發行人：黃升龍所長 編輯委員：蔡睿哲教授 主編：林筱文 發行日期：2008.05.06
最新消息與活動公告
賀！本所何志浩教授榮獲2008潘文淵文教基金會考察研究獎，特此恭賀！
第一屆臺灣大學—南京大學光學微結構與雷射技術博士生論壇：
本所與南京大學（Nanjing University）物理系合作舉辦
之「2008 第一屆臺灣大學—南京大學光學微結構與雷射技術博士生論壇」將於97年5月19日至20日假博理館201會議室舉行。此次將由南京大學代表團教師4人帶領研究生9人前來本校與本所代表團10位博士生進行交流；歡迎有興趣參與之師長同學於兩天研討會期間前來博理館201會議室共襄盛舉。
本所5月份演講公告：
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日期 |
講者簡介 |
講題 |
地點 |
時間 |
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5/23 (Fri) |
祝世寧教授 中國科學院院士；南京大學物理系主任 |
待訂 |
博理館 101演講廳 |
16:30-18:30 |
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5/30 (Fri) |
Prof.
Cun-Zheng Ning Center for Nanophotonics-Arizona Institute of NanoElectronics, Center of Solid State Electronics Research (CSSER) and Department of Electrical Engineering, Arizona State University |
Surface Plasmonic and Nanowire Lasers : What is the Ultimate Size Limit? |
博理館 101演講廳 |
16:30-18:30 |
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所務公告及活動花絮
4月份「光電論壇」演講花絮
時間：97年4月11日下午4點30分
講者：林政輝先生（澹廬書會理事長）
講題：書法漫談
林政輝先生於97年4月11日（星期五）蒞臨本所，並於博理館101演講廳發表演說，講題為「書法漫談」，本所教師及學生皆熱烈參與演講活動，獲益良多。
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國立臺灣大學光電工程學研究所
赴中國大陸知名大學及研究機構參訪報告
— 出訪日期：2008年3月8日至3月16日 —
一、前言（黃升龍所長）
去年四月的清明時節，楊志忠教授率團參訪了北京大學、北京清華大學、南京大學及中國科學院半導體所和物理所，團員收穫豐富（詳見2007年5月之所訊），今年楊教授再度組團參訪江南知名高校及科研機構，包括：浙江大學、上海交大、中國科學院上海光學與精密機械研究所、復旦大學、華東師範大學、中國科學院納米技術及納米仿生研究所、蘇州工業園區、蘇州大學等。團員包含：黃升龍所長、林恭如副所長、馮哲川教授、劉致為教授、吳志毅副教授、曾雪峰助理教授、李允立助理教授、何志浩助理教授及所訊主編林筱文小姐。一行10人於3月8日出發，展開忙碌而緊湊的九天參訪行程，此行團員收穫豐富，也驚訝於大陸高校及科研機構的快速發展，大家分工合作，每人針對所見所聞，就所參訪機構之現狀略述如後，依參訪之先後順序，分兩期所訊與大家分享 。
二、參訪紀要（下篇）
上海復旦大學參訪紀要─光科學與工程系
（劉致為教授）
一、現況介紹
目前全系有教授14名，副教授11名。教授中包括2名院士、1名長江特聘教授及國家傑出青年基金獲得者、1名國家傑出青年基金獲得者、2名跨世紀人才基金獲得者。該系擁有光學國家重點學科，在“211”、“985”等高校重點學科建設中獲得近2000萬元的建設經費。在科研方面，以信息光子學領域具有重要意義和應用價值的新型光子學材料與器件作為主攻方向，側重於基礎光子學以及微光子學與納米光子學材料和器件的研究，並適當重視光子學在交叉學科中的應用。近5年來，獲得各類科研經費總額過2400多萬元。該系擁有多台進口激光器、光子學器制備系統、薄膜制備系統以及分析測試系統等設備，研究條件優越。
二、研究狀況
1. 飛秒激光物理及非線性光學研究：
應用先進的飛秒激光光源，探索和發現新的光學非線性特性和效應，並以此為基礎發展創新的非線性激光技術。
2. 微光子學材料與器件：
微光子學以光波導、光學微腔等具有一定功能的微小光學光路為研究對象，不同功能的微小光學光路的集成（稱為集成光學，或集成光子學）是追求目標。工作集中於探索功能玻璃材料作為光子芯片應用的可能性，研究涉及材料的性能、微結構和微圖形及光子學器件。
3. 超高密度納米混合存儲：
•激光輔助混合磁存儲的紀錄介質材料
•激光輔助混合磁存儲的動態系統研製
•混合存儲介質、特殊磁結構的自旋超快動力學過程
•自旋電子學材料和微磁學模擬
•納米存儲材料的自組織生長
4. 凝聚態光學性質與光譜學研究：
•發展新型凝聚態光譜方法和實驗系統，覆蓋紅外到χ波段的光譜範圍。
•研究信息功能材料和器件所體現的宏微觀光學性質及其微觀電子態結構。
•研究光電子信息功能材料和器件的光學性質和磁光性質，建立光學數據庫。
•探索光電子信息獲取、檢測和分析的新原理和新方法。
•研制新的光子材料和器件。
5. 新型光電功能材料的制備和特徵
1.聚焦離子束濺射法制備及調節半導體表面量子點降
2.可調諧發光增強型Si納米晶制備及基於該材料的Si激光器研究
3.有序結構導引的新型多孔矽
4.新型光信息材料的光學性質
三、人才培養
該系擁有光信息科學與技術本科專業，招生規模為每年40名，並計劃擴大到每年60名；還擁有光學、光電工程及原子與分子物理3個專業的碩士點和光學專業的博士點，每年招收30名左右的碩士和博士研究生。該系學生積極參與各類課外活動，如創辦系刊、組織學術報告、進行演講比賽和各種體育競賽，參觀天文台、公司、實驗室等。畢業生就業狀況良好。
該系與國際著名研究機構學術交流活動頻繁，2000至2005年間，來自國外研究單位到該系作學術訪問的學者共有70多人次；同時該系每年也派兩名以上教師到國際著名研究機構進行合作研究。2000年以來該系成功舉辦或參與組織多次國際學術會議和研討會、如中韓雙邊學術會議、國際玻璃材料學術研究會等。
參考圖片：
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華東師範大學參訪紀要─精密光譜科學與技術國家重點實驗室
（林恭如教授）
華東師範大學集中了校內兩個研究單位，投資近一億人民幣經費於精密光譜國家重點實驗室，設備完善。師範大學有兩類學生，包含公費生與非公費生。華師大本以培育高校師資為主，但近年政府已不提供所有畢業生之師資工作，華師大研究生也轉而積極從事研發與產業相關工作。精密光譜科學與技術國家重點實驗室副主任徐信業教授為本次參訪之主要接待人，本次參訪以參觀雷射與光譜國家重點實驗室為主，華師大絕大部份科研經費也集中於此二國家實驗室。實驗室總面積達5500平方米，其中實驗空間部分占3000平方米，重點設備儀器總值達5000萬人民幣，平均每年研究經費可達700萬人民幣，合作機構包含NIST與Laval University等前沿大學與國際各個頂尖實驗室。
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華東師範大學精密光譜科學與技術國家重點實驗室所在大樓 |
華東師範大學精密光譜科學與技術國家重點實驗室入口翦影 |
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目前華東師範大學已有固定人員43名(含教授21名與副教授11名)，其中教授人數佔約48%，具有博士學位教師人數共29名，其中含一名中國科學院院士，中國傑出青年三位，長江學者二名。截至目前為止，該實驗室總共承接研究計畫項目包括國家973項目首席一項(張繼平教授主持)與五項課題，標的性研究成果則有國家自然科學二等獎，相關論文已在2001與2004年Science上發表，飛秒光梳國際比對的四個國家交互檢驗得到印證。另外有關單光子延遲與選擇實驗也發表於2007年Science(中法合作)。光外差與磁共振光譜技術則屢被國際學刊引用。華師大也自行研發近紅外單光子探測器，其暗計數與單光子量測比達6x10-5，已超越國際水平。 |
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以雷射進行原子捕獲之冷卻腔 |
相位與頻率鎖定雙穩定雷射 |
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精密光譜科學與技術國家重點實驗室於2007年獲批准成立，屬於國家985平台建設項目中之一，自2000年起原為教育部重點實驗室至2007年始改隸國家實驗室。該實驗室從事追求對光場在時域與頻域同時實驗精密控制達阿秒級與紫外區光元與精密靈敏控制量測三大方向。目前相關重點研究工作包括(1)時域與頻域精密光譜學 (2)原子分子精密光譜(3)紫外高分辨精密光譜(4)阿秒超快與超強雷射光源研發。這些重點研究工作預期朝向單光子精密光譜分析、冷原子(冷鐿原子)時變常數與紅位移光譜分析、分子冷卻光譜學等重要前研科學研究課題發展。此外，利用非秒雷射產生自組結構、與原子分子及光子的量子操控等課題亦是研究項目主軸之一。 |
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| 時析光學非線性參數分析系統光源 | 時析光學非線性參數分析系統 |
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精密光譜科學與技術國家重點實驗室在實驗室重點研究項目成果部分則包括 (1) 在mHz級超穩雷射器作用控制下，冷鐿原子溫度可自500K降至10-5K以下使其躍遷線寬僅達mHz以下。 (2) 慢光實驗紀錄可達10s m/s，光子減速雷射冷卻溫度可達10-9K以下(原子自發性輻射閉合)，並可利用射流分子束配合四級矩靜電場設計選擇低速分子，始可選擇分子密度提高增進實驗靈敏度。 (3) 輝光放電產生分子離子實驗，利用交流電始分子離子產生周期性漂移，可增強選擇信號。再利用電光相位調制雙邊帶主模混頻技術，可使拍頻訊號差檢測靈敏度提升達兩個數量級以上。 (4) 建構國內各大學中最高功率雷射器，與四級放大光參量啾頻放大器系統，輸出紀錄為10TW/20fs/10Hz。 (5) 利用氣體高次諧頻器建構800nm/50倍頻之XUV光譜超子外激發光源。 (6) 利用金剛石配合表面電漿共振現象，配合單一偶極矩單次激發形成單光子輻射，作為次世代量子通信光源。 (7) 利用1064nm與1550nm雙穩光源配合固體拍頻介質差頻產生紫外光源。 (8) 利用SLM進行控制光輸出訊號時域波型，通過電腦程式控制截面積大小為12mmx12mm的SLM (共有256x256 pixels)，配合SHG-FROG系統可進行時析光譜分析術。 |
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| 四級放大光參量啾頻放大器雷射系統 | 光子減速雷射冷卻實驗系統 |
中國科學院參訪紀要─蘇州納米技術及納米仿生研究所
（曾雪峰助理教授）
這次所有的訪問單位中，我最感興趣的是蘇州納米仿生所。我們的楊團長和仿生所楊輝所長是非常熟的好朋友，在楊輝所長還在半導體所時就認識了。感謝楊團長的牽線，讓我們有機會到蘇州納米仿生所來。
蘇州納米仿生所是中國科學院在江蘇的第五個所。模仿自然界做一些生物的器件。至於是做什麼，還在研究討論。剛在今年春節搬進來，目前在世界招聘人才，其中包括七百個事業編制。目前已經有：14個研究員、22個副研究員、以及大約10個助理研究員。
蘇州納米仿生所是由大陸中科院、江蘇省、蘇州市和蘇州工業園區共同出資建設的國家級科研機構。建設費用共計4.27億人民幣，佔地面積約100畝，建築面積83萬平方米，位於風景秀麗的蘇州工業園區獨墅湖高教區內。其科研目標乃是：通過前沿學科的交叉，將納米科技與信息科學、生命科學、物理和化學等學科緊密結合。主要的研發領域方向包括：納米器件及相關材料、納米仿生技術與納米醫學、納米仿生技術、以及納米安全技術。
大陸許多大學的教授團隊，多為本土本校所培養出來的。比起來，蘇州納米仿生所則多為出國回來的學者，可以感覺得出其團隊的氛圍不太一樣。例如，有一個女性學者邊教授，就是到德國作博士後研究，剛剛回來不久的。據說在納米仿生所三年內達到鼓勵30％流動，以增進學術交流與提升水平。以前薪資和台灣相差太多，交流不易。現在大陸薪資已有提昇，以後交流應該會越來越容易。再加上兩岸若直航，蘇州到台北總共大約六小時可到。
在蘇州這裡做研究相對於大陸其他地方，環境很不錯，應該是蠻享受的。其中，我比較感興趣的是：在環境這麼好的所在，怎麼能找到這麼一大塊空地來蓋科研園區呢？打聽之下才知：原來這個蘇州科研區原先是農田，去年把農民遷至附近新蓋的大批公寓式建築，然後田地變成科學園區。農民一戶分到2-3間房子，自己住一間，還有兩間可出租，因此農民大多很高興。至於沒有農地耕作，去哪掙錢？他們大多騎電瓶車（電動摩托車）來科學園區做服務、打掃等工作。目前剛剛成立兩年多，仍缺小學等設施。在上海、無錫也有開發類似這裡的科研區。而大陸其他地區的優秀學生，並不太瞭解這裡的發展，因此不願意來。
我個人覺得：大陸經濟正在起飛，而且感覺學生也很積極，有好的設備當然對研究成果有很大的幫助，但還有許多其他的因素。台灣是一個小島，這點事實要認知清楚，小本生意才有競爭力，不應想硬碰硬，應選擇適當的研發方向，配合台灣的情況發展，我覺得台灣還是有許多長處可以發揮的！
有一個教授告訴我：大陸最近轉型很快，他覺得目前大陸學生的優點是：素質、基本訓練都還不錯。而缺點是：做事不夠盡心。如果學生要出國進修，他會勉勵學生：做事盡心一點。我想，這番勉勵對台灣學生也是很好的勸勉。
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| 蘇州納米仿生所的周圍 | 在仿生所前的合影 |
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| 從仿生所遠眺附近的新建築，多為農戶搬遷戶所居住 | |
蘇州大學參訪紀要─薄膜材料重點實驗室
（馮哲川教授）
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蘇州大學坐落於素有“人間天堂”之稱的古城蘇州，是中國“211工程”重點建設高校和江蘇省省屬重點綜合性大學。其前身為創建於1900年的東吳大學，1952年定名為江蘇師範學院，1982年經國務院批准改辦為蘇州大學。蘇州蠶桑專科學校、蘇州絲綢學院、蘇州醫學院先後於1995年、1997年、2000年併入蘇州大學。目前，擁有各類在校生約50000人（其中研究生約12100人、本科生 約21000人，成人學歷教育約10000人）：教職工約4100人，其中中國工程院院士3人，雙聘院士4人，教授、副教授約1300人。
蘇州大學現有12個博士後流動站、6個一級學科博士授權點、80個二級學科博士學位授權點、1個一級學科專業學位博士點、204個碩士點，本科專業101個，4個國家級重點學科、2個國防科工委重點學科、1個國防科工委重點建設專業點、24個省部級重點學科，10個省部級重點實驗室，3個省級工程中心，2個國家人才培養基地，1個普通高等學校人文社會科學重點研究基地，1個國家體育總局社會科學重點研究基地。蘇州大學已發展為一所具有相當規模，基礎較為雄厚，辦學效益顯著，在國內外具有知名度的地方綜合性大學。
薄膜材料重點實驗室簡介 (Key Laboratory of Thin Films, Jiangsu, Suzhou University, Suzhou 215006, China 網址：www.suda.edu.cn, 電話：0512-65112597 傳真：0512-65112597 地址：江蘇省蘇州市十梓街1號，蘇州大學薄膜材料重點實驗室,郵編：215006）
蘇州大學江蘇省薄膜材料重點實驗室於1997年正式成立，主要從事薄膜材料的製備、結構和性能的基礎性研究，並積極開发它在各方面應用的關鍵技術和工藝，是江蘇省功能薄膜材料研究及高層次人才培養的基地。現任實驗室主任為沈明榮教授。實驗室的主要研究方向是： 1）微電子、光電子和磁電子薄膜材料的製備、結構與性能。如多孔矽基低介電常數薄膜；高介電常數鐵電薄膜；半金屬巨磁電阻薄膜；矽基和氧化鋅發光薄膜；鐵電、磁多層薄膜等。 2）用於薄膜材料沉積的新型等離子體源。如微波ECR等離子體沉積系統；雙頻RF-CCP/ICP沉積系統；並列式天線大面積等離子體源等。 3）薄膜沉積和刻蝕過程和機理研究。如放電等離子體中的各種反應基團的行為和分佈；薄膜沉積，團蔟、納米顆粒的形成機理；器壁對基團和材料合成的效應等。
經過近10年的建設和運行，實驗室擁有了多種薄膜材料製備設備，如微波ECR等離子體化學氣相沉積系統、雙頻RF-CCP/ICP化學氣相沉積系統、多靶磁控濺射系統、脈衝鐳射沉積系統、雙離子束濺射系統等。實驗室還擁有多種薄膜材料的結構與性能的檢測儀器，如大功率XRD、原子力顯微鏡、紅外吸收譜儀、螢光光譜儀、振動樣品磁強計、阻抗測試分析儀、表面輪廓儀、磁電阻低溫測試台等。實驗室成立以來，先後承擔了國家863計畫、國家攀登計畫、國家自然科學基金以及江蘇省各類基金近百項，獲得省部級以上的獎勵7項。近年來平均每年發表SCI、EI收錄論文約50篇。在金屬顆粒複合材料的非線性光學和電磁性質、微波ECR等離子體沉積薄膜材料等方面均開展了有顯著特色的工作 。
實驗室招收和培養凝聚態物理、材料物理與化學、等離子體物理專業的博士或碩士研究生。
實驗室目前有固定人員21人，其中教授12人，具有博士學位的年輕教師16人。已形成了一支有高水準學術帶頭人的、以年輕博士為主體的、結構合理、團結協作、凝聚力強的隊伍。相關的主要研究人員(having met us)有：
甯兆元教授。1968年畢業於北京大學物理系，中國物理學會等離子體分會理事，江蘇省有突出貢獻的中青年專家，優秀博士生導師，‘Plasma Science and Technology’編委，1997-2004年任江蘇省薄膜材料重點實驗室主任。先後在中科院等離子體物理研究所，美國Wisconsin大學，Georgia Tech和蘇州大學工作。主持過多项“863”、國家自然科學基金、中科院重點、江蘇省自然科學基金的專案。獲得過中科院科技進步一、二、三等獎，江蘇省科技進步四等獎，蘇州市科技進步二等獎。已發表研究論文100多篇，相當部分為SCI、EI所收錄。近年來，主要研究低介電常數薄膜、沉積薄膜的微波和射頻等離子體源。
沈明榮教授。現任薄膜材料實驗室主任。1997年獲中科院等離子體所理學博士學位。曾獲江蘇省科技進步三等獎，蘇州市科技進步三等獎。曾首次在國際上使用“化學液相法”合成類金剛石和碳氮薄膜，引起了國內外學者的關注。近三年來的研究工作主要集中在脈衝鐳射沉積和溶膠凝膠法製備鐵電多層膜，已在SCI期刊上發表論文五十餘篇，並有多篇論文發表在Applied Physics Letters 上。曾先後應邀赴美國賓西法尼亞州立大學，香港浸會大學和香港城市大學學術訪問兩年。
吳雪梅教授。1988年畢業于山東大學物理系，1991年在中科院等離子體物理所獲得碩士學位，2002年在蘇州大學獲博士學位。一直從事薄膜材料的製備、分析及測試工作。主持國家自然科學基金專案2項，江蘇省教委自然科學基金3項。已在SCI、EI 刊物上發表論文50餘篇。目前專注於矽基發光薄膜，氧化鋅稀磁半導體薄膜的研究。多篇研究結果發表在Applied Physics Letters、Thin solid films上。
葉超副教授。1986年畢業于蘇州大學物理系，2005年獲理學博士學位，現為蘇州大學物理科學與技術學院總實驗室主任。主持過多項國家自然科學基金、江蘇省自然科學基金的工作。主要從事低介電常數材料與氮化矽薄膜等微電子材料、微波電子迴旋共振等離子體材料加工技術、以及非均勻體系介電性質的研究工作，獲得2000年度蘇州市科技進步二等獎，“a-C:F低介電常數薄膜沉積與介電性質研究”獲得2002年度江蘇省優秀碩士論文獎。在Appl Phys Lett等國內外重要學術期刊發表研究論文約60篇，大部分為SCI、EI所收錄。
辛煜副教授。2002年在蘇州大學獲得凝聚態物理專業博士學位。2003年在南京大學物理系從事博士後研究工作。主持過兩項國家自然科學基金項目的研究，參加並主持863-804主題子專案。獲得過蘇州市科技進步二等獎，省教委自製儀器評比二等獎。主要進行低溫等離子體物理、功能薄膜材料沉積和刻蝕研究。在國內外學術期刊上發表論文約50篇，大部分為SCI、EI所收錄。
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| 實驗室部分固定人員 |
台灣大學光電所教授等人已與上述蘇州大學薄膜材料重點實驗室之教授討論並在矽基光電，ZnO，SiC，鐵電材料以及相關材料領域建立合作研究。
訪問結束時，我們順便參訪了蘇州大學校園內半個多世紀以前的東吳大學舊址，訪問團中，畢業於台灣東吳大學大學部的成員，格外多了幾分感觸。
Silicon waveguide sidewall smoothing by KrF excimer laser reformation
Shih-Che Hung and Prof. Ching-Fuh Lin
Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University
臺灣大學光電所林清富教授
Silicon photonics has been an active research field of integrated optics, where low-cost, compact, and integrated optical components are dedicatedly pursued. Compact, small-core waveguides, however, suffers from excessive scattering loss due to the sidewall roughness, which prohibits building dense integrated optoelectronic circuits.
Many efforts are devoted to sidewall smoothing of Si waveguides to reduce the scattering loss, including hydrogen annealing, dry oxidation, wet chemical etching, and so on. However, methods using high temperature have a thermal budget constraint on the pre-built electronics. Oxidation methods have low capability of reducing large roughness. Developing a technique capable of optoelectronic integration and high capability of roughness reduction for compact, integrated, and high performance Si waveguides has been a challenging goal.
The principle of laser reformation for smooth Si waveguides is to melt the sidewall by a high energy laser pulse at an incident angle, as illustrated in Fig. 1. The molten Si of the sidewall reforms due to the surface tension and hence gives the name of this technique. In this technique, the quantity of energy absorbed by silicon from excimer laser highly depends on the incident angle of the laser beam due to transmission coefficient of this electromagnetic wave at interface. In order to selectively exposure sidewall rather than top surface and substrate, the incoming laser beam is designated to illuminate on the Si ridge at a greatly inclined angle. This configuration allows laser to mainly melt the sidewall at a suitable energy density.
The as-etched Si surface has a RMS roughness of 14 nm, as shown in Fig. 2 (left). As shown in this figure, the highest protrusion on the as-etched surface even exceeds 100 nm. Laser illumination with an energy density of 1.4 J/cm2 is applied at normal incidence. By one shot of laser pulse, the RMS roughness of the laser-reformed surface reduces to 0.28 nm. By 5 shots of laser pulses, the RMS roughness reduces to 0.24 nm. The AFM photo of Si surface illuminated by 5 shots is shown in Fig. 2 (right). Such a high roughness reduction is due to surface tension which enables the surface area to be the minimum by nature.
AFM measurement shows the RMS roughness is reduced from 14 nm to 0.24 nm. Scattering loss of waveguides with such a small sidewall roughness is calculated to be 0.033 dB/cm. Compared to other processes like hydrogen annealing, dry oxidation and wet chemical etching, the laser reformation technique shows unique capabilities of flattening protrusions as high as 100 nm and of selective exposure. Good surface quality investigated from the MWPCD measurements also supports the laser-reformation method to fabricate optoelectronic devices.
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Fig. 1. The homogenizer and projection lens setup of KrF excimer laser. |
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Fig. 2. AFM scans of the as-etched surface (left) and the surface after laser illumination by 5 shots of laser pulses with energy density of 1.4 J/cm2 (right). |
— 資料提供：影像顯示光電科技特色人才培育中心•影像顯示科技知識平台 —
— 整理：林晃巖教授、陳冠宇 —
杜比/SIM2發佈高亮度、高動態對比的46吋液晶電視
美國杜比實驗室（Dolby Laboratories）發佈了亮度為4000cd/m2以上的46吋高動態對比（High Dynamic Range，HDR）液晶電視樣機。該液晶電視係與義大利高級視聽產品廠商SIM2公司共同開發。
液晶面板的畫素數為1920×1080，支援HDTV 1080P；寬高比為16比9；畫面亮度均勻性為95％以上；對比為無限大（因為LED背光可以全開或全暗）。液晶面板的背照燈組件採用1838個LED，傳統的局部調光（local dimming）LED背光一般分為64或128區；但這個樣品可獨立控制每一個LED，也就是說可達到1838區獨立調光。背光使用CREE公司所製的白光LED，NTSC達92%，單顆最大電流達48mA，把1838顆組合起來需要約2000W的電；散熱將會是這個樣品若要量產化的一大考驗。
為了調整背照燈組件亮度，配備有16bit LED調光電路，用於調光控制的複雜演算法處理是由杜比公司開發，採用美國賽靈思（Xilinx）的FPGA晶片實現。目前通常的影像顯示內容為8-bit的取像內容，無法完全顯示本樣品的能耐；杜比實驗室也開發了高對比取像的相關技術，可以展現本樣品的優點，未來若要推廣本產品，應思考如何將高對比取像技術與一般的照、錄相技術結合。
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中文新聞：
http://big5.nikkeibp.co.jp/china/news/flat/pr_flat200804070120.html
英文新聞：
http://displaydaily.com/2008/04/02/dolbysim2-show-off-46-hdr-lcd-tv/
原廠發佈新聞：
http://investor.dolby.com/ReleaseDetail.cfm?ReleaseID=302440
吃醋可以治療喉嚨痛？！
有此一說：
聽說喝醋健康多多，特別是自己釀造的梅子醋〈以工研食用醋加梅子釀造〉，不要稀釋直接喝20∼30cc可以治療喉嚨痛、感冒。這樣的醋應該是強酸吧，真的不傷腸胃及喉嚨嗎？會不會容易造成食道受傷呢？
KingNet
醫師回答：
（高雄長庚醫院耳鼻喉科主任 蘇志英醫師）
補充維他命Ｃ是不錯的，但濃度太高的醋或醋酸有可能灼傷食道、胃腸，嚴重可能引起潰瘍，在喉嚨痛的情形，濃度太高的醋刺激下會不舒服，更別提有治療喉痛的效果！偏方害人，若「非喝不可」一定要稀釋充當「補充」維他命Ｃ吧！
醋以釀造醋品質最好，本草備要記載醋有『開胃氣，散水氣，散瘀解毒，下氣消食』的功用。
適量的醋有促進食慾，幫助消化的作用。以醋含著嗽口可治療喉嚨痛或口舌生瘡（嘴破），一般感冒只有喉嚨痛，醋有緩解症狀的療效。但若有其他上呼吸道感染症狀如流鼻水、打噴嚏、鼻塞、咳嗽…就沒有用。
若酸鹼以味覺來區分
酸：指具有酸味的物質
鹼：指具有苦澀味的物質
所以醋的酸，應是指味覺的酸，並不是指PH值小於7的那種酸性
雖然「醋」在化學上是屬酸性的沒錯！但我要強調的是，醋的酸性，一般所指的是味覺上的酸，不是指PH小於7的那種酸鹼性。就好像酸梅是酸的一樣，雖然醋的ph值在3∼4左右，水果醋酸度約1∼2％左右，調味食用醋的酸度較高，約3∼5％。一般人直接喝20∼30cc不會灼傷食道，但若腸胃不好，就不能吃那麼多喔！
醋品質的好壞，也關係到療效及健康，文章一開始我就說『醋以釀造醋品質最好』，有些非天然釀造醋，如化學醋 、酒精醋等只能當調味用，不能拿來藥用喔。
由於食物的酸或鹼，並不是以吃起來的口感來決定的，而是經由人體消化、代謝後，所產生的酸性或鹼性物質來決定，這跟食物所含的礦物質種類及多少有關。
一般來說含硫、磷等礦物質較多的食物，呈現酸性
含鈉、鉀、鈣、鎂較多的食物，呈鹼性
由於醋所含的礦物質很少，所以醋進入人體後的酸鹼值應是偏向中性或弱鹼性，不稀釋直接喝20∼30cc的醋，並不會因為醋的酸度傷害食道及喉嚨，但醋會促進胃酸分泌，因此十二指腸潰瘍的人不適宜吃太多的醋。
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