過了舉辦每年所上的傳統活動—中秋餐會的時間,實在是很可惜。因此接下來的聖誕餐會,很感謝有吳志毅老師、何志浩老師以及林恭如老師實驗室熱心的所學會幹部同學們的幫忙,我們細心規畫,希望能做出和往年不一樣的聖誕餐會,相信最後來參加的同學們都有度過一個熱鬧且愉快的聖誕回憶。

而在下學期我們也會籌畫舉辦所上的球類競賽,讓同學們偶爾也能告別機台,在球場上揮灑汗水。希望透過這些活動的規畫,能夠讓同學們多多認識實驗室以外的朋友。認真研究之餘,也別忘記經營自己的人際關係,也透過這些活動希望能加深同學們對所上的認同感。

不過也由於研究生畢竟與大學部不同,我們只能夠做出以不影響研究為前提的適度活動,當然大家本份要顧,但希望我們所學會不但能夠扮演好幫助同學們舒壓解悶的角色,也能夠成為大家與所上夥伴聯絡感情的平台。

接下來的一學期希望我們所學會能夠繼續幫助大家在光電所愉快生活,即使在苦悶的實驗中,也都能夠露出開懷的笑容!感謝大家啦!

 

~ 光電所所學會99學年度聖誕餐會  花絮報導 ~

時間:99年12月24日;地點:臺灣大學電資學院明達館3F中庭廣場)

花絮整理:所學會會長呂孟謙

今年年底光電所學生會和所辦公室,為了犒賞光電所師生一年來的辛苦研究,也同時達到讓同學們活絡感情的目的,特地選在12月24日聖誕節前夕舉辦了光電所的師生聖誕餐會。

在所長林清富教授及副所長吳志毅教授的大力支持下,這次餐會讓同學們各個都吃飽喝足,還有獎品可以拿。所學會為了活絡現場氣氛以及讓同學們對所上有更深一層的認識,特別籌畫了「光電小學堂」問答大賽,同學們的反應相當熱烈,大家都以實驗室為單位參與激烈的問答競賽。同學們透過問答活動,間接瞭解光電所的歷史與所上事務的相關常識。同學們都相當喜愛這樣類型的活動,不但同時可以與不同實驗室的同學作良好互動,同時也對自身所就讀的光電所多了深一層的認識。活動最後,勝出的實驗室也歡天喜地地將我們的大獎—小冰箱搬回實驗室。

所長體恤各位同學的辛苦,還準備了特別的有獎徵答,將獎項送給了一位幸運又反應快的同學。除此之外活動最後也抽出許多大獎,而沒得獎的同學,所學會也準備了很多聖誕糖果,讓來參加的同學們,即使在寒冷的冬天,也可以露出溫暖的笑容。大家的腦中都一定還記憶猶新,所長帶著大家喊出口號,希望在新的一年大家都可以「前進光電,光明無限」。透過這次活動,把師長和同學間,同學們彼此間的距離都拉得更近,也讓光電所的大家,過了一次特別的聖誕節。

吃飽喝足了,大家開始為接下來的有獎徵答活動卡位囉!

瞧!搶答的人潮多踴躍啊!


 
 

 第一屆海峽兩岸光電研習營 

(時間:99年12月6-8日;地點:臺灣大學博理館)

花絮整理:陳雯萍

「第一屆海峽兩岸光電研習營」由本所楊志忠教授籌辦,於99年12月6至8日假電機資訊學院博理館舉行,計有大陸北京大學、清華大學及南京大學三校9位教師及22位博士後研究員或博士生來台參加。臺灣方面計有臺灣大學、清華大學、交通大學及成功大學共15位教授及24位博士後研究員或博士生參加。研習營活動包括教師為學員(博士後或博士生)授課、學員以口頭表達及壁報展示參加論文競賽、文化參觀訪問。海峽兩岸光電研習營的舉辦係一項創舉,也是一段摸索的過程,研習營之兩岸教師及學員在共通但又不全相同的語文基礎上,尋求彼此瞭解與尊重,進而創造互相協助的契機。

與會人員於博理館前合影留念
研習營上課情形

學員壁報論文競賽
 

 

 第一屆海峽兩岸奈米光子學研討會 

(時間:100年1月10-11日;地點:臺灣大學博理館)

花絮整理:陳雯萍

「第一屆海峽兩岸奈米光子學研討會」係北京大學物理學院龔旗煌教授與本所楊志忠教授共同發起,於2011年1月10至11日假博理館201會議室舉行。此次交流,大陸代表計有來自北京大學、吉林大學、同濟大學、南京大學、南開大學、復旦大學、浙江大學及中國國家自然科學基金委員會等優秀學校或研究單位之學者專家共12位。 臺灣方面,則包括了臺灣大學、中山大學、中央研究院、交通大學、成功大學、中央大學、臺灣師範大學共14位教授參與發表演講,並進行熱烈討論。

奈米光子學乃新興奈米科技最重要之一環,其範圍相當廣泛,本研討會尚處萌芽階段,經商議,第一屆研討會的重點議題僅包括surface plasmon, photonic crystal, semiconductor nanostructure及其相關應用。本研討會有助於雙方在學術上之交流及合作,其中參與之大陸自然科學基金委員會之張守著處長,其在大陸之地位類似我們國科會之自然處處長,其於閉幕典禮上表示,臺灣之研究應用目標較明確,而大陸之研究較偏重基本學理,這個觀察不見得準確,但的確顯現兩岸交流之功能。

與會學者於博理館前合影留念

 

教師發表論文

交流及討論


 
 
論文題目:光纖網路監測技術之研究

姓名:鐘國晉   指導教授:曹恆偉教授

 

摘要

在光纖骨幹網路中的光信號傳輸,容易受到光信噪比(Optical Signal-to-Noise Ratio, OSNR)劣化與光纖色散(Dispersion)之影響。對樹狀架構(Tree-Type)的光纖接取網路而言,由於其網路拓樸的特性,並無法使用傳統的方法斷路分支。為了使光纖網路能維持好的服務品質,必須利用簡單且可靠的監測系統來確保其運作。

本論文提出光纖網路的光路監測架構,其中包含兩個部份:(1)眼圖參數監測;(2)網路斷線偵測。前者內容包含非同步眼圖監測,其可應用在強度調變(Amplitude-Modulated)與同調(Coherent)光通信系統中;此外本論文也提出在被動光纖網路中,上行信號眼圖的監測方法(如圖一),與可應用在樹狀架構的干涉式光纖網路斷線監測系統(如圖二)。

圖一

圖二

 

 

論文題目:有機/無機氧化鋅奈米複合薄膜光電及電子元件

姓名:李俊育   指導教授:林清富教授


摘要

在本論文中,我們研究了多種奈米結構氧化鋅/有機異質接面的光電元件及電子元件,在光電元件研究的部份,我們著重在氧化鋅發光元件,包括了以相分離技術製作氧化鋅奈米粒子/有機異質接面發光二極體、以乾式塗佈技術製作單層氧化鋅奈米粒子/有機異質接面發光二極體、氧化鋅柱陣列/poly(3-hexyl thiophene)發光二極體、氧化鋅柱陣列/polyfluorene白光發光二極體、二氧化鈦:氧化鋅共軸奈米線/poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrene-sulfonate)發光二極體,在電子元件研究的部份,我們製做了軟性氧化鋅/polymethylmethacrylate透明電晶體。

圖一:The room temperature EL spectra of the ITO/PF/ZnO rod array:SOG/Al device in the dc bias mode under different applied voltage. (The insert is photograph of light emission from the device B under forward bias of 10 V.)

 

圖二:(a) Schematic illustration of the ZnO-TFT device structure. (b) The chemical structure of the PMMA. (c) Photograph of the ZnO-TFT.

 

 
 
 

— 資料提供:影像顯示科技知識平台 (DTKP, Display Technology Knowledge Platform) —

— 整理:林晃巖教授、陳韋仲 —

英國南安普頓大學利用矩形溝道層達成高導通/截止比石墨烯FET 

英國南安普頓大學(University of Southampton)利用溝道層產生具有電流導通/截止比(Ion/Ioff ratio)為4.8×105的石墨烯FET。其論文已刊登在學術雜誌《Electronics Letters》上。在此之前所製作的石墨烯FET之電流導通/截止比以美國IBM所發表的數值100為最高,而此次結果超出該數值1000倍。順便一提,IBM曾在2010年12月的IEDM 2010上宣佈已模擬出利用雙層石墨烯FET可實現104左右的電流導通/截止比,但尚未實現。

既不是使用奈米帶也沒有施加電場

  南安普頓大學電子與電腦科學研究院的奈米研究小組組長兼奈米電子學教授Hiroshi Mizuta(水田博)領導的研究小組表示:獲得如此高的電流導通/截止比的方法,既不是使用原來的奈米帶(graphene nanoribbons, GNRs),也沒有在雙層石墨烯上施加高電壓,而是利用雙層石墨烯的溝道層並彎曲成矩形來達成。

  南安普頓大學使用Ga聚焦離子束(FIB)將石墨烯片加工成寬300 nm、長度20 μm的矩形。生成帶隙的原因是由於溝道層彎角的內側及外側狀態不對稱,使得電子形成了準束縛狀態。2009年水田的研究小組發表的論文即顯示:石墨烯的電氣傳導特性會受到形狀很大影響 ;而此次水田的研究小組更用實際的石墨烯FET證明這一點。

  一般情況下,如果要使石墨烯奈米帶(GNR)具有0.5 eV以上的能帶隙,奈米帶的寬度就需要在5 nm以下。水田表示:「此次溝道寬度高達約300 nm,在沒有使用GNR般的量子密封效果下,所生成的能帶隙估計為0.25~0.3 eV。」另外柵極電壓為4V。

 

圖一、 此次製作的石墨烯FET。可見沿矩形溝道層形成的鎢絲。左右下方的白色部分為電極板。

 

中文新聞來源: http://big5.nikkeibp.com.cn/news/semi/55181-20110211.html

論文來源:

“A U-shaped bilayer graphene channel transistor with a very high Ion/Ioff ratio”
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5710069

   
 
 
 
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